[發(fā)明專利]暴露高指數(shù)面的氧化鐵十二面體納米晶體催化劑的制備方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201910935771.2 | 申請(qǐng)日: | 2019-09-29 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN110639521B | 公開(kāi)(公告)日: | 2022-05-17 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 王聰慧;朱傳銘;黎俊;吳生燾;劉平樂(lè);潘玉坤 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 湘潭大學(xué) |
| 主分類號(hào): | B01J23/745 | 分類號(hào): | B01J23/745;B01J35/10 |
| 代理公司: | 湘潭市匯智專利事務(wù)所(普通合伙) 43108 | 代理人: | 冷玉萍 |
| 地址: | 411105 湖*** | 國(guó)省代碼: | 湖南;43 |
| 權(quán)利要求書(shū): | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū): | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 暴露 指數(shù) 氧化鐵 十二 納米 晶體 催化劑 制備 方法 | ||
本發(fā)明公開(kāi)了暴露高指數(shù)面的氧化鐵十二面體納米晶體催化劑的制備方法。本發(fā)明先合成氧化鐵類立方體,然后利用不同的酸作為化學(xué)刻飾劑,對(duì)前期合成的具有不同形貌的氧化鐵類立方體進(jìn)行刻飾,對(duì)其形貌進(jìn)行二次修飾,將{1010}面這種極為特殊的晶面引入這些納米顆粒。由于母晶的形貌、尺寸、刻蝕時(shí)間等的不同,所得的納米顆粒形態(tài)也不相同。本發(fā)明將“自下而上”和“自上而下”兩種策略相結(jié)合,用于調(diào)控氧化鐵的形貌。這兩種策略均是合成中常用策略,基于這兩種策略中熱力學(xué)有利的方向控制晶體生長(zhǎng),得到了主要暴露{1010}面的氧化鐵納米晶體,得到的納米晶體形貌均一,且具有優(yōu)異的電化學(xué)性能。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及納米催化劑的制備,特別涉及暴露高指數(shù)面的氧化鐵十二面體納米晶體催化劑的制備方法。
背景技術(shù)
在無(wú)機(jī)材料中,赤鐵礦(α-Fe2O3)是一種重要的n型半導(dǎo)體材料,其特征在于豐富性,低成本,環(huán)境友好性,優(yōu)異的化學(xué)穩(wěn)定性和顯著的光吸收能力,其廣泛應(yīng)用于氣體傳感器,鋰離子電池,太陽(yáng)能水分解,光催化劑和廢水處理等領(lǐng)域。如何進(jìn)一步提高氧化鐵納米材料的性能和利用效率是該領(lǐng)域的關(guān)鍵問(wèn)題。納米催化劑的活性可通過(guò)調(diào)節(jié)其組成,尺寸,更重要的改變催化劑的形狀,即控制表面原子排列結(jié)構(gòu)來(lái)實(shí)現(xiàn)(參見(jiàn)文獻(xiàn):Nano Lett.,2004,4:1343-1348;CrystalComm.,2012,14:5107-5120)。
單晶模型催化劑的基礎(chǔ)研究指出,高指數(shù)面上含有高密度的臺(tái)階原子、扭結(jié)原子和表面懸掛鍵等結(jié)構(gòu)而具有優(yōu)于低指數(shù)面的性能(參見(jiàn)文獻(xiàn):Nature,1975,258,580-583)。因此,制備主要暴露高指數(shù)面的納米晶體是制備高活性和穩(wěn)定性的納米催化劑的重要途徑。例如,廈門(mén)大學(xué)等課題組利用水熱法合成了主要暴露{221}高能面的SnO2八面體,其顯示出優(yōu)異的氣敏性能(參見(jiàn)文獻(xiàn):Angew.chem.,2009,121,9344-9347)。然而,暴露高指數(shù)面的納米晶體往往很難制備出來(lái),這是由于高指數(shù)面往往具有高的表面能,導(dǎo)致其在晶體生長(zhǎng)過(guò)程中具有快的生長(zhǎng)速率而趨于消失。
高指數(shù)面的生長(zhǎng)與其制備條件密切相關(guān),因?yàn)楦咧笖?shù)面的制備是熱力學(xué)不利的,所以高指數(shù)面的合成通常條件苛刻且難以放大。截止目前,國(guó)內(nèi)外關(guān)于氧化鐵納米顆粒的晶面調(diào)控及其應(yīng)用的研究已有較多報(bào)道,例如,主要暴露{012}的類立方體,主要暴露{104}面的菱面體,主要暴露{001}面的六角片,主要暴露{113}的雙錐十二面體等氧化鐵多面體先后見(jiàn)諸報(bào)道。
制備暴露高指數(shù)面的納米晶體最常用的策略是通過(guò)配體在晶面的選擇性吸附改變其表面能,實(shí)現(xiàn)其生長(zhǎng)速率的調(diào)變,從而得到暴露高指數(shù)面的納米晶體。然而截止目前,尚沒(méi)有可靠的方法可以指導(dǎo)選擇合適的配體用于高指數(shù)面的合成,導(dǎo)致高指數(shù)面的調(diào)控具有很大的偶然性。且有些配體離子難以完全除去,對(duì)其晶面活性產(chǎn)生干擾。
通過(guò)生長(zhǎng)條件的控制實(shí)現(xiàn)對(duì)晶體生長(zhǎng)動(dòng)力學(xué)的調(diào)變,也可以實(shí)現(xiàn)選擇性的高能面,然而晶體的生長(zhǎng)過(guò)程對(duì)條件敏感,任何晶體生長(zhǎng)條件的改變均可能導(dǎo)致產(chǎn)物形貌的改變,這導(dǎo)致實(shí)驗(yàn)室的合成往往很難放大生產(chǎn)。
發(fā)明內(nèi)容
針對(duì)上述問(wèn)題,本發(fā)明提供暴露高指數(shù)面的氧化鐵十二面體納米晶體催化劑的制備方法。
本發(fā)明的技術(shù)方案為:
暴露高指數(shù)面的氧化鐵十二面體納米晶體催化劑的制備方法,包括如下步驟:
(1)氧化鐵類立方體的合成,按硝酸鐵與乙酸銨的物質(zhì)的量之比為0.02~0.20,將鐵鹽與銨鹽溶解于蒸餾水中,在超聲波處理8~30分鐘后,將溶液轉(zhuǎn)移到反應(yīng)器中,150~200℃反應(yīng)18~30h,冷卻至室溫,倒出上清液,用蒸餾水和無(wú)水乙醇分別洗滌2~5次,然后進(jìn)行干燥,所得固體即為主要暴露{012}面的氧化鐵類立方體納米顆粒;
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