[發(fā)明專利]一種芯片拋光方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201910918331.6
• 申請日: 2019-09-26
• 公開（公告）號(hào): CN110707007A
• 公開（公告）日: 2020-01-17
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 嵇群群;孫永武
• 申請（專利權(quán)）人: 蕪湖德銳電子技術(shù)有限公司
• 主分類號(hào): H01L21/306
• 分類號(hào): H01L21/306
• 代理公司: 11403 北京風(fēng)雅頌專利代理有限公司
• 代理人: 王剛

1.一種芯片拋光方法，其特征在于，包括如下步驟：

粗拋：先將載料盤進(jìn)行預(yù)熱，然后將芯片進(jìn)行固定并停止加熱，將載料盤固定在拋光機(jī)上修盤環(huán)內(nèi)，在轉(zhuǎn)速120～150r/min，壓力10～15N，拋光10～15min，取下芯片清洗后，氮?dú)獯蹈桑?/p>

細(xì)拋：將粗磨后的芯片固定在預(yù)熱的載料盤中，然后將載料盤采用雙修盤環(huán)進(jìn)行固定拋光，所述載料盤固定在所述雙修盤環(huán)的內(nèi)環(huán)上，所述雙修盤環(huán)的外環(huán)固定在拋光機(jī)上，通過所述雙修盤環(huán)的外環(huán)轉(zhuǎn)動(dòng)，帶動(dòng)所述雙修盤環(huán)內(nèi)環(huán)轉(zhuǎn)動(dòng)對芯片進(jìn)行細(xì)拋，所述細(xì)拋的轉(zhuǎn)速為120～150r/min，壓力0.5～4.5N，細(xì)拋5～10min，取下芯片清洗后，氮?dú)獯蹈桑?/p>

精拋：將細(xì)拋后的芯片，采用細(xì)拋同樣的固定方式進(jìn)行固定，然后在轉(zhuǎn)速為80～100r/min，壓力0.5～4.5N，精拋4～8min，同時(shí)，在精拋的過程中，向拋光盤的表面滴加硅溶膠溶液，滴加速度為0.5～1滴/s，精拋后，取下芯片清洗后，氮?dú)獯蹈伞?/p>

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的芯片拋光方法，其特征在于，所述粗拋和細(xì)拋均使用拋光劑，所述拋光劑采用分批添加，添加頻率為3～7次/min，添加量為1.5～3.5mL/次。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的芯片拋光方法，其特征在于，所述拋光機(jī)與所述修盤環(huán)之間鋪設(shè)有拋光墊，所述拋光墊為毛氈，厚度為1.5～1.8mm。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的芯片拋光方法，其特征在于，所述拋光墊表面開設(shè)有若干同心環(huán)溝槽，所述同心環(huán)溝槽之間貫穿有若干放射狀溝槽，所述放射狀溝槽的匯集點(diǎn)為所述同心環(huán)溝槽的圓心。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的芯片拋光方法，其特征在于，所述雙修盤環(huán)的內(nèi)環(huán)與外環(huán)的半徑比為2.5～4:1。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的芯片拋光方法，其特征在于，所述清洗的操作步驟為將芯片先放于丙酮中浸泡2～5min，再放入無水乙醇中浸泡2～5min。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的芯片拋光方法，其特征在于，所述硅溶膠溶液中料液比為1～4:1。