[發(fā)明專利]提高黑組件良率的PERC電池生產(chǎn)控制方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201910920404.5 | 申請日： | 2019-09-27 |
| 公開（公告）號： | CN110676347A | 公開（公告）日： | 2020-01-10 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 劉斌;黃輝巍;陳正飛;楊紅進;薛成棟 | 申請（專利權(quán)）人： | 江蘇順風(fēng)新能源科技有限公司 |
| 主分類號： | H01L31/18 | 分類號： | H01L31/18;H01L31/068 |
| 代理公司： | 32302 常州知融專利代理事務(wù)所(普通合伙) | 代理人： | 路接洲 |
| 地址： | 213000 江蘇*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 管式PECVD鍍膜 硅片背面 硅片正面 電池片 良率 色差 測試分選裝置 光電轉(zhuǎn)換效率 絲網(wǎng)印刷網(wǎng)版 致密氧化鋁 電池生產(chǎn) 激光開槽 絲網(wǎng)印刷 燒結(jié) 生長 背板層 滿意度 熱氧化 分選 管式 膜厚 細柵 柵線 背面 降級 客戶 | ||
1.一種提高黑組件良率的PERC電池生產(chǎn)控制方法，其特征在于：包括以下步驟：
1)在硅片正面通過管式熱氧化方式生長一層SiO2，厚度為1-3nm，溫度600℃-750℃，時間30-60min；
2)采用ALD模式進行單面氧化鋁原子沉積，在硅片背面生長一層致密氧化鋁，氧化鋁厚度2-5nm；
3)在硅片正面進行鍍膜，膜層為多層膜，包括底層SiOx層、中間層SiNx層以及頂層SiOx層，所述的多層膜的總膜厚為70-90nm，折射率為1.9-2.1；
4)在硅片背面進行鍍膜，膜層為多層膜，包括底層SiOx層、中間層SiNx層以及頂層SiOx層，所述的多層膜總膜厚為100-200nm，折射率為1.9-2.1；
5)進行背面激光開槽，正面絲網(wǎng)印刷燒結(jié)、分選，正面絲網(wǎng)印刷網(wǎng)版壽命≤50000次；
7)通過電池片膜色測試分選裝置，選取膜厚為70-80nm，正面細柵柵線平均寬度為40-50μm，光電轉(zhuǎn)換效率為22.0％-22.1％的電池片；
8)進行黑背板層壓，即得到全黑組件。
2.如權(quán)利要求1所述的一種純黑組件單晶PERC電池制備工藝，其特征在于：所述的步驟3)中，底層SiOx層的折射率為1.4-1.65，厚度為5-30nm；中間層為單層或多層SiNx層，總膜厚為30-70nm，折射率為1.9-2.3；頂層SiOx層的折射率為1.4-1.65，厚度為10-40nm。
3.如權(quán)利要求1所述的一種純黑組件單晶PERC電池制備工藝，其特征在于：所述的步驟4)中，底層SiOx層的折射率為1.4-1.65，厚度為5-25nm；中間層為單層或多層SiNx層，總膜厚為40-80nm，折射率為1.9-2.3；頂層為單層或多層SiNx層，總膜厚為40-80nm，折射率為1.9-2.3。
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H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射，或微粒輻射敏感的，并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的，或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導(dǎo)體器件；專門適用于制造或處理這些半導(dǎo)體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導(dǎo)體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉(zhuǎn)換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的，例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內(nèi)或其上形成的，一個或多個電光源，如場致發(fā)光光源在結(jié)構(gòu)上相連的，并與其電光源在電氣上或光學(xué)上相耦合的
