[發(fā)明專利]發(fā)光器件和顯示裝置

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201910935140.0
• 申請(qǐng)日: 2019-09-29
• 公開（公告）號(hào): CN110649172A
• 公開（公告）日: 2020-01-03
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 焦志強(qiáng);柳在一
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 京東方科技集團(tuán)股份有限公司
• 主分類號(hào): H01L51/50
• 分類號(hào): H01L51/50;H01L51/52;H01L27/32
• 代理公司: 11330 北京市立方律師事務(wù)所
• 代理人: 張?bào)銓?宋海斌

本申請(qǐng)?zhí)峁┝艘环N發(fā)光器件和顯示裝置。該發(fā)光器件包括：依次設(shè)置的基板、陽(yáng)極、空穴注入層、第一空穴傳輸層、第一電子阻擋層、第一發(fā)光層、第一電子傳輸層、電子注入層以及陰極。發(fā)光器件還包括：第一緩沖阻擋層，設(shè)置在第一發(fā)光層和電子注入層之間，用于阻擋預(yù)設(shè)金屬原子擴(kuò)散至發(fā)光器件中的第一發(fā)光層。本申請(qǐng)中第一緩沖阻擋層可以用于阻擋預(yù)設(shè)金屬原子(例如，鋰原子)擴(kuò)散至發(fā)光器件中的第一發(fā)光層、以及第一發(fā)光層與其它層之間的界面，大大降低預(yù)設(shè)金屬原子形成猝滅中心以及影響界面特性的幾率，而且電荷可以通過隧穿效應(yīng)穿過第一緩沖阻擋層，在不影響發(fā)光器件的電荷傳輸?shù)耐瑫r(shí)，可提升發(fā)光器件的發(fā)光效率和壽命。

技術(shù)領(lǐng)域

本申請(qǐng)涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，具體為一種發(fā)光器件和顯示裝置。

背景技術(shù)

隨著科學(xué)技術(shù)的進(jìn)步，液晶顯示器因?yàn)槠潴w積小以及重量輕的優(yōu)點(diǎn)，已經(jīng)逐漸取代傳統(tǒng)的體積較為龐大的陰極射線顯示器，已被廣泛地應(yīng)用于顯示器、筆記本電腦、平板電視、數(shù)碼相機(jī)等電子產(chǎn)品。

傳統(tǒng)的有機(jī)發(fā)光二極管(Organic Light Emitting Diode，OLED)顯示裝置由于具有自發(fā)光功能、無需背光模組、對(duì)比度以及清晰度高等一系列優(yōu)異特性，已經(jīng)成為新一代平面顯示裝置的重點(diǎn)發(fā)展方向之一，因此日益受到越來越多的關(guān)注。盡管OLED制造技術(shù)已經(jīng)較為成熟，但是，OLED中發(fā)光器件的性能仍然是制約其走向大規(guī)模應(yīng)用和提高競(jìng)爭(zhēng)力的一個(gè)關(guān)鍵問題。

具體而言，影響OLED中的發(fā)光器件發(fā)光效率的因素通常有:發(fā)光器件中存在淬滅中心導(dǎo)致激子不發(fā)光比例增加等。因此，如何能讓OLED發(fā)光材料在器件中發(fā)揮出其最大的性能有待于進(jìn)一步開發(fā)。

影響OLED中的發(fā)光器件壽命的因素主要有：器件中兩種材料之間形成的界面不穩(wěn)定，有機(jī)電致發(fā)光器件通常包含氧化銦錫(ITO)透明導(dǎo)電陽(yáng)極/發(fā)光層；發(fā)光層/發(fā)光層；發(fā)光層/金屬三種界面，發(fā)光器件在工作時(shí)引起的任何一個(gè)界面的特性變化及失效都會(huì)影響器件的壽命，高活性金屬原子擴(kuò)散至發(fā)光層中，形成發(fā)光中心淬滅，導(dǎo)致器件壽命快速衰減。

發(fā)明內(nèi)容

有鑒于此，本申請(qǐng)?zhí)峁┮环N發(fā)光器件和顯示裝置，解決現(xiàn)有技術(shù)中由于活潑金屬原子擴(kuò)散至發(fā)光層、或發(fā)光層與其它層之間的界面中，形成猝滅中心或影響界面特性，容易導(dǎo)致發(fā)光器件發(fā)光效率或壽命低下的技術(shù)問題。

為了解決上述問題，本申請(qǐng)實(shí)施例主要提供如下技術(shù)方案：

在第一方面中，本申請(qǐng)實(shí)施例公開了一種發(fā)光器件，包括：依次設(shè)置的基板、陽(yáng)極、空穴注入層、第一空穴傳輸層、第一電子阻擋層、第一發(fā)光層、第一電子傳輸層、電子注入層以及陰極；

發(fā)光器件還包括：第一緩沖阻擋層，設(shè)置在所述第一發(fā)光層和所述電子注入層之間，用于阻擋預(yù)設(shè)金屬原子擴(kuò)散至所述發(fā)光器件中的第一發(fā)光層。

可選地，所述第一發(fā)光層為第一顏色發(fā)光層、第二顏色發(fā)光層或第三顏色發(fā)光層中的至少一種。

可選地，在所述第一電子傳輸層和所述第一緩沖阻擋層之間設(shè)置有N型電荷生成層，以及所述第一緩沖阻擋層與所述電子注入層之間依次設(shè)置有P型電荷生成層、第二空穴傳輸層、第二電子阻擋層、第二發(fā)光層和第二電子傳輸層。

可選地，所述發(fā)光器件還包括：在所述第一緩沖阻擋層和所述電子注入層之間依次設(shè)置有N型電荷生成層、P型電荷生成層、第二空穴傳輸層、第二電子阻擋層、第二發(fā)光層和第二電子傳輸層。

可選地，所述發(fā)光器件還包括：第二緩沖阻擋層，設(shè)置在所述N型電荷生成層和所述P型電荷生成層之間。

可選地，若所述第一緩沖阻擋層和所述第二緩沖阻擋層的材料都為所述無機(jī)材料，所述無機(jī)材料為三氧化鉬,氧化鋯、氧化鍶、氟化鋰、氯化鈉、氯化鉀中的一種。

可選地，所述第一緩沖阻擋層和所述第二緩沖阻擋層的厚度為0.1納米～20納米。