[發(fā)明專利]一種粒度分布自適應(yīng)采樣非負(fù)TSVD動態(tài)光散射反演方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201910930174.0
• 申請日: 2019-09-29
• 公開（公告）號: CN110595962B
• 公開（公告）日: 2021-11-30
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 王雅靜;申晉;劉偉;陳文鋼;馬立修;袁曦;劉振明;牟彤彤
• 申請（專利權(quán)）人: 山東理工大學(xué)
• 主分類號: G01N15/02
• 分類號: G01N15/02
• 代理公司: 淄博佳和專利代理事務(wù)所(普通合伙) 37223
• 代理人: 孫愛華

1.一種粒度分布自適應(yīng)采樣非負(fù)截斷奇異值TSVD動態(tài)光散射反演方法，其特征在于：包括如下步驟：

步驟1001，確定初始參數(shù)；

步驟1002，利用非負(fù)截斷奇異值正則化反演顆粒的粒度分布；

步驟1003，重構(gòu)電場自相關(guān)函數(shù)，并與電場自相關(guān)函數(shù)的實測值求得電場自相關(guān)函數(shù)殘差；

步驟1004，保存步驟1003中求得的電場自相關(guān)函數(shù)殘差；

步驟1005，增加粒度分布采樣點數(shù)值；

步驟1006，當(dāng)前粒度分布采樣點數(shù)是否滿足觸發(fā)條件，如果滿足觸發(fā)條件，執(zhí)行步驟1007，如果不滿足觸發(fā)條件，返回執(zhí)行步驟1002～步驟1005；

步驟1007，求得電場自相關(guān)函數(shù)殘差的最小值；

步驟1008，得到電場自相關(guān)函數(shù)殘差最小值對應(yīng)的最優(yōu)采樣點數(shù)；

步驟1009，得到最優(yōu)采樣點數(shù)對應(yīng)的顆粒的粒度分布；

步驟1006中所述的觸發(fā)條件為：粒度分布采樣點數(shù)大于相關(guān)函數(shù)通道數(shù)；

步驟1001中所述的初始參數(shù)為：粒度分布點點數(shù)s的初始值為s＝30，步長l＝5；

步驟1007中所述電場自相關(guān)函數(shù)殘差最小值的表達式為：

RES_min＝min(||g(τ_s)-g₁(τ)||₂)

式中，s表示采樣點數(shù)，g(τ_s)＝A_sPSD_s表示重構(gòu)電場自相關(guān)函數(shù)，g₁(τ)表示實測的電場自相關(guān)函數(shù)。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的粒度分布自適應(yīng)采樣非負(fù)截斷奇異值TSVD動態(tài)光散射反演方法，其特征在于：步驟1005中，粒度分布采樣點數(shù)值的增加量為一個步長的數(shù)值。