[發明專利]半導體裝置的形成方法在審
| 申請號： | 201910923807.5 | 申請日： | 2019-09-27 |
| 公開（公告）號： | CN110957369A | 公開（公告）日： | 2020-04-03 |
| 發明（設計）人： | 丁姮彣;陳科維;李啟弘;鄭培仁;宋學昌;李彥儒;林俊安 | 申請（專利權）人： | 臺灣積體電路制造股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L29/78 | 分類號： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 隆天知識產權代理有限公司 72003 | 代理人： | 王宇航;黃艷 |
| 地址： | 中國臺*** | 國省代碼： | 臺灣;71 |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 半導體 裝置 形成 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種半導體裝置的形成方法，包括：
蝕刻一或多個半導體鰭片以形成一或多個凹槽；以及
形成源極/漏極區域于該一或多個凹槽之中，其中形成該源極/漏極區域包括：
在600℃至800℃的一溫度下外延成長一第一半導體材料于該一或多個凹槽之中，該第一半導體材料包括摻雜的硅鍺；以及
在300℃至600℃的一溫度下順應性地沉積一第二半導體材料于該第一半導體材料之上，該第二半導體材料包括摻雜的硅鍺且與該第一半導體材料具有一不同的組成。
下載完整專利技術內容需要扣除積分，VIP會員可以免費下載。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息，商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于臺灣積體電路制造股份有限公司，未經臺灣積體電路制造股份有限公司許可，擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作，請聯系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/201910923807.5/1.html，轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 同類專利
- 專利分類
