[發(fā)明專利]圖形轉移方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201910918577.3 | 申請日： | 2019-09-26 |
| 公開（公告）號： | CN112563121B | 公開（公告）日： | 2023-07-07 |
| 發(fā)明（設計）人： | 陳廣輝 | 申請（專利權）人： | 長鑫存儲技術有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/033 | 分類號： | H01L21/033;H01L21/027;G03F7/00 |
| 代理公司： | 華進聯(lián)合專利商標代理有限公司 44224 | 代理人： | 虞凌霄 |
| 地址： | 230000 安徽省合肥市*** | 國省代碼： | 安徽;34 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 圖形 轉移 方法 | ||
1.一種圖形轉移方法，包括：
提供襯底，所述襯底上形成有目標層，在所述目標層上形成掩膜層；
在所述掩膜層上形成光刻膠層，使用光刻工藝圖案化所述光刻膠層，形成光刻膠圖形；
使用所述光刻膠圖形圖案化所述掩膜層，形成掩膜圖形；
使用所述掩膜圖形圖案化所述目標層，形成目標層圖形；
其中，所述掩膜層包括摻雜氮元素和硼元素的摻雜碳薄膜；所述氮元素占所述摻雜碳薄膜的2wt％～10wt％，所述硼元素占所述摻雜碳薄膜的2wt％～10wt％；
所述氮元素的摻雜比例用于降低所述摻雜碳薄膜的折射率；
所述硼元素的摻雜比例用于提高所述摻雜碳薄膜的折射率；
所述掩膜層的厚度為50nm～700nm。
2.根據(jù)權利要求1所述的一種圖形轉移方法，其特征在于，所述目標層為介電層或導電層。
3.根據(jù)權利要求1所述的一種圖形轉移方法，其特征在于，在所述目標層上形成所述掩膜層的步驟，包括：
將所述襯底放入處理腔室；
設定工藝參數(shù)；
向所述處理腔室通入反應氣體以形成所述掩膜層，所述反應氣體包括碳源反應氣體和摻雜反應氣體，所述摻雜反應氣體包括氮源氣體和硼源氣體。
4.根據(jù)權利要求3所述的圖形轉移方法，其特征在于，所述碳源反應氣體和所述摻雜反應氣體的流量之比為2：1至100：1。
5.根據(jù)權利要求4所述的一種圖形轉移方法，其特征在于，所述碳源反應氣體的流量為100標準毫升/分鐘～10000標準毫升/分鐘，所述摻雜反應氣體的流量不大于5000標準毫升/分鐘。
6.根據(jù)權利要求3所述的圖形轉移方法，其特征在于，所述氮源氣體包括氨氣。
7.根據(jù)權利要求3所述的圖形轉移方法，其特征在于，所述硼源氣體包括乙硼烷。
8.根據(jù)權利要求3所述的圖形轉移方法，其特征在于，在所述目標層上形成所述掩膜層的步驟，還包括：
向所述處理腔室通入惰性氣體。
9.根據(jù)權利要求1所述的圖形轉移方法，其特征在于，使用光刻工藝圖案化所述光刻膠層的步驟，包括以下工藝參數(shù)：
烘烤溫度為70℃～110℃；烘烤時間為10min～30min；曝光量為20mJ/cm2～30mJ/cm2。
10.根據(jù)權利要求1所述的一種圖形轉移方法，其特征在于，使用所述光刻膠圖形圖案化所述掩膜層，形成掩膜圖形的步驟，包括：使用干法蝕刻所述掩膜層以形成所述掩膜圖形。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
