[發(fā)明專利]一種用于DOE完整性監(jiān)測的封裝方法及監(jiān)測裝置在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201910926090.X | 申請日: | 2019-09-27 |
| 公開(公告)號: | CN110702381A | 公開(公告)日: | 2020-01-17 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 李安;陳馳;蔣建華 | 申請(專利權(quán))人: | 深圳市安思疆科技有限公司 |
| 主分類號: | G01M11/02 | 分類號: | G01M11/02;G01R31/00;G02B5/18 |
| 代理公司: | 33224 杭州天勤知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 | 代理人: | 胡紅娟 |
| 地址: | 518000 廣東省深圳市南*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 基底晶 晶圓 光電技術(shù)領(lǐng)域 完整性監(jiān)測 光刻工序 光刻工藝 光刻膠層 監(jiān)測裝置 金屬標(biāo)記 金屬沉積 金屬焊盤 金屬線路 上金屬層 預(yù)定圖案 制造成本 金屬層 微結(jié)構(gòu) 掩膜板 噴涂 焊盤 面基 整片 制程 封裝 切割 制作 | ||
本發(fā)明公開了一種用于DOE完整性監(jiān)測的封裝方法及監(jiān)測裝置,屬于光電技術(shù)領(lǐng)域,包括以下步驟:1)在基底晶圓上制作若干DOE單元的微結(jié)構(gòu);2)在整面基底晶圓的表面采用金屬沉積PVD工藝鍍上金屬層;3)在金屬層上噴涂光刻膠層,并蓋上預(yù)定圖案的掩膜板,再經(jīng)過光刻工序進(jìn)行處理,得到金屬線路、金屬焊盤和金屬標(biāo)記;4)在整片基底晶圓的上方蓋上一片cover晶圓;5)對步驟4)得到的整體進(jìn)行切割,得到若干DOE單元。只需要一道光刻工藝,線路、焊盤和標(biāo)記mark可以一起完成。大大簡化了工藝制程,降低了制造成本。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及光電技術(shù)領(lǐng)域,具體地說,涉及一種用于DOE完整性監(jiān)測的封裝方法及監(jiān)測裝置。
背景技術(shù)
攝像頭和投影器已經(jīng)非常廣泛的應(yīng)用于各種電子產(chǎn)品中。例如,在常見的各類智能手機(jī)、平板以及個人電腦等產(chǎn)品中,攝像頭幾乎已經(jīng)是不可或缺的器件。而近年來,將微型投影器同樣集成在這些電子產(chǎn)品中,已經(jīng)成為趨勢。
這些投影器帶來的功能可以大大地豐富用戶的體驗(yàn),提升產(chǎn)品競爭力。例如,投影器可以用在3D結(jié)構(gòu)光模組中,投影出特定圖案,再配合接收器(例如攝像頭)和特定的算法,可以實(shí)現(xiàn)對三維場景的精準(zhǔn)建模,因此可以用來做手勢識別、體勢識別、三維場景建模以及人臉識別。尤其是3D人臉識別,相對于2D的人臉識別,由于增加了一維的信息,在體驗(yàn)和安全性等方面是后者無法比擬的。同樣,相對于傳統(tǒng)的生物識別,例如指紋識別,3D人臉識別的可靠性和安全性也要明顯更優(yōu)。
衍射光學(xué)元件(DOE)由于其特殊的光學(xué)性能,已經(jīng)開始廣泛地應(yīng)用于各種微型投影器中,DOE可以使得投影器在投射出相同效果圖案的同時(shí),能降低投影器的尺寸,減少生產(chǎn)成本,這就使得將投影器集成在廣泛使用的便攜式移動終端,例如智能手機(jī)等產(chǎn)品中,成為實(shí)際可行。
一般來講,DOE是一種相對復(fù)雜的微納無源光學(xué)器件,正常情況下它可以實(shí)現(xiàn)對單光束的分裂,即一束光通過DOE后會被分裂成若干束光,DOE大體可以被分為兩類,一類是振幅型,一類是相位型,由于振幅型DOE會對光能造成損失,且當(dāng)DOE的微結(jié)構(gòu)尺寸要求非常精細(xì)時(shí)不易制造,因此當(dāng)前廣泛使用的是相位型DOE。其中相位型DOE按微結(jié)構(gòu)的排布又可以分成周期型和隨機(jī)型,其中周期性的DOE的微結(jié)構(gòu)有重復(fù)性的排布;而隨機(jī)型的DOE微結(jié)構(gòu)的排布沒有一定規(guī)律。
無論何種DOE,當(dāng)其微結(jié)構(gòu)遭到破壞失去完整性時(shí),光束經(jīng)過DOE的衍射會被破壞,造成光束無法按照預(yù)設(shè)的方式分離成若干束,而使得某一出射光束的能量變強(qiáng),一般是零級衍射光變強(qiáng),所以在針對人等生物的應(yīng)用中可能造成傷害,例如過強(qiáng)的光能量會導(dǎo)致視網(wǎng)膜燒傷。因此,對于DOE狀態(tài)的監(jiān)控在很多產(chǎn)品中是必不可少的,傳統(tǒng)的監(jiān)控方式是通過簡單地監(jiān)測DOE反射光強(qiáng)來間接推斷DOE的狀態(tài),例如衍射被破壞時(shí),反射光強(qiáng)會發(fā)生一定的變化,這種方式的監(jiān)控精度較低,如專利CN207096666U、CN10778336A、CN108088656A等;還有就是通過導(dǎo)電薄膜,如ITO,構(gòu)造出電阻或電容的結(jié)構(gòu)來封裝、監(jiān)測DOE狀態(tài),該DOE監(jiān)控的工藝制程較復(fù)雜,制造成本高。
以上背景技術(shù)內(nèi)容的公開僅用于輔助理解本發(fā)明的構(gòu)思及技術(shù)方案,其并不必然屬于本專利申請的現(xiàn)有技術(shù),在沒有明確的證據(jù)表明上述內(nèi)容在本專利申請的申請日已經(jīng)公開的情況下,上述背景技術(shù)不應(yīng)當(dāng)用于評價(jià)本申請的新穎性和創(chuàng)造性。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的為提供一種用于DOE完整性監(jiān)測的封裝方法及監(jiān)測裝置,使得工藝制程大大地簡化,制造成本更低。
為了實(shí)現(xiàn)上述目的,本發(fā)明提供的一種用于DOE完整性監(jiān)測的封裝方法包括以下步驟:
1)在基底晶圓上制作若干DOE單元的微結(jié)構(gòu);
2)在整面基底晶圓的表面采用金屬沉積PVD工藝鍍上金屬層;
3)在金屬層上噴涂光刻膠層,并蓋上預(yù)定圖案的掩膜板,再經(jīng)過光刻工序進(jìn)行處理,得到金屬線路、金屬焊盤和金屬標(biāo)記;
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于深圳市安思疆科技有限公司,未經(jīng)深圳市安思疆科技有限公司許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請聯(lián)系【客服】
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