[發明專利]數據的寫入方法與寫入系統

有效

• 申請號: 201910923746.2
• 申請日: 2019-09-27
• 公開（公告）號: CN110908599B
• 公開（公告）日: 2021-02-02
• 發明（設計）人: 安友偉;陳曉君;楊小龍;余作歡;李建球;李迪;閆江;劉大海;張登軍;陳剛;逯釗琦
• 申請（專利權）人: 珠海博雅科技有限公司
• 主分類號: G06F3/06
• 分類號: G06F3/06
• 代理公司: 北京成創同維知識產權代理有限公司 11449
• 代理人: 蔡純;劉靜

本發明實施例提供一種數據的寫入方法和寫入系統，該方法包括：獲取一次寫操作可以寫成功的存儲單元最大量；在對多個存儲單元進行當前次寫校驗失敗后，獲取當前次寫校驗的校驗結果；根據校驗結果對多個存儲單元分組，以使得到的各個單元組中寫失敗的存儲單元數量不大于最大量；按照單元組對多個存儲單元進行分批次的多次寫操作。本發明解決了現有技術中存儲器數據寫入效率較低的技術問題。

技術領域

本發明涉及半導體技術領域，具體涉及一種應用于存儲器的數據寫入方法與寫入系統。

背景技術

存儲器是現代信息技術中用于存儲信息的設備，數據的讀寫速度對于存儲器來說至關重要。存儲器在寫入數據時，需要通過寫校驗(program veriyf)和寫操作(program)這兩種操作，其中，寫校驗用于在寫操作后讀取存儲單元中寫入的數據，以判斷該存儲單元是否將數據寫成功。

圖1所示為現有技術中應用于存儲器的一種數據寫入方法流程圖。參照圖1，現有技術中的數據寫入方法通常為：一次寫校驗→寫校驗失敗后的多次寫操作→一次寫校驗→…，一直循環到寫校驗成功，即寫校驗針對的所有存儲單元都將數據寫成功。該方法中，一次寫校驗失敗后對所校驗的所有存儲單元進行分批次的多次寫操作，且多次寫操作在所操作存儲單元的數量方面無差別，即，每次寫操作的存儲單元數量都為同一值。若假設一次寫校驗的存儲單元數量為A，一次寫操作的存儲單元數量為C，則寫校驗失敗后的多次寫操作總共次數為B＝A/C，這里C取值受成本限定。

上述數據寫入方法所需寫操作次數較多，進而使得每次數據寫入都會耗費大量時間，從而導致存儲器的數據寫入效率較低。

發明內容

有鑒于此，本發明實施例提供了一種數據的寫入方法與寫入系統，用于解決現有技術中存儲器數據寫入效率較低的技術問題。

根據本發明的第一方面，提供一種數據寫入方法，包括：

獲取一次寫操作可以寫成功的存儲單元最大量；

在對多個存儲單元進行當前次寫校驗失敗后，獲取所述當前次寫校驗的校驗結果；

根據所述校驗結果對所述多個存儲單元分組，以使得到的各個單元組中寫失敗的存儲單元數量不大于所述最大量；

按照所述單元組對所述多個存儲單元進行分批次的多次寫操作。

可選地，根據所述校驗結果對所述多個存儲單元分組，包括：

將所述多個存儲單元以所述最大量為單位進行劃分，得到多個子單元組；

根據所述校驗結果獲取各個所述子單元組的參考值，所述參考值為所述子單元組中寫失敗的存儲單元數量；

根據所述參考值將所述多個子單元組劃分成所述單元組，以使各個所述單元組中的所述參考值之和不大于所述最大量。

可選地，根據所述參考值將所述多個子單元組劃分成所述單元組，包括：

以每個所述子單元組作為第一運算層中的一個單元模塊，并通過當前運算層兩個單元模塊組建下一運算層一個單元模塊的方式構建多個運算層；

從多個所述運算層中確定當前的優先級最高層，其中，所述優先級最高層為層數最大的包括目標單元模塊的運算層，所述目標單元模塊中的所述參考值之和不大于所述最大量；

從當前的所述優先級最高層和歷史的所述優先級最高層中確定目標運算層；

在層數不大于所述目標運算層的運算層中，將所組建單元模塊不是所述目標單元模塊的目標單元模塊確定為所述單元組。

可選地，從當前的所述優先級最高層和歷史的所述優先級最高層中確定目標運算層，包括：

獲取所述當前次寫校驗在當前數據寫入過程中的排列次數；