[發明專利]物理氣相沉積設備及其方法

有效

• 申請號: 201910926708.2
• 申請日: 2019-09-27
• 公開（公告）號: CN110965033B
• 公開（公告）日: 2022-12-23
• 發明（設計）人: 王嘉熙;何昆哲;陳彥羽
• 申請（專利權）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: C23C14/35
• 分類號: C23C14/35
• 代理公司: 北京律誠同業知識產權代理有限公司 11006
• 代理人: 徐金國

1.一種物理氣相沉積方法，其特征在于，該物理氣相沉積方法包含以下步驟：

通過一樞接機構移動一靶材的一背側上方的一第一磁性體，使整個該第一磁性體朝向遠離該靶材的方向傾斜，該第一磁性體與該靶材的背表面之間具有一傾斜角，其中該傾斜角大于0度且小于或等于2度，該第一磁性體通過一第一臂組件的一第一部分樞接于該樞接機構，而一配重通過該第一臂組件的一第二部分樞接于該樞接機構，當移動該第一磁性體使該第一磁性體朝向遠離該靶材的方向傾斜時，該配重靜置于該靶材的該背側；

在延伸穿過該靶材的一軸線的徑向上移動該第一磁性體；

在該軸線的徑向上移動該配重；

在該軸線的徑向上移動該第一磁性體、該配重，以及使該第一磁性體相對于該靶材傾斜之后，繞著該軸線移動該第一磁性體，在繞著該軸線移動該第一磁性體時，該傾斜角為固定的；

產生包括帶電離子的一電漿；以及

吸引所述帶電離子以轟擊該靶材，使得粒子自該靶材射出并沉積在一晶圓的一表面上方。

2.根據權利要求1所述的物理氣相沉積方法，其特征在于，還包含以下步驟：

繞著該軸線移動該靶材的該背側上方的一第二磁性體。

3.根據權利要求1所述的物理氣相沉積方法，其特征在于，還包含以下步驟：

在該軸線的徑向上移動該靶材的該背側上方的一第二磁性體。

4.根據權利要求1所述的物理氣相沉積方法，其特征在于，還包含以下步驟：

使該靶材的該背側上方的一第二磁性體傾斜。

5.根據權利要求1所述的物理氣相沉積方法，其特征在于，其中通過一靶材固持器固持該靶材，且執行使該第一磁性體傾斜，使得在該第一磁性體傾斜之后該第一磁性體的一底表面與該靶材固持器的一頂表面之間的一距離大于0mm且小于或等于3mm。

6.一種物理氣相沉積方法，其特征在于，該物理氣相沉積方法包含以下步驟：

在一軸線的一第一徑向方向上移動一靶材的一背側上方的一第一磁性體，其中該軸線延伸穿過該靶材；

通過一樞接機構移動該第一磁性體，使整個該第一磁性體朝向遠離該靶材的方向傾斜，該第一磁性體通過一第一臂組件的一第一部分樞接于該樞接機構，而一第一配重通過該第一臂組件的一第二部分樞接于該樞接機構，當移動該第一磁性體使整個該第一磁性體朝向遠離該靶材的方向傾斜時，該第一配重靜置于該靶材的該背側；

在該軸線的一第二徑向方向上移動該靶材的該背側上方的一第二磁性體，其中該第二磁性體比該第一磁性體更靠近該軸線；

在與該第一徑向方向相對的一第三徑向方向上移動連接至該第一磁性體的該第一配重；

在使該第一磁性體相對于該靶材傾斜、在該第一徑向方向上移動該第一磁性體、在該第二徑向方向上移動該第二磁性體，及在該第三徑向方向上移動該第一配重之后，繞著該軸線移動該第一磁性體及該第二磁性體，在繞著該軸線移動該第一磁性體及該第二磁性體時，該第一磁性體及該第二磁性體的傾斜角為固定的；

產生包括帶電離子的一電漿；以及

吸引所述帶電離子以轟擊該靶材，使得粒子自該靶材射出并沉積在一晶圓的一表面上方。

7.根據權利要求6所述的物理氣相沉積方法，其特征在于，該物理氣相沉積方法還包含在與該第二徑向方向相對的一第四徑向方向上移動連接至該第二磁性體的一第二配重。