[發明專利]堆疊鍵合晶圓處理裝置在審
| 申請號: | 201910940808.0 | 申請日: | 2019-09-30 |
| 公開(公告)號: | CN110854039A | 公開(公告)日: | 2020-02-28 |
| 發明(設計)人: | 余興;蔣維楠 | 申請(專利權)人: | 芯盟科技有限公司;浙江清華長三角研究院 |
| 主分類號: | H01L21/67 | 分類號: | H01L21/67;H01L21/304;H01L21/60 |
| 代理公司: | 上海盈盛知識產權代理事務所(普通合伙) 31294 | 代理人: | 孫佳胤;高德志 |
| 地址: | 314400 浙江省嘉興市海寧市海*** | 國省代碼: | 浙江;33 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 堆疊 鍵合晶圓 處理 裝置 | ||
1.一種堆疊鍵合晶圓處理機臺,其特征在于,包括:
注膠單元,用于向堆疊鍵合晶圓的邊緣注入膠體;
削減單元,用于同時切割去除所述堆疊鍵合晶圓的部分寬度的邊緣以及邊緣注入的膠體。
2.如權利要求1所述的堆疊鍵合晶圓處理機臺,其特征在于,所述注膠單元包括注膠模塊和硬化模塊,所述注膠模塊用于向堆疊鍵合晶圓的邊緣注入流體狀的膠水,所述硬化模塊用于對所述注入的膠水進行硬化形成膠體。
3.如權利要求2所述的堆疊鍵合晶圓處理機臺,其特征在于,所述硬化模塊為紅外加熱模塊,通過熱輻射對所述注入的膠體進行加熱使得所述注入的膠體硬化。
4.如權利要求1所述的堆疊鍵合晶圓處理機臺,其特征在于,所述消減單元包括刀片模塊和潤滑劑提供模塊,所述刀片模塊包括刀片和與刀片連接的控制模塊,所述控制模塊控制刀片旋轉以切割去除所述堆疊鍵合晶圓的部分寬度的邊緣以及邊緣注入的膠體,所述潤滑劑提供模塊用于在切割時向切割位置提供潤滑劑。
5.如權利要求1所述的堆疊鍵合晶圓處理機臺,其特征在于,所述削減單元中還包括:晶圓載臺,所述晶圓載臺用于固定所述堆疊鍵合晶圓,并帶動所述堆疊鍵合晶圓旋轉。
6.如權利要求1所述的堆疊鍵合晶圓處理機臺,其特征在于,所述堆疊鍵合晶圓至少包括兩層晶圓。
7.如權利要求6所述的堆疊鍵合晶圓處理機臺,其特征在于,所述堆疊鍵合晶圓包括三層晶圓,所述三層晶圓包括第一晶圓、第二晶圓和第三晶圓,所述第二晶圓位于第一晶圓上與第一晶圓鍵合在一起,所述第三晶圓位于第二晶圓上與第二晶圓鍵合在一起。
8.如權利要求6所述的堆疊鍵合晶圓處理機臺,其特征在于,所述堆疊鍵合晶圓處理機臺還包括研磨單元,所述研磨單元用于對邊緣注入有膠體的堆疊鍵合晶圓進行減薄,所述削減單元用于同時切割去除所述減薄后的堆疊鍵合晶圓的部分寬度的邊緣以及邊緣注入的膠體。
9.如權利要求8所述的堆疊鍵合晶圓處理機臺,其特征在于,所述注膠單元在第一晶圓和第二晶圓鍵合形成第一堆疊鍵合晶圓后,在所述第一鍵合晶圓的邊緣注入第一膠體,所述研磨單元對邊緣注入第一膠體的所述第一鍵合晶圓上的第二晶圓進行減薄;所述注膠單元在減薄后的第二晶圓上鍵合第三晶圓形成第二堆疊鍵合晶圓后,在所述第二堆疊鍵合晶圓中第三晶圓和減薄后的第二晶圓邊緣注入第二膠體;所述研磨單元對邊緣注入第二膠體的第二鍵合晶圓上的第三晶圓進行減薄;所述削減單元同時切割去除所述減薄后的第二堆疊鍵合晶圓的部分寬度的邊緣以及邊緣注入的第一膠體和第二膠體。
10.如權利要求1或8所述的堆疊鍵合晶圓處理機臺,其特征在于,所述堆疊鍵合晶圓處理機臺還包括:傳送單元,用于在各單元之間進行堆疊鍵合晶圓的傳送。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





