[發明專利]一種具有高諧波抑制的5G大頻率比天線在審
| 申請號: | 201910930914.0 | 申請日: | 2019-09-29 |
| 公開(公告)號: | CN110600870A | 公開(公告)日: | 2019-12-20 |
| 發明(設計)人: | 涂治紅;聶娜 | 申請(專利權)人: | 華南理工大學 |
| 主分類號: | H01Q1/36 | 分類號: | H01Q1/36;H01Q1/38;H01Q1/48;H01Q1/50;H01Q5/20;H01Q21/00;H01Q21/06;H01Q15/00 |
| 代理公司: | 44245 廣州市華學知識產權代理有限公司 | 代理人: | 馮炳輝 |
| 地址: | 510640 廣*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 毫米波 介質基板 啞鈴形 連接線 金屬地板 貼片陣列 微帶 介質基板上表面 寄生貼片 短路柱 饋電線 下表面 毫米波頻段 饋電結構 微波輻射 微波頻段 諧波抑制 高諧波 開路線 頻率比 槽縫 復用 刻蝕 天線 對開 穿過 應用 | ||
1.一種具有高諧波抑制的5G大頻率比天線,其特征在于:包括第一介質基板、第二介質基板、第三介質基板、毫米波貼片陣列、短路柱、微帶連接線、金屬地板、啞鈴形縫隙、T形枝節、寄生貼片、饋電線和兩對不同長度的開路線;所述第一介質基板、第二介質基板、第三介質基板疊置在一起,該第二介質基板位于第一介質基板和第三介質基板之間,用于隔開第一介質基板和第三介質基板;所述毫米波貼片陣列設在第一介質基板的上表面;所述微帶連接線設在第一介質基板的下表面;所述短路柱的數量與毫米波貼片陣列中的毫米波貼片數量相一致,且一個短路柱對應一個毫米波貼片,所述短路柱穿過第一介質基板將毫米波貼片陣列與微帶連接線相連;所述金屬地板設在第三介質基板的上表面,所述啞鈴形縫隙從金屬地板上刻蝕得到,其中該啞鈴形縫隙在微波頻段能夠作為輻射結構使用,而在毫米波頻段能夠作為饋電結構使用;所述T形枝節和啞鈴形縫隙相連;所述寄生貼片有兩個分別設在啞鈴形縫隙兩端的槽縫中;所述饋電線和兩對不同長度的開路線、分別設在第三介質基板的下表面,且在該饋電線的左右兩側對稱分布有一個短的開路線和一個長的開路線,該短的開路線和長的開路線與饋電線彼此平行,該短的開路線位于長的開路線和饋電線之間,所述毫米波貼片陣列以饋電線為對稱軸分成兩部分呈左右鏡像對稱,所述啞鈴形縫隙與饋電線相互垂直,且該啞鈴形縫隙的兩端、兩個寄生貼片及T形枝節的橫向部分均以饋電線為對稱軸呈左右鏡像對稱。
2.根據權利要求1所述的一種具有高諧波抑制的5G大頻率比天線,其特征在于:所述毫米波貼片的數量為4的n次方,n是不為0的自然數。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于華南理工大學,未經華南理工大學許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201910930914.0/1.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇:一種微帶天線及移動終端
- 下一篇:微帶平面天線





