[發明專利]一種通孔結構及其制作方法

有效

• 申請號: 201910937839.0
• 申請日: 2019-09-30
• 公開（公告）號: CN110797299B
• 公開（公告）日: 2022-08-12
• 發明（設計）人: 黃光偉;李立中;林偉銘;吳淑芳;陳智廣;馬躍輝;吳靖;莊永淳
• 申請（專利權）人: 福建省福聯集成電路有限公司
• 主分類號: H01L21/768
• 分類號: H01L21/768
• 代理公司: 福州市景弘專利代理事務所(普通合伙) 35219
• 代理人: 徐劍兵;張忠波

1.一種通孔的制作方法，其特征在于，包括如下步驟：

在半導體襯底上覆蓋第一光阻層，并在待通孔處顯影；

以第一光阻層為掩膜，蝕刻半導體襯底制得正面孔洞；

去除第一光阻層，并沉積第一氮化層；

濺鍍籽晶層，籽晶層在正面孔洞開口處沉積厚度相對孔內部較大，并沉積金屬到正面孔洞開口處；

半導體襯底正面覆蓋蠟和藍寶石后進行背面工藝；

在半導體襯底背面涂布第二光阻層，在待通孔處顯影，以第二光阻層為掩膜蝕刻半導體襯底以及第一氮化層，制得與正面孔洞互通的背面孔洞，形成通孔結構。

2.根據權利要求1所述的一種通孔的制作方法，其特征在于，所述正面孔洞直徑大于所述背面孔洞直徑。

3.根據權利要求1所述的一種通孔的制作方法，其特征在于，沉積金屬到正面孔洞處包括步驟：

覆蓋第三光阻層，并在正面孔洞處顯影；

沉積金屬后，去除第三光阻層。

4.根據權利要求1所述的一種通孔的制作方法，其特征在于，在覆蓋第一光阻層之前，還包括步驟：覆蓋第二氮化層。

5.根據權利要求1所述的一種通孔的制作方法，其特征在于，還包括以下步驟：

對所述背面孔洞的側壁進行電鍍填孔或金屬鍍膜，并形成金屬層。

6.根據權利要求4所述的一種通孔的制作方法，其特征在于，所述第二氮化層厚度為1000?，所述第一光阻層厚度為28μm，所述第二光阻層厚度為28μm。

7.根據權利要求1所述的一種通孔的制作方法，其特征在于，所述沉積籽晶層的金屬為鉻、鎳或鈦鎢合金。

8.根據權利要求1-7任意一項所述的一種通孔的制作方法，其特征在于，所述半導體襯底為砷化鎵襯底。

9.一種通孔結構，其特征在于，所述一種通孔結構由權利要求1到8任意一項所述一種通孔的制作方法制得。