[發(fā)明專利]半導體結構

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• 申請日: 2019-09-29
• 公開（公告）號: CN111640779A
• 公開（公告）日: 2020-09-08
• 發(fā)明（設計）人: 童宇誠;賴惠先;林昭維;朱家儀
• 申請（專利權）人: 福建省晉華集成電路有限公司
• 主分類號: H01L29/06
• 分類號: H01L29/06
• 代理公司: 上海思捷知識產權代理有限公司 31295
• 代理人: 王宏婧

本發(fā)明提供了一種半導體結構。半導體結構中具有位于相鄰接觸墊之間的凹槽，并且填充在凹槽中的絕緣填充層是由至少兩個絕緣部構成的，從而能夠更為有效的緩解凹槽中的絕緣材料的內應力，有利于改善由于凹槽中的絕緣材料的高強度內應力而對其鄰近的半導體器件造成損傷的問題。

技術領域

本發(fā)明涉及半導體技術領域，特別涉及一種半導體結構。

背景技術

對于半導體工藝而言，內應力對半導體器件的可靠性有著重大的影響。尤其是，隨著半導體技術的不斷發(fā)展，半導體器件的尺寸不斷縮減，半導體結構中的內應力對半導體器件的影響也越來越明顯。通常而言，填充在凹槽中的材料在高溫制程中所產生的內應力更大，其更容易對鄰近的半導體器件造成影響。

發(fā)明內容

本發(fā)明的目的在于提供一種半導體結構，以解決現(xiàn)有的半導體結構中由于高強度內應力而容易對半導體器件造成損傷的問題。

為解決上述技術問題，本發(fā)明提供一種半導體結構，包括：

襯底，所述襯底中形成有至少一半導體器件和層間介質層，所述層間介質層覆蓋所述半導體器件；

至少兩個互連結構，所述互連結構包括接觸插塞和接觸墊，所述接觸插塞貫穿所述層間介質層并延伸至所述半導體器件，所述接觸墊覆蓋所述接觸插塞的頂部并延伸覆蓋部分所述層間介質層的頂表面；以及，

位于相鄰接觸墊之間的凹槽，所述凹槽還向下延伸停止于所述層間介質層中；以及，

絕緣填充層，填充在所述凹槽中，并且所述絕緣填充層包括至少兩個絕緣部。

可選的，所述絕緣填充層至少包括兩個第一絕緣部，所述兩個第一絕緣部覆蓋所述凹槽相對的兩個側壁，并且所述兩個第一絕緣部界定出一凹陷在所述凹槽的中間區(qū)域；以及，所述半導體結構還包括遮蓋層，所述遮蓋層覆蓋所述接觸墊和所述絕緣填充層，并填充所述凹陷。

可選的，所述凹陷的底部延伸至所述凹槽的底部，所述遮蓋層填充所述凹陷并延伸至所述凹槽的底部，并且所述遮蓋層對應于所述凹陷的部分中還形成有空。

可選的，所述半導體器件包括形成在襯底頂表面上的柵極導電層，所述層間介質層包括覆蓋所述柵極導電層頂表面的遮蔽層以及覆蓋所述柵極導電層側壁和所述遮蔽層側壁的側墻結構；其中，所述凹槽在高度方向上從相鄰的接觸墊之間向下延伸至所述遮蔽層中，所述凹槽在寬度方向上從所述遮蔽層橫向擴展至所述側墻結構中，并且所述凹槽的深度值不大于所述柵極導電層的高度值，所述凹槽的寬度尺寸大于所述柵極導電層的寬度尺寸。

可選的，所述絕緣填充層還包括第二絕緣部，所述第二絕緣部覆蓋所述凹槽的底部，并且所述第二絕緣部和所述第一絕緣部之間形成有空隙，所述空隙由凹槽的底壁和側壁相互連接的拐角處往所述凹陷的方向延伸。

可選的，所述凹陷的底部延伸至所述第二絕緣部，并使所述空隙與所述凹陷連通，以及所述遮蓋層填充所述凹陷并封閉所述第一空隙的開口。

可選的，所述半導體器件包括形成在襯底頂表面上的柵極導電層，所述層間介質層包括覆蓋所述柵極導電層頂表面的遮蔽層以及覆蓋所述柵極導電層側壁和所述遮蔽層側壁的側墻結構；其中，所述凹槽在高度方向上從相鄰的接觸墊之間向下延伸至所述遮蔽層中，所述凹槽在寬度方向上從所述遮蔽層橫向擴展至所述側墻結構中，并且所述凹槽的深度值不大于所述柵極導電層的高度值。

可選的，所述半導體器件包括形成在襯底頂表面上的柵極導電層，所述層間介質層包括覆蓋所述柵極導電層頂表面的遮蔽層以及覆蓋所述柵極導電層側壁和所述遮蔽層側壁的側墻結構；

其中，所述凹槽在高度方向上從相鄰的接觸墊之間向下延伸至所述遮蔽層中，所述凹槽在寬度方向上從所述遮蔽層橫向擴展至所述側墻結構中，并且所述凹槽的深度值大于所述柵極導電層的高度值。