[發(fā)明專利]覆晶薄膜及顯示面板在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201910922287.6 | 申請日: | 2019-09-27 |
| 公開(公告)號: | CN110610977A | 公開(公告)日: | 2019-12-24 |
| 發(fā)明(設計)人: | 李春旺 | 申請(專利權)人: | 武漢華星光電半導體顯示技術有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32 |
| 代理公司: | 44300 深圳翼盛智成知識產(chǎn)權事務所(普通合伙) | 代理人: | 汪阮磊 |
| 地址: | 430079 湖北省武漢市東湖新技術*** | 國省代碼: | 湖北;42 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 覆晶薄膜 顯示面板 電極 信號端子連接 電極一端 端部毛刺 顯示品質 切割區(qū) 顯示區(qū) 分辨率 變小 管控 良率 縮放 縮窄 外漏 切割 | ||
本發(fā)明提供一種覆晶薄膜及顯示面板,相較于現(xiàn)有技術中同樣尺寸的覆晶薄膜,本發(fā)明中覆晶薄膜中電極一端設置有切割區(qū),電極在所述切割區(qū)處縮窄,電極的縮放部尺寸變小,可以增加與顯示面板顯示區(qū)的外漏信號端子連接的電極數(shù)量,同時降低覆晶薄膜端部毛刺的管控規(guī)格,提升了顯示面板的良率,提高了顯示面板的分辨率及顯示品質。
技術領域
本發(fā)明涉及顯示技術領域,尤其涉及一種覆晶薄膜及顯示面板。
背景技術
隨著顯示技術的進步,OLED產(chǎn)品柔性結構和高分辨率要求越來越高。對于同樣尺寸的屏幕,需求的綁定的電極越密集,屏幕顯示品質越好;覆晶薄膜總的寬度不變的情況下,單個電極的尺寸越窄越好。
當前覆晶薄膜制程中,覆晶薄膜片材是通過覆晶薄膜卷材通過沖切而成,沖切成片材時會產(chǎn)生毛刺,易導致相鄰兩個電極工作時因不滿足毛刺最小安全距離而短路,造成覆晶薄膜損壞,直接影響顯示面板的分辨率及品質,例如現(xiàn)有AMOLED顯示面板中覆晶薄膜的制程,覆晶薄膜端電極設計如下,電極尺寸14um,電極之間的間距為14um,電極沖切毛刺小于14um,才能保證相鄰兩個電極不會短路,造成綁定電極的數(shù)量較少。
綜上所述,需要設計出一種新的覆晶薄膜,以解決現(xiàn)有技術中覆晶薄膜中相鄰兩個電極尺寸之間毛刺最小安全距離較小,容易出現(xiàn)短路,造成覆晶薄膜損壞,直接影響顯示面板的分辨率及品質的技術問題。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提供一種覆晶薄膜及顯示面板,能夠解決現(xiàn)有技術中覆晶薄膜中相鄰兩個電極尺寸之間毛刺最小安全距離較小,容易出現(xiàn)短路,造成覆晶薄膜損壞,直接影響顯示面板的分辨率及品質的技術問題。
為解決上述問題,本發(fā)明提供的技術方案如下:
本發(fā)明提供一種覆晶薄膜,包括:驅動區(qū)域,用于設置驅動單元;陣列分布的電極,所述電極包括基體、縮放部以及位于所述基體和所述縮放部之間的過渡部;信號線,一端連接在所述基體上,另一端連接在所述驅動區(qū)域中,以使電極與驅動單元電性連接。
根據(jù)本發(fā)明一優(yōu)選實施例,所述縮放部的寬度小于所述基體的寬度。
根據(jù)本發(fā)明一優(yōu)選實施例,所述縮放部的末端與顯示面板的顯示區(qū)的外漏信號端子相連。
根據(jù)本發(fā)明一優(yōu)選實施例,所述縮放部的寬度大于或等于6μm。
根據(jù)本發(fā)明一優(yōu)選實施例,所述過渡部的兩側為弧形或者斜線。
根據(jù)本發(fā)明一優(yōu)選實施例,所述信號線與所述顯示面板的顯示區(qū)的源/漏極同層設置。
根據(jù)本發(fā)明一優(yōu)選實施例,所述信號線包括柵極線和靜電傳輸線,所述柵極線與所述顯示面板的顯示區(qū)的第二柵極層同層設置,所述靜電傳輸線與所述顯示面板的顯示區(qū)的源/漏極同層設置。
根據(jù)本發(fā)明一優(yōu)選實施例,所述信號線與所述電極通過異方性導電膠連接。
本發(fā)明還提供一種顯示面板,所述顯示面板包括:
驅動區(qū)域,用于設置驅動單元;陣列分布的電極,所述電極包括基體、縮放部以及位于所述基體和所述縮放部之間的過渡部;信號線,一端連接在所述基體上,另一端連接在所述驅動區(qū)域中,以使電極與驅動單元電性連接。
外漏信號端子,所述外漏信號端子與所述縮放部相連。
根據(jù)本發(fā)明一優(yōu)選實施例,所述外漏信號端子上設置有測試端子,所述測試端子用于輸出所述外漏信號端子的電信號。
本發(fā)明的有益效果為:相較于現(xiàn)有技術中同樣尺寸的覆晶薄膜,本發(fā)明中覆晶薄膜中電極一端設置有切割區(qū),電極在所述切割區(qū)處縮窄,電極的尺寸變小,可以增加與顯示面板顯示區(qū)的外漏信號端子連接的電極數(shù)量,同時降低覆晶薄膜毛刺的管控規(guī)格需求,提升了顯示面板的良率,提高了顯示面板的分辨率及顯示品質。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于武漢華星光電半導體顯示技術有限公司,未經(jīng)武漢華星光電半導體顯示技術有限公司許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權和技術合作,請聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201910922287.6/2.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 上一篇:顯示基板及其制備方法、顯示裝置
- 下一篇:一種顯示基板及其制備方法、顯示裝置
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內(nèi)或其上形成的多個半導體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





