[發(fā)明專利]一種顯示面板、顯示裝置及顯示面板的制備方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201910941566.7 | 申請(qǐng)日: | 2019-09-30 |
| 公開(公告)號(hào): | CN112582441B | 公開(公告)日: | 2023-04-07 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 王程功;趙改娜;王濤 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 成都辰顯光電有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L27/15 | 分類號(hào): | H01L27/15;H01L33/48;H01L33/58;H01L33/60 |
| 代理公司: | 上海晨皓知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 31260 | 代理人: | 成麗杰 |
| 地址: | 611731 四*** | 國省代碼: | 四川;51 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 顯示 面板 顯示裝置 制備 方法 | ||
1.一種顯示面板,其特征在于,包括:
襯底;設(shè)置在所述襯底上的隔離層,所述隔離層具有多個(gè)孔洞;設(shè)置在所述孔洞內(nèi)的發(fā)光單元;設(shè)置在所述孔洞內(nèi)的顏色轉(zhuǎn)換層,所述顏色轉(zhuǎn)換層包圍所述發(fā)光單元;設(shè)置在所述顏色轉(zhuǎn)換層上的微透鏡陣列;
每個(gè)所述顏色轉(zhuǎn)換層上設(shè)置的所述微透鏡的個(gè)數(shù)為1個(gè)至20個(gè)之間,所述微透鏡的曲率半徑在5微米至50微米;
所述孔洞鄰近所述襯底的表面包括第一凸曲面,所述第一凸曲面的凸起方向朝向所述襯底。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示面板,其特征在于,所述顏色轉(zhuǎn)換層的表面包括第二凸曲面,所述第二凸曲面的凸起方向朝向所述襯底。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的顯示面板,其特征在于,還包括反射層,所述反射層呈凸弧狀,所述顏色轉(zhuǎn)換層包括鄰近所述微透鏡陣列的頂面、環(huán)繞所述頂面的側(cè)面,所述反射層覆蓋所述側(cè)面。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示面板,其特征在于,所述微透鏡陣列的微透鏡為方形凸透鏡,所述凸透鏡的凸起方向遠(yuǎn)離所述襯底。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示面板,其特征在于,所述顏色轉(zhuǎn)換層的厚度與所述隔離層的厚度相同。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示面板,其特征在于,所述發(fā)光單元包括LED芯片以及設(shè)置在所述LED芯片上的熒光層,所述顏色轉(zhuǎn)換層覆蓋所述熒光層。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的顯示面板,其特征在于,所述LED芯片為藍(lán)色微米級(jí)LED芯片;
所述藍(lán)色微米級(jí)LED芯片的長度范圍為1微米至50微米;
所述藍(lán)色微米級(jí)LED芯片的寬度范圍為1微米至50微米;
相鄰所述藍(lán)色微米級(jí)LED芯片之間的橫向間距大于所述藍(lán)色微米級(jí)LED芯片的長度,縱向間距大于所述藍(lán)色微米級(jí)LED芯片的寬度,且橫向間距或縱向間距小于100微米。
8.一種顯示裝置,其特征在于,包括如權(quán)利要求1至7任一項(xiàng)所述的顯示面板。
9.一種顯示面板的制備方法,其特征在于,包括:
提供襯底;
在所述襯底上形成發(fā)光單元;
在所述襯底上形成隔離層,其中,所述隔離層具有多個(gè)孔洞,所述發(fā)光單元位于所述孔洞內(nèi);
在所述孔洞內(nèi)形成顏色轉(zhuǎn)換層,所述顏色轉(zhuǎn)換層包圍所述發(fā)光單元;
在所述顏色轉(zhuǎn)換層上形成微透鏡陣列;
每個(gè)所述顏色轉(zhuǎn)換層上設(shè)置的所述微透鏡的個(gè)數(shù)為1個(gè)至20個(gè)之間,所述微透鏡的曲率半徑在5微米至50微米;
所述孔洞鄰近所述襯底的表面包括第一凸曲面,所述第一凸曲面的凸起方向朝向所述襯底。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的顯示面板的制備方法,其特征在于,在所述孔洞內(nèi)形成顏色轉(zhuǎn)換層之前,還包括:
在所述孔洞的內(nèi)壁面形成反射層。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個(gè)共用襯底內(nèi)或其上形成的多個(gè)半導(dǎo)體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導(dǎo)體組件并且至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的;包括至少有一個(gè)躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對(duì)紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導(dǎo)體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的半導(dǎo)體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點(diǎn)的熱電元件的;包括有熱磁組件的





