[發明專利]切斷移動的光纖在審
| 申請號: | 201910940613.6 | 申請日: | 2019-09-30 |
| 公開(公告)號: | CN112099132A | 公開(公告)日: | 2020-12-18 |
| 發明(設計)人: | 阿派克莎·馬爾維亞;斯里尼瓦斯·雷迪;阿南德·庫瑪·潘迪 | 申請(專利權)人: | 斯特里特技術有限公司 |
| 主分類號: | G02B6/028 | 分類號: | G02B6/028;G02B6/036 |
| 代理公司: | 無錫市匯誠永信專利代理事務所(普通合伙) 32260 | 代理人: | 顧一明 |
| 地址: | 印度馬哈拉施特拉邦奧蘭加巴德*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 切斷 移動 光纖 | ||
本發明公開一種切斷移動的光纖。這個光纖100包括一個芯102從中央縱軸延伸112到第一半徑r1.并且光纖100包括第一溝槽區域106從第二半徑r2延伸到第三半徑3,也包括第二溝槽區域108從第三半徑r3延伸到第四半徑半徑r4,還包括一個包層區域110從第四半徑r4延伸到第五半徑r5。
技術領域
本發明涉及有關光纖領域。特別地,是目前的披露有關切斷換檔的光纖用高模場直徑切斷的切斷移動的光纖。
背景技術
背景科學和技術的進步,各種現代技術正在受雇用于通信目的.最重要的現代通信技術是使用各種光纖的光纖通信技術.光纖用傳輸信息作為光脈沖從一端到另一端.電信業一直努力為了實現設計高光信噪比和低損耗。正在進行的研究建議,G.654.E類別的光纖是G.654.B的改進版本和G.652.D的替代品面臨400G傳輸的挑戰在長途的溝通中由于非線性效應。此外,重大的挑戰在400G15長途通訊由于非線性效應影響.此外,重大的挑戰在400G15長途通訊由于非線性效應影,低光信對噪音比和低損失.正在進行的研究建議,G.654.E類別的光纖是G.654.B的改進版本和G.652.D的替代品面臨400G傳輸的挑戰在長途的溝通中由于非線性效應。此外,重大的挑戰在400G長途通訊由于非線性效應影響.此外,重大的挑戰在400G長途通訊由于非線性效應影響,低光信對噪音比和低損失.
鑒于上面聲明討論,需要一種光纖那克服了上面的缺點.
發明內容
本公開的主要目的是提供光纖同大模場直徑。
本公開的又一個目的是提供低損失光纖。
在一個方面,本公開提供了一種切斷移動的光纖。光纖包括芯。另外,光纖包括第一個溝槽區域。此外,光纖包括第二個溝槽區域。此外,光纖是包層區域。芯具有第一個相對折射率Δ1。芯的第一個相對折射率Δ1在大概0到0.12的范圍內。另外,第一個溝槽區域由相對折射率Δ3限定。第一個溝槽區域具有第一阿爾法α溝槽1。第二個溝槽區域與第一個溝槽區域相鄰。第二個溝槽區域具有相對折射率Δ4。而且,第二個溝槽區域具有第二個阿爾法α溝槽2。包層區域圍繞第二個溝槽區域。光纖100在1550納米下具有小于或等于0.17dB/km的衰減。光纖的模場直徑在大概12微米至13微米的范圍內。光纖在折射率分布的芯和溝槽區域中有了逐漸變化。
在本公開的一個實施例中,光纖有高達0.1分貝/100匝的宏觀彎曲損對應于在約30毫米的彎曲半徑處的1550納米的波長和對應于每100匝的0.1分貝的宏觀彎曲損耗。在彎曲半徑約為30毫米時,波長為1625納米。
在本公開的一個實施例中,光纖有色散在范圍內17皮秒每納米公里到23皮秒左右在1550納米的波長.在本公開的一個實施例中,光纖還包含一個緩沖包層區域.緩沖包層區域是被定義為第二個相對折射率Δ2另外,緩沖包層區域分開核心和第一個溝槽區域。
在本公開的一個實施例中,光纖還包含一個緩沖包層區域.緩沖包層區域是被定義為第二個相對折射率Δ2.另外,緩沖包層區域分開核心和第一個溝槽區域。
在本公開的實施例中,核心有了第一個半徑r1.第一個半徑r1是在范圍中2.5微米到5微米5和2微米到3.15微米。
在本公開的實施例中,光纖還包含一個緩沖包層區域.緩沖包層區域第二個半徑r2.第二個半徑r2是在范圍中之一5微米到7微米和3微米到6微米.緩沖包層區域有了大概0的第二個相對折射率Δ2。
在本公開的實施例中,包層區域有了第五個半徑r5.第五個半徑r5是大概62.5微米.包層區域有了約為0的第三相對折射率Δ5。
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