[發明專利]一種石墨烯包覆納米銅的方法在審
| 申請號： | 201910934222.3 | 申請日： | 2019-09-29 |
| 公開（公告）號： | CN110666158A | 公開（公告）日： | 2020-01-10 |
| 發明（設計）人： | 崔成強;匡自亮;葉懷宇;張國旗 | 申請（專利權）人： | 深圳第三代半導體研究院 |
| 主分類號： | B22F1/02 | 分類號： | B22F1/02;B22F1/00;C23C16/26;C23C16/455;C23C16/56;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 11226 北京中知法苑知識產權代理事務所(普通合伙) | 代理人： | 閻冬;李明 |
| 地址： | 510006 廣東省深圳市*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 納米銅 石墨烯 包覆的 生長 導熱性 大規模工業化生產 化學氣相沉積 納米銅顆粒 氣體反應物 石墨烯薄膜 保護氣體 互連材料 還原氣體 抗氧化性 氣體配比 石墨烯層 有效控制 制備工藝 包覆 單層 固晶 射頻 制備 半導體 激光 | ||
1.一種石墨烯包覆納米銅的方法，其特征在于：包括
S1、將納米銅顆粒進行有機溶劑清洗后置于去離子水中清洗并于40-100℃烘干；
S2、將烘干的納米銅顆粒均勻置于CVD反應爐中，持續通入惰性氣體3～5min，抽真空至10～50pa；
S3、通入體積比為1～4:1，流速為0.05L/min～1L/min的碳源氣體與還原性氣體的混合氣體，調節反應爐壓強至50～200pa，溫度為650～900℃，旋轉CVD反應爐，反應時間為0.1h～0.5h；
S4、400～550℃下退火0.2h～0.4h；
S5、停止通入所述混合氣體，將所述CVD反應爐冷卻至室溫。
2.根據權利要求1所述的一種石墨烯包覆納米銅的方法，其特征在于：通過改變碳源的加入量和氣體配比調節石墨烯層數、厚度和均勻性。
3.根據權利要求1所述的一種石墨烯包覆納米銅的方法，其特征在于：所述S1中有機溶劑清洗方式為超聲清洗3-5min。
4.根據權利要求1所述的一種石墨烯包覆納米銅的方法，其特征在于：所述S1中去離子水清洗方式為超聲清洗1-3min。
5.根據權利要求1所述的一種石墨烯包覆納米銅的方法，其特征在于：所述S1有機溶劑為乙醇、丙酮或異丙醇。
6.根據權利要求1所述的一種石墨烯包覆納米銅的方法，其特征在于：所述S2中惰性氣體為Ar或He；所述還原性氣體為H2；所述惰性氣體流量為500～1500mL/min。
7.根據權利要求1所述的一種石墨烯包覆納米銅的方法，其特征在于：所述S3中碳源氣體包括甲烷、乙烯或乙炔。
8.根據權利要求1-7所述方法制備的石墨烯包覆的納米銅。
9.根據權利要求8所述方法制備的石墨烯包覆的納米銅，其特征在于：所述納米銅為球狀或橢球狀；所述納米銅顆粒直徑為10～500nm。
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