[發明專利]存儲裝置及其操作方法

有效

• 申請號: 201910917232.6
• 申請日: 2019-09-26
• 公開（公告）號: CN111435333B
• 公開（公告）日: 2023-04-18
• 發明（設計）人: 李顯雨;金榮均
• 申請（專利權）人: 愛思開海力士有限公司
• 主分類號: G06F12/02
• 分類號: G06F12/02;G11C16/10;G11C16/26
• 代理公司: 北京路浩知識產權代理有限公司 11002
• 代理人: 王璇;趙永莉

本申請涉及一種存儲裝置。該存儲裝置具有提高的操作速度，該存儲裝置包括用于控制存儲器裝置的存儲器控制器。該存儲器控制器包括：參數數據生成器，用于生成用于改變與存儲器裝置的操作相關的參數值的參數數據；以及參數控制器，用于輸出參數數據。該參數數據包括與參數值相關聯的錯誤保護字段。

相關申請的交叉引用

本申請要求于2019年1月11日提交的申請號為10-2019-0004124的韓國專利申請的優先權，其全部公開內容通過引用整體并入本文。

技術領域

本公開總體涉及一種電子裝置，且更特別地，涉及一種存儲裝置及其操作方法。

背景技術

存儲裝置通常在諸如計算機、智能電話或智能平板的主機裝置的控制下存儲數據。存儲裝置可將數據存儲在諸如硬盤驅動器(HDD)的磁盤上，并且也可以將數據存儲在諸如固態驅動器(SSD)或存儲卡的半導體存儲器，即非易失性存儲器上。

存儲裝置可包括被配置成存儲數據的存儲器裝置以及被配置成控制該存儲器裝置的存儲器控制器。存儲器裝置分為易失性存儲器裝置和非易失性存儲器裝置。非易失性存儲器裝置包括只讀存儲器(ROM)、可編程ROM(PROM)、電可編程ROM(EPROM)、電可擦除可編程ROM(EEPROM)、閃速存儲器、相變RAM(PRAM)、磁性RAM(MRAM)、電阻式RAM(RRAM)、鐵電RAM(FRAM)，等等。

發明內容

實施例提供一種用于設置正常參數的存儲裝置及其操作方法。

根據本公開的方面，提供一種控制存儲器裝置的存儲器控制器，該存儲器控制器包括：參數數據生成器，被配置成生成用于改變與存儲器裝置的操作相關的參數值的參數數據；以及參數控制器，被配置成輸出參數數據，其中參數數據包括與參數值相關聯的錯誤保護字段。

根據本公開的另一方面，提供一種操作控制存儲器裝置的存儲器控制器的方法，該方法包括：生成用于存儲或改變與存儲器裝置的操作相關的參數值的參數數據，并且輸出該參數數據，其中該參數數據包括與參數值相關聯的錯誤保護字段。

根據本公開的又一方面，提供一種存儲數據的存儲器裝置，該存儲器裝置包括：參數設置電路，被配置成設置與存儲器裝置的操作相關的參數值；以及寄存器，被配置成存儲參數值，其中，當包括參數值的參數數據包括錯誤保護字段時，參數設置電路基于該錯誤保護字段的值來執行存儲或改變參數值。

根據本公開的方面，提供一種存儲裝置，包括：存儲器裝置，包括寄存器；以及控制器，被配置成生成包括參數值和用于請求返回寄存器的值的返回字段的參數數據，其中存儲器裝置接收參數數據，將參數值存儲在寄存器中以基于參數值來執行操作，并且響應于返回字段的值向控制器傳送寄存器的值。

附圖說明

現在將參照附圖在下文中更全面地描述示例性實施例；然而，這些示例可以不同的形式來實施，并且不應被解釋為限于本文闡述的實施例。相反地，提供這些實施例以使本公開將是徹底且完整的，并且將示例性實施例的范圍全面地傳達給本領域的技術人員。

在附圖中，為了說明清楚，可能夸大尺寸。將理解的是，當元件被稱為在兩個元件“之間”時，其可以是這兩個元件之間的唯一元件，或者也可以存在一個或多個中間元件。相同的附圖標記始終表示相同的元件。

圖1是示出根據本公開的實施例的存儲裝置的框圖。

圖2是示出根據本公開的實施例的存儲器控制器的配置和操作的示圖。

圖3是示出根據本公開的實施例的存儲器裝置的引腳配置的示圖。

圖4是示出根據本公開的實施例的用于改變參數的方法的示圖。

圖5是示出根據本公開的實施例的包括錯誤保護字段的參數數據的示圖。