[發(fā)明專利]半導(dǎo)體裝置

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201910925653.3
• 申請日: 2019-09-27
• 公開（公告）號: CN111029314B
• 公開（公告）日: 2023-09-08
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 大鳥太地
• 申請（專利權(quán)）人: 三菱電機株式會社
• 主分類號: H01L23/367
• 分類號: H01L23/367;H01L23/04;H01L23/467;H01L23/64
• 代理公司: 北京天昊聯(lián)合知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11112
• 代理人: 何立波;張?zhí)焓?/td>

目的在于提供能夠提高分流電阻所產(chǎn)生的熱的散熱性的技術(shù)。半導(dǎo)體裝置具備：容器體(1)，其具有開口的空間；半導(dǎo)體芯片(2)、分流電阻(4)及電路圖案(5)，它們配置于容器體(1)內(nèi)的空間內(nèi)；分隔部件(11)；第1蓋部(16a)；以及第2蓋部(16b)。分隔部件(11)將容器體(1)的空間分離成第1空間(1e)和第2空間(1f)。第1蓋部(16a)覆蓋開口中的與第1空間(1e)相對應(yīng)的部分，第2蓋部(16b)覆蓋開口中的與第2空間(1f)相對應(yīng)的部分。第2蓋部(16b)形成將第2空間(1f)與容器體(1)外部連通的至少1個孔(18)。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及具備分流電阻的半導(dǎo)體裝置。

背景技術(shù)

近年來，內(nèi)置了能夠高精度地對電路電流進行檢測的分流電阻的半導(dǎo)體裝置被應(yīng)用于各種裝置。分流電阻的溫度通過通電而上升，因此能夠使用的分流電阻被對分流電阻等進行封裝的封裝材料的耐熱溫度制約。因此，例如，就在幾百安培數(shù)量級下使用的半導(dǎo)體裝置而言，通過增多分流電阻的個數(shù)而使散熱效果提高，但作為其結(jié)果，產(chǎn)生裝置尺寸大型化這一另外的問題。就專利文獻1的技術(shù)而言，為了解決能夠使用的分流電阻被封裝材料的耐熱溫度制約這一問題，設(shè)置有用于將分流電阻與其它結(jié)構(gòu)要素分離的壁等。

專利文獻1：日本特開平4-162489號公報

就專利文獻1的技術(shù)而言，分流電阻未由封裝材料封裝，而是設(shè)置于殼體的空間內(nèi)。但是，由于該空間完全地密閉，因此存在分流電阻所產(chǎn)生的熱的散熱性較低這一問題。

發(fā)明內(nèi)容

因此，本發(fā)明就是鑒于上述這樣的問題而提出的，其目的在于提供能夠提高分流電阻所產(chǎn)生的熱的散熱性的技術(shù)。

本發(fā)明涉及的半導(dǎo)體裝置具備：容器體，其具有開口的空間；半導(dǎo)體芯片，其配置于所述容器體內(nèi)的所述空間內(nèi)；分流電阻，其配置于所述空間內(nèi)，與所述半導(dǎo)體芯片分離；電路圖案，其配置于所述空間內(nèi)，將所述半導(dǎo)體芯片與所述分流電阻連接；分隔部件，其將所述容器體的所述空間分離成所述半導(dǎo)體芯片側(cè)的第1空間和所述分流電阻側(cè)的第2空間；第1封裝材料，其配置于所述第1空間內(nèi)，封裝所述半導(dǎo)體芯片；以及第1蓋部和第2蓋部，該第1蓋部覆蓋所述開口中的與所述第1空間相對應(yīng)的部分，該第2蓋部覆蓋所述開口中的與所述第2空間相對應(yīng)的部分，所述第2蓋部形成將所述第2空間與所述容器體外部連通的至少1個孔。

發(fā)明的效果

根據(jù)本發(fā)明，第2蓋部形成將第2空間與容器體外部連通的至少1個孔。由此，能夠提高分流電阻所產(chǎn)生的熱的散熱性。

附圖說明

圖1是表示實施方式1涉及的半導(dǎo)體裝置的結(jié)構(gòu)的俯視圖。

圖2是表示實施方式1涉及的半導(dǎo)體裝置的結(jié)構(gòu)的剖面圖。

圖3是表示實施方式1涉及的半導(dǎo)體裝置的一部分的結(jié)構(gòu)的電路圖。

圖4是表示實施方式2涉及的半導(dǎo)體裝置的結(jié)構(gòu)的剖面圖。

圖5是表示實施方式3涉及的半導(dǎo)體裝置的結(jié)構(gòu)的俯視圖。

圖6是表示實施方式3涉及的半導(dǎo)體裝置的結(jié)構(gòu)的剖面圖。

圖7是表示實施方式4涉及的半導(dǎo)體裝置的結(jié)構(gòu)的俯視圖。

圖8是表示實施方式4涉及的半導(dǎo)體裝置的結(jié)構(gòu)的俯視圖。

圖9是表示實施方式4涉及的半導(dǎo)體裝置的結(jié)構(gòu)的俯視圖。

圖10是表示實施方式5涉及的半導(dǎo)體裝置的結(jié)構(gòu)的剖面圖。

標號的說明

1容器體，1e第1空間，1f第2空間，2半導(dǎo)體芯片，4分流電阻，5電路圖案，11分隔部件，12第1封裝材料，16a第1蓋部，16b第2蓋部，18、18a、18b、18c孔，20防銹膜，22第2封裝材料。