[發明專利]外延結構和低開啟電壓晶體管在審
| 申請號： | 201910937902.0 | 申請日： | 2019-09-30 |
| 公開（公告）號： | CN110649088A | 公開（公告）日： | 2020-01-03 |
| 發明（設計）人： | 顏志泓;蔡文必;魏鴻基 | 申請（專利權）人： | 廈門市三安集成電路有限公司 |
| 主分類號： | H01L29/10 | 分類號： | H01L29/10;H01L29/20;H01L29/737 |
| 代理公司： | 11646 北京超成律師事務所 | 代理人： | 孟憲功 |
| 地址： | 361100 福建省廈門*** | 國省代碼： | 福建;35 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 基電極層 晶體管 發射極層 開啟電壓 外延結構 逐漸增大 電極層 復合基 復合 半導體領域 頻率特性 載子遷移 低能隙 基電極 電阻 功耗 制備 申請 保證 | ||
1.一種外延結構，其特征在于，包含：
復合基電極層(10)，包含第一基電極層(101)和制備在所述第一基電極層(101)上的第二基電極層(102)，所述第一基電極層(101)的材料包含InxGa1-xAs1-yNy或InxGa1-xAs，所述第二基電極的材料包含InmGa1-mAs；
基于所述第二基電極層(102)制備的復合發射極層(20)；
其中，在靠近所述復合發射極層(20)的方向上，所述第一基電極層(101)中In含量不變，所述第二基電極層(102)中In含量逐漸增大。
2.根據權利要求1所述的外延結構，其特征在于，所述InxGa1-xAs1-yNy中，x＝0.03，x＝3y。
3.根據權利要求2所述的外延結構，其特征在于，所述第一基電極層(101)的材料中，In的組分范圍為：3％～20％。
4.根據權利要求3所述的外延結構，其特征在于，所述第一基電極層(101)InxGa1-xAs的材料中，In的組分范圍為：7％～102％。
5.根據權利要求1所述的外延結構，其特征在于，所述InmGa1-mAs中，在靠近所述復合發射極層(20)的方向上，m的取值從0.05逐漸增至0.15。
6.根據權利要求1所述的外延結構，其特征在于，所述InmGa1-mAs中，在靠近所述復合發射極層(20)的方向上，x的取值從0.03逐漸增至0.2。
7.根據權利要求1所述的外延結構，其特征在于，所述第二基電極層(102)的厚度范圍為：單原子層的厚度至30nm。
8.根據權利要求1所述的外延結構，其特征在于，所述復合發射極層(20)的材料包含GanIn1-nP，所述復合發射極層(20)包含：
第一發射極層(201)；
基于所述第一發射極層(201)制備的第二發射極層(202)；
基于所述第二發射極層(202)制備的第三發射極層(203)；
其中，在遠離所述復合基電極層(10)的方向上，所述第一發射極層(201)中n的取值逐漸增大，所述第二發射極層(202)中n的取值不變，所述第三發射極層(203)中n的取值逐漸增大。
9.根據權利要求8所述的外延結構，其特征在于，所述第一發射極層(201)中n的取值從0.3逐漸增至0.7。
10.根據權利要求8所述的外延結構，其特征在于，所述第二發射極層(202)中n的取值為0.3。
11.根據權利要求8所述的外延結構，其特征在于，所述第三發射極層(203)中n的取值從0.3逐漸增至0.51。
12.根據權利要求8所述的外延結構，其特征在于，所述復合發射極層(20)的材料中，Ga的組分范圍為：30％～70％。
13.根據權利要求8所述的外延結構，其特征在于，所述第一發射極層(201)的厚度范圍為：1nm～5nm，所述第二發射極層(202)的厚度范圍為：15nm～25nm，所述第三發射極層(203)的厚度范圍為：5nm～10nm。
14.一種低開啟電壓晶體管，其特征在于，包含權利要求1～13任一項所述的外延結構。
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