[發明專利]放大器裝置

有效

• 申請號: 201910918324.6
• 申請日: 2019-09-26
• 公開（公告）號: CN112564637B
• 公開（公告）日: 2023-08-25
• 發明（設計）人: 許恒嘉;楊軍
• 申請（專利權）人: 瑞昱半導體股份有限公司
• 主分類號: H03F1/30
• 分類號: H03F1/30;H03F3/10;H03F3/16
• 代理公司: 北京康信知識產權代理有限責任公司 11240
• 代理人: 王紅艷

1.一種放大器裝置，包括：

交流耦合電路；

放大器電路，被配置為放大輸入信號以產生輸出信號，其中，所述放大器電路包括第一輸入端和耦接至所述第一輸入端的第一晶體管，并且所述第一輸入端經由所述交流耦合電路接收所述輸入信號；以及

第一偏壓電路，被配置為基于所述第一晶體管是否響應于所述輸入信號的振幅不導通來接收第一電壓和直接來自所述放大器電路的所述輸出信號中的一者，以根據所接收的所述輸出信號和所述第一電壓中的一者施加第一偏壓電壓至所述第一輸入端以偏壓所述第一晶體管，使得所述放大器電路放大所述輸入信號以輸出所述輸出信號。

2.根據權利要求1所述的放大器裝置，其中，所述第一晶體管被配置為通過所述第一偏壓電壓進行偏壓，以根據所述輸入信號產生所述輸出信號，并且所述第一偏壓電路被配置為根據所述輸出信號輸出所述第一偏壓電壓。

3.根據權利要求1所述的放大器裝置，其中，所述第一晶體管被配置為通過所述第一偏壓電壓進行偏壓，以根據所述輸入信號產生所述輸出信號，并且如果所述第一晶體管響應于所述輸入信號的振幅和所述輸出信號不導通，則所述第一偏壓電路被配置為根據所述第一電壓輸出所述第一偏壓電壓。

4.根據權利要求3所述的放大器裝置，還包括：

電壓產生電路，所述電壓產生電路被配置為用于仿真所述第一晶體管的操作條件，以產生所述第一電壓。

5.根據權利要求1所述的放大器裝置，其中，所述放大器電路還包括第二輸入端，所述第二輸入端經由所述交流耦合電路接收所述輸入信號，所述放大器電路還包括第二晶體管，所述第一晶體管和所述第二晶體管被配置為分別通過所述第一偏壓電壓和第二偏壓電壓進行偏壓，以根據所述輸入信號產生所述輸出信號，并且所述放大器裝置還包括：

第二偏壓電路，所述第二偏壓電路被配置為根據所述輸出信號和第二電壓中的一者施加所述第二偏壓電壓至所述第二輸入端，使得所述放大器電路放大所述輸入信號以輸出所述輸出信號。

6.根據權利要求5所述的放大器裝置，其中，所述第一偏壓電路被配置為根據所述輸出信號輸出所述第一偏壓電壓，并且所述第二偏壓電路被配置為根據所述輸出信號輸出所述第二偏壓電壓。

7.根據權利要求5所述的放大器裝置，其中，所述第一偏壓電路被配置為根據所述輸出信號輸出所述第一偏壓電壓，并且如果所述第二晶體管響應于所述輸入信號的振幅和所述輸出信號不導通，則所述第二偏壓電路被配置為根據所述第二電壓輸出所述第二偏壓電壓。

8.根據權利要求5所述的放大器裝置，其中，如果所述第一晶體管和所述第二晶體管響應于所述輸入信號的振幅和所述輸出信號不導通，則所述第一偏壓電路被配置為根據所述第一電壓輸出所述第一偏壓電壓，并且所述第二偏壓電路被配置為根據所述第二電壓輸出所述第二偏壓電壓。

9.根據權利要求8所述的放大器裝置，還包括：

第一電壓產生電路，所述第一電壓產生電路被配置為仿真所述第一晶體管的操作條件，以產生所述第一電壓；以及

第二電壓產生電路，所述第二電壓產生電路被配置為仿真所述第二晶體管的操作條件，以產生所述第二電壓。

10.根據權利要求5所述的放大器裝置，其中，所述第一晶體管和所述第二晶體管被配置為根據所述第一偏壓電壓和所述第二偏壓電壓操作為反相器式放大器。

11.根據權利要求5所述的放大器裝置，其中，所述第二偏壓電路被配置為根據所述輸出信號輸出所述第二偏壓電壓，并且如果所述第一晶體管響應于所述輸入信號的振幅和所述輸出信號不導通，則所述第一偏壓電路被配置為根據所述第一電壓輸出所述第一偏壓電壓。