[發(fā)明專利]具有較大有效面積的截流移位光纖在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201910940624.4 | 申請日: | 2019-09-30 |
| 公開(公告)號: | CN112305665A | 公開(公告)日: | 2021-02-02 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 阿派克莎·馬爾維亞;斯里尼瓦斯·雷迪;馬累斯瓦拉饒·蘭卡;阿南德·庫瑪·潘迪 | 申請(專利權(quán))人: | 斯特里特技術(shù)有限公司 |
| 主分類號: | G02B6/028 | 分類號: | G02B6/028;G02B6/036 |
| 代理公司: | 無錫市匯誠永信專利代理事務(wù)所(普通合伙) 32260 | 代理人: | 顧一明 |
| 地址: | 印度馬哈拉施特拉邦奧蘭加巴德*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 具有 較大 有效面積 截流 移位 光纖 | ||
本發(fā)明提供一種具有較大面積的截流移位光纖(100)。所述光纖(100)包括a核心區(qū)(102)、主溝區(qū)(106)和二次溝槽區(qū)域(108)。核心區(qū)域(102)的半徑為r1。此外,核心區(qū)域(102)有一個相對的折射率Δ1。此外,主溝區(qū)(106)具有相對折射率指數(shù)Δ3。此外,主溝區(qū)(106)有一個αtrench?1曲線參數(shù)。此外,二二次溝槽區(qū)域(108)的相對折射率Δ4。同時,二次溝槽區(qū)域(108)有一個αtrench?2曲線參數(shù)。
技術(shù)領(lǐng)域
本披露涉及光纖領(lǐng)域。特別是,目前公開涉及具有高模式場直徑的具有較大有效面積的截流移位光纖。
背景技術(shù)
隨著科學(xué)技術(shù)的進(jìn)步,各種各樣的現(xiàn)代技術(shù)用于溝通目的。最重要的現(xiàn)代之一通信技術(shù)是利用光纖通信技術(shù)的多種形式光學(xué)纖維。光纖用于從一端以光脈沖的形式傳輸信息到另一個地方。電信業(yè)正在不斷地追求設(shè)計達(dá)到高的光信噪比和低損耗。正在進(jìn)行的研究建議采用G.654光纖。E類是G.654.B的改進(jìn)版本和g。652的替代品。D在領(lǐng)土內(nèi)傳播400克面臨挑戰(zhàn)由于非線性效應(yīng),長距離通信。此外,主要挑戰(zhàn)在400G長距離通信由于非線性效應(yīng),光信噪比低比和高衰減。
綜上所述,我們需要一種光纖克服上述缺點(diǎn)。
發(fā)明內(nèi)容
在某方面,本發(fā)明涉及一種具有較大有效面積的截流移位光纖。光纖包括一個核心區(qū)域。此外,所述光纖還包括初級溝槽區(qū)域。此外,光纖包括與主溝區(qū)相鄰的二次溝槽區(qū)域。核心區(qū)域的半徑為r1.此外,核心區(qū)具有相對折射率指數(shù)Δ1.相對折射率Δ1在0到0.13之間。此外,主溝區(qū)的相對折射率為Δ3.主溝區(qū)有一個曲線參數(shù)αtrench-1.二二次溝槽區(qū)域的相對折射率Δ4.二級溝地區(qū)αtrench-2曲線參數(shù)
.此外,相對二二次溝槽區(qū)域的折射率Δ4大于相對折射率主溝區(qū)的指數(shù)Δ3。此外,光纖有電纜切斷波長可達(dá)1530納米。此外,光纖的衰減高達(dá)0.17dB/km,波長約為1550納米。光纖具有模場
直徑范圍為12微米至13微米。光纖也有色散范圍在每納米公里17皮秒到23皮秒之間皮秒每納米公里在波長約1550納米。此外,光纖的有效面積在110微米到135微米之間測微計廣場。纖的宏端損耗高達(dá)0.1分貝/100在彎曲半徑為30左右時,對應(yīng)1625納米波長的匝數(shù)毫米和宏末損失高達(dá)0.03分貝每100轉(zhuǎn)對應(yīng)波長為1550納米,彎曲半徑約為30毫米。
本發(fā)明的主要目的是提供一種損耗低的光纖。
本發(fā)明的另一個目標(biāo)是提供具有大模態(tài)的光纖場直徑。
在某方面,本發(fā)明提供了一種具有較大有效面積的截流移位光纖。光纖包括一個核心區(qū)域。此外,所述光纖還包括初級溝槽區(qū)域。此外,光纖包括與主溝區(qū)相鄰的二次溝槽區(qū)域。核心區(qū)域的半徑為r1。此外,核心區(qū)具有相對折射率指數(shù)Δ1。相對折射率Δ1在0到0.13之間。此外,主溝區(qū)的相對折射率為Δ3。主溝區(qū)有一個曲線參數(shù)αtrench-1。此外,二次溝槽區(qū)域具有相對折射率指數(shù)Δ4。二級溝地區(qū)αtrench-2曲線參數(shù)。
在本發(fā)明的實(shí)施例中,光纖包括包覆緩沖層地區(qū)。緩沖包層區(qū)域?qū)⒑诵膮^(qū)域和主溝區(qū)分隔開。在本發(fā)明的實(shí)施例中,光纖包括包覆緩沖層地區(qū)。此外,緩沖包層區(qū)域的相對折射率剖面Δ2。的相對折射率Δ2在-0.05~0.05范圍內(nèi)。緩沖包層區(qū)域有半徑r2。半徑r2在6微米到6.4微米之間。
在本發(fā)明的實(shí)施例中,光纖包括包覆緩沖層地區(qū)。緩沖包層區(qū)域?qū)⒑诵膮^(qū)域和主溝區(qū)分隔開。此外,緩沖包層區(qū)域的相對折射率Δ2。相對折射率Δ2在-0.05~0.05范圍內(nèi)。此外,緩沖包層區(qū)域具有半徑r2。半徑r2在7.3微米到7.7微米之間。
在本發(fā)明的實(shí)施例中,光纖包括包覆緩沖層地區(qū)。緩沖包層區(qū)域?qū)⒑诵膮^(qū)域和主溝區(qū)分隔開。緩沖包層區(qū)域的相對折射率為Δ2。
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