[發明專利]半導體裝置的形成方法在審
| 申請號： | 201910921640.9 | 申請日： | 2019-09-27 |
| 公開（公告）號： | CN110957226A | 公開（公告）日： | 2020-04-03 |
| 發明（設計）人： | 林資敬;林建智;朱峯慶;吳卓斌 | 申請（專利權）人： | 臺灣積體電路制造股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/336 | 分類號： | H01L21/336;H01L21/8238;H01L27/092 |
| 代理公司： | 隆天知識產權代理有限公司 72003 | 代理人： | 于磊;陳曦 |
| 地址： | 中國臺*** | 國省代碼： | 臺灣;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 半導體 裝置 形成 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種半導體裝置的形成方法，包括：
形成一柵極堆疊于一鰭狀物上；
蝕刻該鰭狀物以形成一凹陷于與該柵極堆疊相鄰的該鰭狀物中；
在一第一成長制程時配送多個硅前驅物以形成一源極/漏極區的一第一層于該凹陷中，且在該第一成長制程時配送的該些硅前驅物具有一第一組流速比例；以及
在一第二成長制程時配送該些硅前驅物以形成該源極/漏極區的一第二層于該外延的源極/漏極區的該第一層上，且在該第二成長制程時配送的該些硅前驅物具有一第二組流速比例，而該第二組流速比例與該第一組流速比例不同，
其中該第一成長制程的該些硅前驅物中，鍵結的氣相硅原子與鍵結的氣相氫原子總量對鍵結的氣相氯原子量具有一第一比例；以及
其中該第二成長制程的該些硅前驅物中，鍵結的氣相硅原子與鍵結的氣相氫原子總量對鍵結的氣相氯原子量具有一第二比例，且該第二比例大于該第一比例。
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H01 基本電氣元件
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
