[發(fā)明專利]顯示面板及其制作方法及電子設(shè)備

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201910916342.0
• 申請日: 2019-09-26
• 公開（公告）號: CN112563288B
• 公開（公告）日: 2023-08-04
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 俞鳳至;王冠貴;張子建;馬應(yīng)海;張明福
• 申請（專利權(quán)）人: 云谷（固安）科技有限公司
• 主分類號: H01L27/12
• 分類號: H01L27/12;H01L23/64;H01L21/84
• 代理公司: 上海晨皓知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 31260
• 代理人: 成麗杰

本發(fā)明實(shí)施例涉及一種顯示面板及其制作方法及電子設(shè)備，顯示面板包括：基底，基底包括晶體管區(qū)以及電容區(qū)，晶體管區(qū)的基底的一側(cè)具有依次堆疊設(shè)置的有源層、柵介質(zhì)層以及第一導(dǎo)電層，有源層包括摻雜區(qū)，且摻雜區(qū)位于第一導(dǎo)電層相對兩側(cè)；層間介質(zhì)層，層間介質(zhì)層位于晶體管區(qū)且覆蓋第一導(dǎo)電層；第二導(dǎo)電層，第二導(dǎo)電層位于層間介質(zhì)層遠(yuǎn)離基底的一側(cè)，且第二導(dǎo)電層位于電容區(qū)；電容介質(zhì)層，電容介質(zhì)層位于電容區(qū)，且覆蓋第二導(dǎo)電層；第三導(dǎo)電層，第三導(dǎo)電層位于電容介質(zhì)層遠(yuǎn)離基底的一側(cè)，第三導(dǎo)電層位于電容區(qū)，且第三導(dǎo)電層在基底上的正投影與第二導(dǎo)電層在基底上的正投影至少部分重合。本發(fā)明有利于改善對有源層的補(bǔ)氫效果，提高顯示面板的性能。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種顯示面板及其制作方法及電子設(shè)備。

背景技術(shù)

當(dāng)前，隨著信息社會的發(fā)展和電子設(shè)備的普及，用于呈現(xiàn)信息的平板顯示器的需求逐漸增加。平板顯示器裝置包括液晶顯示裝置(LCD)、等離子體顯示面板(PDP)、有機(jī)發(fā)光顯示裝置(OLED)和電泳顯示裝置(ED)。

平板顯示器的顯示面板可包括具有以矩陣形式分布在每個像素區(qū)中的薄膜晶體管。目前主要使用的薄膜晶體管為低溫多晶硅薄膜晶體管(Low?Temperature?Poly-silicon，Thin?Film?Transistor，LTPS?TFT)。然而，現(xiàn)有技術(shù)的顯示面板的性能仍有待提高。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明實(shí)施例提供一種顯示面板及其制作方法及電子設(shè)備，提高顯示面板的性能。

為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明實(shí)施例提供一種顯示面板，包括：基底，所述基底包括晶體管區(qū)以及電容區(qū)，所述晶體管區(qū)的所述基底一側(cè)具有依次堆疊設(shè)置的有源層、柵介質(zhì)層以及第一導(dǎo)電層，所述有源層包括摻雜區(qū)，且所述摻雜區(qū)位于所述第一導(dǎo)電層相對的兩側(cè)；層間介質(zhì)層，所述層間介質(zhì)層位于所述晶體管區(qū)，且所述層間介質(zhì)層覆蓋所述第一導(dǎo)電層；第二導(dǎo)電層，所述第二導(dǎo)電層位于所述層間介質(zhì)層遠(yuǎn)離所述基底的一側(cè)，且所述第二導(dǎo)電層位于所述電容區(qū)；電容介質(zhì)層，所述電容介質(zhì)層位于所述電容區(qū)，且所述電容介質(zhì)層覆蓋所述第二導(dǎo)電層；第三導(dǎo)電層，所述第三導(dǎo)電層位于所述電容介質(zhì)層遠(yuǎn)離所述基底的一側(cè)，且所述第三導(dǎo)電層位于所述電容區(qū)，其中，所述第三導(dǎo)電層在所述基底上的正投影與所述第二導(dǎo)電層在所述基底上的正投影至少部分重合。

層間介質(zhì)層相較于電容介質(zhì)層更靠近有源層，因此層間介質(zhì)層中的氫離子擴(kuò)散至有源層的過程中，不再受到電容介質(zhì)層的阻攔作用，使得氫離子更易擴(kuò)散至有源層內(nèi)。

另外，所述顯示面板還包括第四導(dǎo)電層，所述第四導(dǎo)電層位于所述晶體管區(qū)，且所述第四導(dǎo)電層位于所述電容介質(zhì)層遠(yuǎn)離所述基底的一側(cè)；導(dǎo)電過孔，所述導(dǎo)電過孔貫穿所述電容介質(zhì)層以及所述層間介質(zhì)層，且所述導(dǎo)電過孔一端與所述第四導(dǎo)電層電連接，另一端與所述摻雜區(qū)電連接；優(yōu)選地，所述第四導(dǎo)電層、所述導(dǎo)電過孔及所述第三導(dǎo)電層的材料相同；優(yōu)選地，所述柵介質(zhì)層在所述基底上的正投影至少覆蓋所述有源層在所述基底上的正投影，，導(dǎo)電過孔還貫穿柵介質(zhì)層。由于第四導(dǎo)電層、導(dǎo)電過孔及第三導(dǎo)電層的材料相同，使得三者可以在同一掩膜工藝下形成，有利于減少工藝制程中的掩膜數(shù)量，降低工藝成本。

另外，所述電容介質(zhì)層的材料包括高相對介電常數(shù)的材料；優(yōu)選地，電容介質(zhì)層的材料的相對介電常數(shù)大于層間介質(zhì)層的材料的介電常數(shù)；優(yōu)選地，所述電容介質(zhì)層的材料包括二氧化鋯或二氧化鉿。采用高相對介電常數(shù)材料作為電容介質(zhì)層的材料，能夠在不增加第二導(dǎo)電層與第三導(dǎo)電層正對面積的情況下提高存儲電容，進(jìn)而提高產(chǎn)品性能。

另外，所述層間介質(zhì)層包含氮硅化物層；優(yōu)選地，所述氮硅化物層的厚度為在此厚度范圍內(nèi)時，層間介質(zhì)層所具有的氫離子含量可滿足有源層氫化的需求，同時有利于控制顯示面板的整體厚度。