[發(fā)明專利]光阻組成物及形成光阻圖案的方法

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• 申請日: 2019-09-27
• 公開（公告）號: CN110955112A
• 公開（公告）日: 2020-04-03
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 劉朕與;張慶裕;林進祥
• 申請（專利權(quán)）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: G03F7/004
• 分類號: G03F7/004;G03F7/16
• 代理公司: 北京律誠同業(yè)知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11006
• 代理人: 徐金國

1.一種形成光阻圖案的方法，其特征在于，包含：

形成一上方層于一基板上的一光阻層上方，該上方層包含一硅氧烷聚合物；

選擇性曝光該光阻層至一光化輻射；

顯影該光阻層，以在該光阻層中形成一圖案；以及

移除該上方層。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，其中該硅氧烷聚合物包含選自以下的一或多種單體：

其中R8、R11、R12、R15、及R16為相同或不同，且為任何C2至C20有機基團或任何氟取代的C2至C20有機基團；以及

其中R1、R2、R3、R4、R5、R6、R7、R9、R10、R13、及R14為相同或不同，且為H、C1至C6烷基、或氟取代的C1至C6烷基。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，其中以該上方層的總重量計，該上方層含有至少5wt.％的該硅氧烷聚合物。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，還包含在顯影該光阻層之后，執(zhí)行一去浮渣操作。

5.一種形成光阻圖案的方法，其特征在于，包含：

設(shè)置一漂浮添加物聚合物及一光阻的一混合物于一基板上方；

旋轉(zhuǎn)該基板，該基板具有設(shè)置于其上的該混合物，其中該漂浮添加物聚合物與該光阻分離并上升至該混合物的一上部以形成一上方層，該上方層包含設(shè)置于一光阻層上方的該漂浮添加物聚合物；

選擇性曝光該光阻層至一光化輻射；

顯影該光阻層，以在該光阻層中形成一圖案；以及

移除該上方層，其中該漂浮添加物聚合物為一硅氧烷聚合物。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法，其特征在于，其中該硅氧烷聚合物包含選自以下的一或多種單體：

其中R8、R11、R12、R15、及R16為相同或不同，且為任何C2至C20有機基團或任何氟取代的C2至C20有機基團；以及

其中R1、R2、R3、R4、R5、R6、R7、R9、R10、R13、及R14為相同或不同，且為H、C1至C6烷基、或氟取代的C1至C6烷基。

7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法，其特征在于，其中該光阻層包括金屬氧化物納米粒子。

8.根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法，其特征在于，其中該上方層的該漂浮添加物聚合物的一濃度高于該光阻層。

9.根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法，其特征在于，還包含在顯影該光阻層之后執(zhí)行一去浮渣操作。

10.一種光阻組成物，其特征在于，包含：

一光阻材料；以及

一硅氧烷聚合物，包含選自以下的一或多種單體：

其中R8、R11、R12、R15、及R16為相同或不同，且為任何C2至C20有機基團或任何氟取代的C2至C20有機基團；以及

其中R1、R2、R3、R4、R5、R6、R7、R9、R10、R13、及R14為相同或不同，且為H、C1至C6烷基、或氟取代的C1至C6烷基。