[發明專利]一種三維存儲器漏電分析方法

在審

• 申請號: 201910944255.6
• 申請日: 2019-09-30
• 公開（公告）號: CN110729212A
• 公開（公告）日: 2020-01-24
• 發明（設計）人: 劉麗君;范光龍;陳金星;郭靜
• 申請（專利權）人: 長江存儲科技有限責任公司
• 主分類號: H01L21/66
• 分類號: H01L21/66;H01L23/544
• 代理公司: 11270 北京派特恩知識產權代理有限公司
• 代理人: 高潔;張穎玲

本發明實施例公開了一種三維存儲器漏電分析方法，包括：在第一三維存儲器的導電接觸孔表面形成導電粒子；在所述導電接觸孔上加載電壓；其中，所述電壓的電性與所述導電粒子的電性一致；對加載所述電壓后所述導電接觸孔表面進行電子束檢測，獲取檢測結果；基于所述檢測結果中所述導電接觸孔表面呈現的圖像對所述第一三維存儲器進行漏電分析。

技術領域

本發明涉及半導體技術領域，尤其涉及一種三維存儲器漏電分析方法。

背景技術

存儲器(Memory)是現代信息技術中用于保存信息的記憶設備。隨著各類電子設備對集成度和數據存儲密度的需求的不斷提高，普通的二維存儲器件越來越難以滿足要求，在這種情況下，三維(3D)存儲器應運而生。

在三維存儲器的研發和生產過程中，漏電檢測分析是改善工藝條件、提高產品良率不可或缺的重要手段。對于三維存儲器漏電性能的檢測，傳統方法是采用納米探針(NanoProbe)的方式，此方法的缺點是輸出效率低，進而影響探測點的樣本數量，不能直觀、定量監測整片晶圓的漏電性能；不僅如此，經過納米探針方式檢測的晶圓需要報廢，造成一定的產品浪費。

因此，本領域現階段亟需一種高速、高效、直觀的實現三維存儲器的漏電檢測分析方法。

發明內容

有鑒于此，本發明的主要目的在于提供一種三維存儲器漏電分析方法。

為達到上述目的，本發明的技術方案是這樣實現的：

本發明實施例提供了一種三維存儲器漏電分析方法，包括：

在第一三維存儲器的導電接觸孔表面形成導電粒子；

在所述導電接觸孔上加載電壓；其中，所述電壓的電性與所述導電粒子的電性一致；

對加載所述電壓后所述導電接觸孔表面進行電子束檢測，獲取檢測結果；基于所述檢測結果中所述導電接觸孔表面呈現的圖像對所述第一三維存儲器進行漏電分析。

上述方案中，所述導電粒子為電子，所述加載電壓為加載負電壓。

上述方案中，所述形成導電粒子，具體包括：在所述導電接觸孔表面噴灑所述導電粒子。

上述方案中，所述基于所述檢測結果中所述導電接觸孔表面呈現的圖像對所述第一三維存儲器進行漏電分析，包括：

所述檢測結果中所述導電接觸孔表面呈現暗色，對應于所述導電接觸孔漏電；

所述檢測結果中所述導電接觸孔表面呈現亮色，對應于所述導電接觸孔不漏電。

上述方案中，所述方法還包括：

當檢測到所述第一三維存儲器包括至少一個漏電的導電接觸孔時，采用透射電子顯微鏡對所述漏電的導電接觸孔進行檢測，以確定所述第一三維存儲器的漏電位置。

上述方案中，所述方法還包括：

基于獲取的所述電子束檢測的檢測結果以及所述采用透射電子顯微鏡進行檢測的檢測結果，確定至少一個漏電的導電接觸孔在所述電子束檢測的檢測結果中呈現的相對位置與采用透射電子顯微鏡確定的所述第一三維存儲器的漏電位置之間的對應關系；

獲取第二三維存儲器的導電接觸孔表面的電子束檢測的檢測結果，基于確定的所述對應關系，確定所述第二三維存儲器的漏電位置。