[發(fā)明專利]基板處理方法及基板處理裝置在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201910936715.0 | 申請日: | 2019-09-29 |
| 公開(公告)號: | CN111009477A | 公開(公告)日: | 2020-04-14 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 猶原英司;沖田有史;角間央章;増井達(dá)哉 | 申請(專利權(quán))人: | 株式會社斯庫林集團(tuán) |
| 主分類號: | H01L21/67 | 分類號: | H01L21/67;H01L21/677;H01L21/68;H01L21/027 |
| 代理公司: | 北京同立鈞成知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11205 | 代理人: | 馬爽;臧建明 |
| 地址: | 日本京都府京都市上京區(qū)堀川通寺之內(nèi)上4*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 處理 方法 裝置 | ||
本發(fā)明提供一種可對噴出至基板的端部的液柱狀的處理液進(jìn)行拍攝的基板處理方法及基板處理裝置。基板處理方法包括:保持工序、旋轉(zhuǎn)工序、上升工序、斜面處理工序、攝像工序以及監(jiān)視工序。在上升工序中,使包圍基板保持部的外周的杯狀構(gòu)件上升,并使杯狀構(gòu)件的上端位于較保持于基板保持部的基板的上表面而言更高的上端位置。在斜面處理工序中,自位于較上端位置而言更低的位置的噴嘴的噴出口向保持于基板保持部的基板的上表面的端部噴出處理液。在攝像工序中,使照相機(jī)對作為包含自噴嘴的噴出口噴出的處理液的攝像區(qū)域且自基板的上方的攝像位置看到的攝像區(qū)域進(jìn)行拍攝,來取得攝像圖像。在監(jiān)視工序中,基于攝像圖像判定處理液的噴出狀態(tài)。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及一種基板處理方法及基板處理裝置。
背景技術(shù)
作為對基板進(jìn)行處理的裝置,使用一邊使基板在水平面內(nèi)旋轉(zhuǎn),一邊自噴出噴嘴向所述基板的表面噴出處理液的基板處理裝置。自噴出噴嘴著落于基板的大致中央處的處理液利用伴隨基板的旋轉(zhuǎn)的離心力而在整個(gè)面擴(kuò)散,并自基板周緣向外側(cè)飛散。通過處理液在基板的整個(gè)面擴(kuò)散,而可使處理液作用于基板的整個(gè)面。作為處理液,采用與對于基板的處理相應(yīng)的藥液或清洗液等。
在此種基板處理裝置中,為了監(jiān)視是否適當(dāng)?shù)貒姵鲇刑幚硪海岢鲇性O(shè)置照相機(jī)的技術(shù)(專利文獻(xiàn)1~專利文獻(xiàn)5)。
另外,在半導(dǎo)體基板的制造工序中,殘留于所述基板的周緣端部上的各種膜有時(shí)會對基板的器件面帶來不良影響。
因此,自以前起便提出有用于自基板的周緣端部去除所述膜的斜面處理。在斜面處理中,通過一邊使基板在水平面內(nèi)旋轉(zhuǎn),一邊自噴出噴嘴向所述基板的端部噴出去除用處理液,而利用所述處理液將基板的周緣端部的膜去除。
[現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)]
[專利文獻(xiàn)]
[專利文獻(xiàn)1]日本專利特開2015-173148號公報(bào)
[專利文獻(xiàn)2]日本專利特開2017-29883號公報(bào)
[專利文獻(xiàn)3]日本專利特開2015-18848號公報(bào)
[專利文獻(xiàn)4]日本專利特開2016-122681號公報(bào)
[專利文獻(xiàn)5]日本專利特開2008-135679號公報(bào)
發(fā)明內(nèi)容
[發(fā)明所要解決的問題]
在斜面處理中,只要僅對基板的端部供給處理液即可,因此所述處理液的流量變少。即,自噴出噴嘴噴出的液柱狀的處理液變細(xì)。因此,所述液柱狀的處理液容易受到伴隨基板的旋轉(zhuǎn)的氣流、以及周圍產(chǎn)生的靜電等各種主要因素的影響,處理液的噴出狀態(tài)容易發(fā)生變動。
但是,在斜面處理中,噴出噴嘴與基板之間的間隔窄,因此,在對自噴出噴嘴噴出的液柱狀的處理液進(jìn)行拍攝時(shí),需要耗費(fèi)工夫。
因此,本申請的目的在于提供一種可對噴出至基板的端部的液柱狀的處理液進(jìn)行監(jiān)視的基板處理方法及基板處理裝置。
[解決問題的技術(shù)手段]
基板處理方法的第1實(shí)施方式包括:保持工序,使基板保持于基板保持部;旋轉(zhuǎn)工序,使所述基板保持部旋轉(zhuǎn)而使所述基板旋轉(zhuǎn);上升工序,使包圍所述基板保持部的外周的杯狀構(gòu)件上升,并使所述杯狀構(gòu)件的上端位于較保持于所述基板保持部的所述基板的上表面而言更高的上端位置;斜面處理工序,自位于較所述上端位置而言更低的位置的噴嘴的噴出口向保持于所述基板保持部的所述基板的上表面的端部噴出處理液;攝像工序,使照相機(jī)對作為包含自所述噴嘴的所述噴出口噴出的處理液的攝像區(qū)域且自保持于所述基板保持部的所述基板的上方的攝像位置看到的攝像區(qū)域進(jìn)行拍攝,取得攝像圖像;以及監(jiān)視工序,基于所述攝像圖像判定所述處理液的噴出狀態(tài)。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





