[發(fā)明專利]一種有機發(fā)光器件及顯示面板有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201910920135.2 | 申請日: | 2019-09-26 |
| 公開(公告)號: | CN110635058B | 公開(公告)日: | 2022-04-08 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 李貴芳;李飛霞;黃智 | 申請(專利權(quán))人: | 昆山國顯光電有限公司 |
| 主分類號: | H01L51/50 | 分類號: | H01L51/50 |
| 代理公司: | 北京遠(yuǎn)智匯知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11659 | 代理人: | 范坤坤 |
| 地址: | 215300 江蘇省*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 有機 發(fā)光 器件 顯示 面板 | ||
本發(fā)明實施例公開了一種有機發(fā)光器件及顯示面板。有機發(fā)光器件包括陽極層、依次層疊設(shè)置于陽極層上的至少一層子空穴傳輸層、發(fā)光層以及陰極層,至少一層子空穴傳輸層包括至少一層摻雜空穴傳輸層,摻雜空穴傳輸層包括至少兩種空穴遷移率不同的空穴傳輸材料。本發(fā)明實施例的技術(shù)方案使得摻雜空穴傳輸層的空穴遷移率滿足空穴的傳輸速度要求,使有機發(fā)光器件具有較高的發(fā)光效率,同時可以減小空穴在發(fā)光層鄰近陽極一側(cè)的界面大量聚集,提高有機發(fā)光器件的壽命。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明實施例涉及顯示領(lǐng)域,尤其涉及一種有機發(fā)光器件及顯示面板。
背景技術(shù)
隨著顯示技術(shù)的發(fā)展以及有機發(fā)光器件在手機、車載以及電視顯示中的應(yīng)用,人們對有機發(fā)光器件性能要求越來越高,然而現(xiàn)有的有機發(fā)光器件的壽命較低因此提升有機發(fā)光器件的壽命成為業(yè)界亟待解決的問題。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明實施例提供一種有機發(fā)光器件及顯示面板,以保證有機發(fā)光器件具有較高的發(fā)光效率的同時提升有機發(fā)光器件的壽命。
為實現(xiàn)上述技術(shù)問題,本發(fā)明采用以下技術(shù)方案:
第一方面,本發(fā)明實施例提供了一種有機發(fā)光器件,包括:陽極層、依次層疊設(shè)置于陽極層上的至少一層子空穴傳輸層、發(fā)光層以及陰極層;
至少一層子空穴傳輸層包括至少一層摻雜空穴傳輸層,摻雜空穴傳輸層包括至少兩種空穴遷移率不同的空穴傳輸材料。
進(jìn)一步地,有機發(fā)光器件包括至少兩層子空穴傳輸層,沿所述陽極層指向所述陰極層的方向,所述子空穴傳輸層的空穴遷移率逐漸減小。
進(jìn)一步地,每一摻雜空穴傳輸層鄰近陽極層的一側(cè)包括至少一層第一子空穴傳輸層,第一子空穴傳輸層包括至少一種第一子空穴傳輸材料,所述第一子空穴傳輸材料為所述第一子空穴傳輸層對應(yīng)的摻雜空穴傳輸層中的空穴遷移率較大的空穴傳輸材料;
和/或,每一摻雜空穴傳輸層鄰近陰極層的一側(cè)包括至少一層第二子空穴傳輸層,第二子空穴傳輸層包括至少一種第二子空穴傳輸材料,所述第二子空穴傳輸材料為所述第二子空穴傳輸層對應(yīng)的摻雜空穴傳輸層中的空穴遷移率較小的空穴傳輸材料。
進(jìn)一步地,相鄰子空穴傳輸層之間的HOMO能級差的范圍為0.01eV~0.5eV;鄰近發(fā)光層的子空穴傳輸層與發(fā)光層之間的HOMO能級差的范圍為0.01eV~0.5eV;至少兩種空穴遷移率不同的空穴傳輸材料的HOMO能級差的范圍為0.01eV~0.5eV。
進(jìn)一步地,至少一層子空穴傳輸層包括第一摻雜空穴傳輸層,第一摻雜空穴傳輸層包括第一空穴傳輸材料和第二空穴傳輸材料,第一空穴傳輸材料的空穴遷移率大于第二空穴傳輸材料的空穴遷移率。
進(jìn)一步地,至少一層子空穴傳輸層還包括第二摻雜空穴傳輸層,第二摻雜空穴傳輸層設(shè)置于第一摻雜空穴傳輸層鄰近發(fā)光層的一側(cè);
第二摻雜空穴傳輸層包括第三空穴傳輸材料和第四空穴傳輸材料;第二空穴傳輸材料的空穴傳輸率大于或等于第三空穴傳輸層的空穴傳輸率;第三空穴傳輸材料的空穴遷移率大于第四空穴傳輸材料的空穴遷移率。
進(jìn)一步地,有機發(fā)光器件還包括空穴注入層,空穴注入層設(shè)置于至少一層子空穴傳輸層和陽極層之間,空穴注入層包括第一空傳輸材料和空穴注入材料。
進(jìn)一步地,第一摻雜空穴傳輸層的第一空穴傳輸材料和第二空穴傳輸材料的摻雜比例為1%~50%;
第二摻雜空穴傳輸層的第三空穴傳輸材料和第四空穴傳輸材料的摻雜比例為1%~50%。
進(jìn)一步地,第一空穴傳輸材料包括4,4'-環(huán)己基二[N,N-二(4-甲基苯基)苯胺];
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于昆山國顯光電有限公司,未經(jīng)昆山國顯光電有限公司許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201910920135.2/2.html,轉(zhuǎn)載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L51-00 使用有機材料作有源部分或使用有機材料與其他材料的組合作有源部分的固態(tài)器件;專門適用于制造或處理這些器件或其部件的工藝方法或設(shè)備
H01L51-05 .專門適用于整流、放大、振蕩或切換且并具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的;具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的電容器或電阻器
H01L51-42 .專門適用于感應(yīng)紅外線輻射、光、較短波長的電磁輻射或微粒輻射;專門適用于將這些輻射能轉(zhuǎn)換為電能,或者適用于通過這樣的輻射進(jìn)行電能的控制
H01L51-50 .專門適用于光發(fā)射的,如有機發(fā)光二極管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料選擇





