[發明專利]用于制造異質結太陽能電池的PECVD設備及鍍膜方法

在審

• 申請號: 201910921596.1
• 申請日: 2019-09-27
• 公開（公告）號: CN110735125A
• 公開（公告）日: 2020-01-31
• 發明（設計）人: 徐升東;楊飛云;陳金元
• 申請（專利權）人: 上海理想萬里暉薄膜設備有限公司
• 主分類號: C23C16/24
• 分類號: C23C16/24;C23C16/54;C23C16/50;C23C16/46;C23C16/48;H01L31/0747;H01L31/20
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1.一種用于制造異質結太陽能電池的PECVD設備，所述PECVD設備包括依次連接的加載臺、加載腔、第一反應腔、第一傳輸腔、第二反應腔、卸載腔和卸載臺，其特征在于，所述PECVD設備還包括：

預熱腔，其設置在所述加載腔與所述第一反應腔之間，用于在將異質結太陽能電池對應的硅片送入所述第一反應腔之前將所述硅片預熱到預設溫度，以便減少所述硅片在所述第一反應腔中的停留時間；以及

第二傳輸腔，其設置在所述預熱腔和所述第一反應腔之間，用于將經所述預熱腔預熱的所述硅片傳輸至所述第一反應腔。

2.根據權利要求1所述的PECVD設備，其特征在于，所述預熱腔中設置有預熱模塊，所述預熱模塊包括紅外加熱器、熱電阻加熱器和/或高頻加熱器，所述預熱模塊經過30-500秒范圍內的預熱時間將所述硅片預熱到所述預設溫度，所述預設溫度在200-350℃的范圍內，所述預熱模塊在所述預熱腔中的加熱方式為接觸式加熱和/或輻射式加熱。

3.根據權利要求1所述的PECVD設備，其特征在于，所述第一反應腔用于在進入其中的所述硅片的一面上生長本征非晶硅薄膜，所述第二反應腔用于在所述硅片的所述本征非晶硅薄膜上生長P型或N型非晶硅薄膜，所述第一反應腔和所述第二反應腔在生長非晶硅薄膜時的生長溫度在200-350℃的范圍內。

4.根據權利要求1所述的PECVD設備，其特征在于，所述CVD設備包括單層設備單元和多層設備單元，所述單層設備單元包括位于同一水平層中且相互連接的所述加載臺、所述加載腔、所述預熱腔、所述第二傳輸腔、所述第一反應腔、所述第一傳輸腔、所述第二反應腔所述卸載腔和所述卸載臺，所述PECVD設備包括多層設備單元，所述多層設備單元包括沿豎直方向對應層疊的多個單層設備單元，所述多層設備單元包括分別對應一體構造成加載臺豎列、加載腔豎列、預熱腔豎列、第二傳輸腔豎列、第一反應腔豎列、第一傳輸腔豎列、第二反應腔豎列、卸載腔豎列、和卸載臺豎列的多層加載臺、多層加載腔、多層預熱腔、多層第二傳輸腔、多層第一反應腔、多層第一傳輸腔、多層第二反應腔、多層卸載腔、多層卸載臺；所述加載腔、所述預熱腔、所述第二傳輸腔、所述第一反應腔、所述第一傳輸腔、所述第二反應腔、所述卸載腔的操作壓力在0.01-5毫巴的范圍內。

5.根據權利要求1所述的PECVD設備，其特征在于，所述加載臺、所述加載腔、所述預熱腔、所述第二傳輸腔、所述第一反應腔、所述第一傳輸腔、所述第二反應腔、所述卸載腔以及所述卸載臺沿著U字形依次排布，所述加載臺與所述卸載臺相對設置。

6.一種用于制造異質結太陽能電池的成套PECVD設備，其特征在于，所述成套PECVD設備包括：

第一PECVD設備，其為如權利要求1-5中任一項所述的PECVD設備，所述第一PECVD設備用于在太能電池對應的硅片的第一面上沉積選自I/N型和I/P型非晶硅薄膜中的一種非晶硅薄膜；

硅片翻面裝置，其配置成接收來自所述第一PECVD設備且硅片的第一面已完成沉積并經下料的所述硅片，并將所述硅片進行翻面而使所述硅片的所述第一面和與之相對的第二面完成對調；以及

第二PECVD設備，其為如權利要求1-5中任一項所述的PECVD設備，所述第二PECVD設備用于在太能電池對應的硅片的所述第二面上沉積選自I/N型和I/P型非晶硅薄膜中的另一種非晶硅薄膜。