[發(fā)明專利]一種基于三維散熱結(jié)構(gòu)的三維異構(gòu)射頻模組的制作方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201910924318.1
• 申請日: 2019-09-27
• 公開（公告）號(hào): CN110739227B
• 公開（公告）日: 2021-07-23
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 郁發(fā)新;馮光建;王志宇;陳華;張兵
• 申請（專利權(quán)）人: 浙江大學(xué)
• 主分類號(hào): H01L21/48
• 分類號(hào): H01L21/48;H01L21/60;H01L23/367;H01L23/473
• 代理公司: 杭州天昊專利代理事務(wù)所(特殊普通合伙) 33283
• 代理人: 董世博

1.一種基于三維散熱結(jié)構(gòu)的三維異構(gòu)射頻模組的制作方法，其特征在于：具體包括如下步驟：

101)芯片載板制作步驟：通過光刻，刻蝕工藝在芯片載板的下表面制作凹槽，在芯片載板下表面沉積氧化硅或者氮化硅，或者直接熱氧化形成絕緣層，通過物理濺射，磁控濺射或者蒸鍍工藝在絕緣層上方制作種子層，通過光刻，電鍍工藝在種子層上制作鍵合金屬形成焊盤； 對芯片載板上表面進(jìn)行減薄，減薄厚度在10um到700um之間；芯片載板的上表面制作芯 片槽，通過焊接工藝把射頻芯片焊接在芯片槽內(nèi)，并由焊錫或?qū)崮z填充滿射頻芯片跟芯片槽的間隙區(qū)域；通過光刻，電鍍工藝在芯片載板上表面制作RDL；

102)轉(zhuǎn)接板制作步驟：轉(zhuǎn)接板上表面沉積氧化硅或者氮化硅，或者直接熱氧化形成絕緣層，通過物理濺射，磁控濺射或者蒸鍍工藝在絕緣層上方制作種子層；種子層上制作RDL；通過光刻，刻蝕工藝在轉(zhuǎn)接板上表面與芯片載板的下表面凹槽對應(yīng)位置處制作TSV孔； 通過光刻、干法或者濕法刻蝕工藝在轉(zhuǎn)接板上表面與芯片槽對應(yīng)的位置制作散熱溝槽，散 熱溝槽深度范圍在10um到700um之間；

103)鍵合步驟：將芯片載板下表面與轉(zhuǎn)接板上表面進(jìn)行焊接，轉(zhuǎn)接板的下表面進(jìn)行減薄，并露出TSV孔底部；通過光刻，電鍍工藝在轉(zhuǎn)接板下表面制作連接焊盤；切割焊接鍵合的模組得到單一的射頻模組，把射頻模組安裝到相應(yīng)PCB板上，散熱溝槽通入可循環(huán)散熱液體，得到具有三維散熱能力的射頻模組PCB板。

2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種基于三維散熱結(jié)構(gòu)的三維異構(gòu)射頻模組的制作方法，其特征在于：RDL包括走線布局和鍵合焊盤；RDL材料采用銅、鋁、鎳、銀、金、錫中的一種或多種混合，RDL本身結(jié)構(gòu)為一層或多層結(jié)構(gòu)，其厚度范圍為10nm到1000um之間；焊盤的直徑范圍為10um到10000um之間。

3. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種基于三維散熱結(jié)構(gòu)的三維異構(gòu)射頻模組的制作方法，其特征在于：凹槽寬度范圍在1um到10000um，深度在10um到1000um；絕緣層厚度范圍在10nm到100um之間；種子層厚度范圍在1nm到100um，其本身結(jié)構(gòu)為一層或多層結(jié)構(gòu)，其材質(zhì)采用鈦、銅、鋁、銀、鈀、金、鉈、錫、鎳中的一種或多種混合；焊盤高度范圍在10nm到1000um，采用銅、鋁、鎳、銀、金、錫中的一種或多種混合，本身結(jié)構(gòu)為一層或多層。

4. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種基于三維散熱結(jié)構(gòu)的三維異構(gòu)射頻模組的制作方法，其特征在于：芯片載板采用4、6、8、12寸中的一種尺寸，厚度范圍為200um到2000um之間，材質(zhì)采用硅、玻璃、石英、碳化硅、氧化鋁、環(huán)氧樹脂、聚氨酯中的一種。

5. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種基于三維散熱結(jié)構(gòu)的三維異構(gòu)射頻模組的制作方法，其特征在于：芯片槽采用正方形，深度范圍在10um到700um，邊長的長度范圍在100um到10mm之間。