[發明專利]一種底部填充膠及其制備方法在審
| 申請號: | 201910920443.5 | 申請日: | 2019-09-27 |
| 公開(公告)號: | CN110499131A | 公開(公告)日: | 2019-11-26 |
| 發明(設計)人: | 張傳勇;柯明新;陳天基 | 申請(專利權)人: | 江蘇矽時代材料科技有限公司 |
| 主分類號: | C09J163/00 | 分類號: | C09J163/00;C09J11/04 |
| 代理公司: | 32276 蘇州根號專利代理事務所(普通合伙) | 代理人: | 項麗<國際申請>=<國際公布>=<進入國 |
| 地址: | 226000 江蘇省南*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 底部填充膠 雙酚F環氧樹脂 有機硅消泡劑 咪唑催化劑 炭黑 制備 冷熱沖擊性能 線膨脹系數 質量百分比 二氧化硅 粘結力 低鉀 低鈉 毛細 總氯 | ||
本發明涉及一種底部填充膠,它由以下質量百分比的原料組分組成:雙酚F環氧樹脂35?43%;咪唑催化劑1?2%;有機硅消泡劑0.3?0.5%;SiO2 55?63%;炭黑0.5?0.7%。本發明底部填充膠,通過采用雙酚F環氧樹脂在咪唑催化劑的作用下,與有機硅消泡劑、二氧化硅和炭黑,均勻混合,使得制備得到的底部填充膠的線膨脹系數能夠得到有效的控制,毛細流動性好,從而具備良好的耐冷熱沖擊性能、好的粘結力、低總氯、低鉀、低鈉等優點,同時本發明的制備方法簡單,成本低。
技術領域
本發明涉及一種填充膠,具體涉及一種底部填充膠及其制備方法。
背景技術
隨著科技的不斷發展,倒裝芯片的連接方式已經應用于高端電子器件和高密度集成電路封裝領域。倒裝芯片的連接方式是采用又小又薄的焊料凸點連接芯片和印刷基板。底部填充材料作為倒裝芯片封裝的關鍵材料,能夠有效保護高密度的焊球,分散芯片表面承載的應力,增加芯片和封裝器件的加工性,因此采用底部填充膠能夠起到保護芯片回路面和錫球的作用。
目前的底部填充膠,其線膨脹系數難以控制,且底部填充膠的流動性欠佳,從而影響粘結的效果,從而起不到對倒裝芯片的封裝保護作用。
發明內容
本發明目的是為了克服現有技術的不足而提供一種底部填充膠。
為達到上述目的,本發明所采用的技術方案為,一種底部填充膠,它由以下質量百分比的原料組分組成:
具體地,所述雙酚F環氧樹脂為選自Jer YL983U、YDF-170、YDF-162、YDF-175、RE-303S-L和EXA-830LVP中的一種或多種組成的混合物。
具體地,所述雙酚F環氧樹脂的環氧當量為154-185g/mol。
優選地,所述雙酚F環氧樹脂的環氧當量為155-170g/mol。
具體地,所述咪唑催化劑為選自2-乙基-4-甲基咪唑、2-十一烷基咪唑、2-苯基-4-甲基咪唑、1-氰乙基-2-乙基-4-甲基咪唑、EH-3366S和EH-5046S中的一種或多種組成的混合物。
具體地,所述有機硅消泡劑為選自KSZ-66、大田化學的AT-470、AT-883、BYK-333和BYK-A503中的一種或多種組成的混合物。
具體地,所述SiO2的平均粒徑為1-2微米,最大粒徑為5-10微米。
具體地,所述炭黑為選自日本三菱的#25、MA100、MA11和#2350中的一種或多種組成的混合物,所述炭黑的粒徑為13-30nm。
本發明的第二個目的在于提供上述底部填充膠的制備方法,它包括以下步驟:
(1)將配方量的雙酚F環氧樹脂、SiO2和碳黑經過三輥研磨機,調節前后輥輪的間距分別為20μm和10微米,研磨3~5次,得到研磨混合物;
(2)將所述研磨混合物、咪唑催化劑、有機硅消泡劑加入行星反應釜中,調整行星反應釜的真空度和溫度,攪拌至無氣泡產生,靜置,排氣即可。
具體地,所述行星反應釜的真空度為-0.11-0.09MPa,溫度為25-30℃。
具體地,所述雙酚F環氧樹脂在經過三輥研磨機前,需要將所述雙酚F環氧樹脂在90-120℃下加熱0.5-1.5h,直至雙酚F環氧樹脂為透明狀液體,再進行三輥研磨。
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