[發明專利]半導體器件及其形成方法

在審

• 申請號: 201910918281.1
• 申請日: 2019-09-26
• 公開（公告）號: CN112563200A
• 公開（公告）日: 2021-03-26
• 發明（設計）人: 周飛
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造(上海)有限公司;中芯國際集成電路制造(北京)有限公司
• 主分類號: H01L21/8234
• 分類號: H01L21/8234;H01L27/088
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 唐嘉

1.一種半導體器件的形成方法，其特征在于，包括：

提供襯底，在所述襯底上形成若干分立排布的芯層；

在所述芯層的側壁上形成第一側墻，所述第一側墻的頂部表面與所述芯層的頂部表面齊平；

去除至少一個所述芯層的一側壁上的所述第一側墻；

在去除所述第一側墻后的所述芯層的側壁上形成第二側墻，所述第一側墻和所述第二側墻采用非相同材料。

2.如權利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述第一側墻的材料包括氮化硅、氧化硅、碳化硅或氮氧化硅。

3.如權利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述第二側墻的材料包括氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、碳氧化硅、碳氮化硅或碳氮氧化硅。

4.如權利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述芯層的材料包括無定形硅、多晶硅或無定形碳。

5.如權利要求1所述的形成方法，其特征在于，在去除至少一個所述芯層的一側壁上的所述第一側墻之前，還包括：

在所述襯底上形成介質層，所述介質層的頂部與所述芯層的頂部齊平；

在所述介質層、所述芯層以及所述第一側墻上形成硬掩膜層，所述硬掩膜層開口暴露出至少一個所述芯層的一側壁上的所述第一側墻的頂部。

6.如權利要求1所述的形成方法，其特征在于，去除所述第一側墻的工藝為干法刻蝕工藝或濕法刻蝕工藝。

7.如權利要求1所述的形成方法，其特征在于，形成所述第二側墻的工藝為化學氣相沉積工藝或原子層氣相工藝或物理氣相沉積工藝。

8.如權利要求1所述的形成方法，其特征在于，形成所述第二側墻之后，還包括：

去除所述芯層；

以所述第一側墻和所述第二側墻為掩膜，刻蝕部分厚度的所述襯底；

去除所述第二側墻，以所述第一側墻掩為膜，繼續刻蝕部分厚度的所述襯底，在所述襯底上形成鰭部。

9.如權利要求5所述的形成方法，其特征在于，所述介質層的材料包括碳化硅、氧化硅、氮化硅、氮硼化硅、氮碳氧化硅或氮氧化硅。

10.一種如權利要求1-9任一所述的形成方法形成的半導體器件，其特征在于，包括：

襯底；

若干芯層，分立排布于所述襯底上；

第一側墻，位于所述芯層的側壁上，且所述第一側墻的頂部表面與所述芯層的頂部表面齊平；

第二側墻，至少位于一個所述芯層的一側壁上，且所述第一側墻和所述第二側墻采用非相同材料。