[發(fā)明專利]一種MEMS芯片以及電子設備有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201910935020.0 | 申請日： | 2019-09-29 |
| 公開（公告）號： | CN110708649B | 公開（公告）日： | 2020-12-18 |
| 發(fā)明（設計）人： | 劉波;吳安生 | 申請（專利權(quán)）人： | 濰坊歌爾微電子有限公司 |
| 主分類號： | H04R19/04 | 分類號： | H04R19/04 |
| 代理公司： | 北京博雅睿泉專利代理事務所(特殊普通合伙) 11442 | 代理人： | 王昭智 |
| 地址： | 261061 山東省濰坊市高新區(qū)新城*** | 國省代碼： | 山東;37 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 mems 芯片 以及 電子設備 | ||
1.一種MEMS芯片，其特征在于：包括具有背腔的襯底、設置在所述襯底上的背極和感應膜，所述背極和所述感應膜位于所述背腔上，所述背極和所述感應膜構(gòu)成電容結(jié)構(gòu)，所述感應膜包括與所述背腔相對的有效區(qū)、設置在所述有效區(qū)外側(cè)的無效區(qū)以及位于所述有效區(qū)和所述無效區(qū)之間的隔離區(qū)，所述隔離區(qū)包括分別與所述有效區(qū)和所述無效區(qū)連接的兩個絕緣環(huán)，以及連接在兩個所述絕緣環(huán)之間的緩沖區(qū)，兩個所述絕緣環(huán)圍繞所述有效區(qū)設置。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的MEMS芯片，其特征在于：所述絕緣環(huán)的材質(zhì)為氮化硅或者氮氧化硅。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的MEMS芯片，其特征在于：所述緩沖區(qū)的材質(zhì)與所述有效區(qū)的材質(zhì)相同。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的MEMS芯片，其特征在于：所述無效區(qū)與所述背極是導通的。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的MEMS芯片，其特征在于：所述無效區(qū)與所述襯底是導通的。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的MEMS芯片，其特征在于：所述背極包括導通層和位于所述導通層的至少一個表面的加強層，所述導通層與所述加強層復合在一起。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的MEMS芯片，其特征在于：所述絕緣環(huán)為圓環(huán)。
8.根據(jù)權(quán)利要求1-7中的任意一項所述的MEMS芯片，其特征在于：所述感應膜為兩個，并且分別位于所述背極的上、下側(cè)；兩個所述感應膜分別與所述背極形成電容結(jié)構(gòu)。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的MEMS芯片，其特征在于：在所述襯底上埋設有多個焊盤，多個所述焊盤通過位于所述襯底內(nèi)的導體分別與所述背極、所述襯底、感應膜連接。
10.根據(jù)權(quán)利要求1-7中的任意一項所述的MEMS芯片，其特征在于：所述隔離區(qū)包括比鄰設置的兩個端部，兩個所述端部沿徑向延伸，所述有效區(qū)向外延伸，以形成導通部，所述導通部位于兩個所述端部之間，兩個端部和所述導通部一起穿過所述無效區(qū)。
11.一種電子設備，其特征在于：包括如權(quán)利要求1-10中的任意一項所述的MEMS芯片。
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