[發明專利]晶圓濕式清潔系統及方法

有效

• 申請號: 201910918894.5
• 申請日: 2019-09-26
• 公開（公告）號: CN110957244B
• 公開（公告）日: 2023-09-01
• 發明（設計）人: 趙志偉;王恕言
• 申請（專利權）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: H01L21/67
• 分類號: H01L21/67;H01L21/02;B08B3/02
• 代理公司: 隆天知識產權代理有限公司 72003
• 代理人: 謝強;黃艷

本公開涉及一種晶圓濕式清潔系統及方法，實施例公開一種晶圓清潔過程，其中對配置以從晶圓去除金屬污染物的排出的清潔溶液進行取樣和分析，以決定溶液中金屬離子的濃度。晶圓清潔過程包含于晶圓清潔站中在一或多個晶圓上分配化學溶液；收集分配的化學溶液；決定化學溶液中污染物的濃度；響應污染物的濃度大于基準值，調整清潔過程中的一或多個參數；并響應于污染物的濃度等于或小于基準值，將一或多個晶圓轉移出晶圓清潔站。

技術領域

本公開實施例涉及一種晶圓濕式清潔系統及方法。

背景技術

在半導體制造中所使用的生產設備，可以是為集成電路(integrated?circuit，IC)制造設施中的多個半導體晶圓帶來不需要的顆粒的來源。在晶圓制造過程中，半導體晶圓經歷多次處理操作。隨著晶圓暴露于附加的處理，在IC制造期間晶圓表面上的不需要的顆粒的數量會增加，從而不利地影響晶圓產量和IC性能

發明內容

在一些實施例中，一種晶圓濕式清潔系統包含一清潔站，配置以通過包含一化學溶液的一清潔過程從一或多個晶圓去除污染物；一排水收集器，配置以收集來自清潔站的化學溶液；一分析器，配置以分析在排水收集器中被收集的化學溶液，以決定化學溶液中的污染物濃度；以及一運算單元。運算單元配置以將污染物濃度與一基準值進行比較，基于化學溶液中的污染物濃度與基準值的比較，調整清潔過程的一或多個參數。

在一些實施例中，晶圓濕式清潔方法包含在晶圓清潔站中在一或多個晶圓上分配一化學溶液；收集所分配的化學溶液；決定化學溶液中污染物的濃度；響應污染物濃度大于基準值，調整清潔過程中的一或多個參數；并且響應污染物濃度等于或小于基準值，將一或多個晶圓轉移出晶圓清潔站。

在一些實施例中，一種晶圓濕式清潔系統包含一晶圓清潔站，配置以通過在一或多個晶圓的上分配一化學溶液，在該一或多個晶圓上進行一清潔過程；一收集器，配置以從晶圓清潔站的一排出管收集所分配在一或多個晶圓上的化學溶液；一分析器，配置以分析所收集的化學溶液并輸出溶解在化學溶液中的一或多個種金屬離子的一濃度；以及一運算單元。運算單元用以比較一或多個種金屬離子的濃度與相應的一或多個基準值，并且響應一或多個種金屬離子的濃度等于或小于一或多個基準值，向晶圓清潔站傳送一第一命令以從晶圓清潔站移除一或多個晶圓。此外，運算單元用以響應一或多個種金屬離子的濃度大于一或多個基準值，向晶圓清潔站傳送一第二命令以調整清潔過程的一或多個參數。

附圖說明

根據以下的詳細說明并配合說明書附圖可以更加理解本發明實施例。應注意的是，根據本產業的標準慣例，圖示中的各種部件并未必按照比例繪制。事實上，可能任意的放大或縮小各種部件的尺寸，以做清楚的說明。于本說明書和附圖中，相似的附圖標號表示相似的特征。

圖1示出根據本公開一些實施例的一濕式清潔群集工具中的一示例性的一單晶圓清潔站的剖面圖。

圖2示出根據本公開一些實施例的用于晶圓清潔站的濕式清潔過程的流程圖。

圖3示出根據本公開一些實施例的一示例性的濕式清潔系統的示意圖。

附圖標記說明：

100?清潔站(晶圓濕式清潔站)

110?晶圓

120?晶圓固持器

125?旋轉基座

130?噴嘴

135?噴嘴臂

140?主軸

145?清潔溶液

150?排出管

200?方法(晶圓濕式清潔方法)

210?操作

220?操作