[發明專利]高耐熱性偏氟乙烯聚合物混涂隔膜的制備方法

有效

• 申請號: 201910925384.0
• 申請日: 2019-09-27
• 公開（公告）號: CN110635090B
• 公開（公告）日: 2022-04-29
• 發明（設計）人: 楊浩田;王曉明;劉勇標;周素霞;黃云
• 申請（專利權）人: 寧德卓高新材料科技有限公司
• 主分類號: H01M50/403
• 分類號: H01M50/403;H01M50/449;H01M50/417;H01M50/446;H01M10/0525
• 代理公司: 北京金信知識產權代理有限公司 11225
• 代理人: 李維盈

1.一種制備偏氟乙烯聚合物混涂隔膜的方法，包括：

（1）、將偏氟乙烯聚合物、耐高溫助劑、無機陶瓷、造孔劑及溶劑混合均勻得到偏氟乙烯聚合物混涂漿料；

（2）、將偏氟乙烯聚合物混涂漿料涂覆于基膜至少一個表面上形成偏氟乙烯聚合物混涂層；

（3）、使經涂覆的隔膜經過造孔池和萃取池，并干燥得到偏氟乙烯聚合物混涂隔膜，其中，所述造孔池含有0.05~3 wt%的潤濕劑和1~10 wt%溶劑的水溶液，所述萃取池含有pH為8~9的堿性水溶液；

所述潤濕劑為選自氟代烷基甲氧基醇醚、聚氧乙烯烷基胺、丁基萘磺酸鈉、芳基萘磺酸鈉、十二烷基苯磺酸鈉、烷基硫酸鈉中的一種或幾種；

所述溶劑為選自二甲基甲酰胺、二甲基乙酰胺、二甲基亞砜、N-甲基吡咯中的一種或幾種；

造孔池溫度為30~80℃；造孔時間為10秒至30秒；

萃取池溫度為30~80℃；萃取時間為1至5分鐘。

2.根據權利要求1所述的方法，其中，在步驟（1）中，

以重量份計，偏氟乙烯聚合物、無機陶瓷、造孔劑、耐高溫助劑的用量比為：偏氟乙烯聚合物：1~15份；無機陶瓷：10~40份；造孔劑：5~30份；耐高溫助劑：0.5~10份；

所述無機陶瓷為選自氧化鋁、氧化鈦、氧化鎂、氫氧化鎂、勃姆石中的一種或幾種；

所述無機陶瓷的粒徑在0.1~5μm之間；

所述造孔劑為選自聚乙二醇、聚丙二醇、聚丙三醇、聚乙烯吡咯烷酮、吐溫、司班中的一種或多種；

所述耐高溫助劑為選自芳綸、聚酰胺-酰亞胺、聚酰亞胺、聚醚酰亞胺、聚苯酯、聚苯并咪唑、液晶聚合物及聚硼二苯基硅氧烷中的一種或多種；

所述溶劑為選自二甲基甲酰胺、二甲基乙酰胺、二甲基亞砜、N-甲基吡咯中的一種或多種。

3.根據權利要求2所述的方法，其中，

以重量份計，偏氟乙烯聚合物、無機陶瓷、造孔劑、耐高溫助劑的用量比為：偏氟乙烯聚合物：2~10份；無機陶瓷：15~30份；造孔劑：5~25份；耐高溫助劑：1~8份。

4.根據權利要求1所述的方法，其中，在步驟（2）中，

所述偏氟乙烯聚合物混涂漿料采用微凹版涂布方式涂布于基膜表面上；

干燥后，偏氟乙烯聚合物混涂層的厚度為0.5~10 μm；

所述基膜為聚烯烴膜；

所述基膜的孔徑在0.01～0.1μm范圍內，孔隙率20%至80%之間；

所述基膜的厚度為30μm以下。

5.根據權利要求4所述的方法，其中，

干燥后，偏氟乙烯聚合物混涂層的厚度為0.5~5 μm；

所述基膜為聚乙烯或聚丙烯膜；

所述基膜的孔隙率在30%～50% 之間；

所述基膜的厚度為3~20μm。

6.根據權利要求4所述的方法，其中，所述基膜的厚度為5~20μm。

7.根據權利要求4所述的方法，其中，所述基膜的厚度為3~16μm。

8.根據權利要求1所述的方法，其中，在步驟（3）中，

所述干燥采用在30~80℃烘干。

9.根據權利要求8所述的方法，其中，采用3節烘箱烘烤，三節烘箱溫度分別為30~60℃、50~80℃、40~60℃。

10.根據權利要求1所述的方法，其中，所述偏氟乙烯聚合物包括偏氟乙烯均聚物及其共聚物。

11.根據權利要求10所述的方法，其中，所述偏氟乙烯共聚物為選自偏氟乙烯與三氟乙烯、四氟乙烯、六氟乙烯或六氟丙烯的共聚物中的至少一種。

12.根據權利要求10或11所述的方法，其中，所述偏氟乙烯共聚物中，偏氟乙烯單體單元的摩爾比不低于60%。