[發明專利]遮蔽環位置監測方法及其監測系統

有效

• 申請號: 201910914992.1
• 申請日: 2019-09-26
• 公開（公告）號: CN110581083B
• 公開（公告）日: 2022-06-14
• 發明（設計）人: 王雪新;鐘飛
• 申請（專利權）人: 上海華力集成電路制造有限公司
• 主分類號: H01L21/66
• 分類號: H01L21/66
• 代理公司: 上海浦一知識產權代理有限公司 31211
• 代理人: 焦天雷

1.一種遮蔽環位置監測方法，用于半導體生產的先進圖形薄膜制程，其特征在于，包括以下步驟：

S1,建立用于標記晶圓缺口位置的直角坐標系；

S2,標記晶圓缺口在所述直角坐標系中的坐標范圍；

S3，沉積薄膜；

S4，在晶圓缺口坐標范圍內測量薄膜厚度；

S5，若晶圓缺口坐標范圍內薄膜厚度小于等于判斷閾值，則判斷遮蔽環位置準確；若晶圓缺口坐標范圍內薄膜厚度大于判斷閾值，則判斷遮蔽環位置不準確，進行遮蔽環位置校準。

2.如權利要求1所述的遮蔽環位置監測方法，其特征在于：

實施步驟S1時，該直角坐標系的X軸位于晶圓頂面所處平面，該直角坐標系的Y軸垂直于晶圓頂面所處平面，該直角坐標系原點位于晶圓頂面除晶圓缺口位置外的任意一點。

3.如權利要求1所述的遮蔽環位置監測方法，其特征在于：

實施步驟S4,在晶圓缺口坐標范圍內選取監測點，測量監測點的薄膜厚度。

4.如權利要求3所述的遮蔽環位置監測方法，其特征在于：

實施步驟S4,選取監測點位于晶圓缺口處的晶圓邊緣圓弧上。

5.如權利要求4所述的遮蔽環位置監測方法，其特征在于：

實施步驟S4,選取位于晶圓缺口處晶圓邊緣圓弧上的多個點作為監測點，所述多個點至少包括A點和B點,A點和B點位于晶圓缺口處晶圓邊緣圓弧中點兩側，A點和B點與晶圓缺口處晶圓邊緣圓弧中點之間弧長相等。

6.如權利要求5所述的遮蔽環位置監測方法，其特征在于：A點和B點與晶圓缺口處晶圓邊緣圓弧中點之間弧長大于等于2.5mm。

7.如權利要求4所述的遮蔽環位置監測方法，其特征在于：

實施步驟S4,選取晶圓缺口處晶圓邊緣圓弧的兩個端點作為監測點。

8.如權利要求1所述的遮蔽環位置監測方法，其特征在于：實施步驟S5時，判斷閾值為0-50埃。

9.一種遮蔽環位置監測系統，用于半導體生產的先進圖形薄膜制程，其特征在于，包括：

坐標系建立模塊，其用于建立標記晶圓缺口位置的直角坐標系；

晶圓缺口標記模塊，其用于標記晶圓缺口在所述直角坐標系中的坐標范圍；

薄膜厚度測量模塊，其用于測量生產工藝中淀積薄膜的厚度；

監測點選取模塊，其用于選取遮蔽環位置監測點；

判斷模塊，其根據晶圓缺口坐標范圍內出現薄膜厚度判斷遮蔽環位置是否準確。

10.如權利要求9所述的遮蔽環位置監測系統，其特征在于：

所述直角坐標系的X軸位于晶圓頂面所處平面，該直角坐標系的Y軸垂直于晶圓頂面所處平面，該直角坐標系原點位于晶圓頂面除晶圓缺口位置外的任意一點。

11.如權利要求9所述的遮蔽環位置監測系統，其特征在于：判斷模塊采用以下方式判斷遮蔽環位置是否準確；

若晶圓缺口坐標范圍內薄膜厚度等于零，則判斷遮蔽環位置準確；若晶圓缺口坐標范圍內薄膜厚度大于零，則判斷遮蔽環位置不準確，進行遮蔽環位置校準。

12.如權利要求9所述的遮蔽環位置監測系統，其特征在于：

監測點選取模塊，在晶圓缺口坐標范圍內選取監測點，測量監測點的薄膜厚度。

13.如權利要求12所述的遮蔽環位置監測系統，其特征在于：

監測點選取模塊，選取監測點位于晶圓缺口處的晶圓邊緣圓弧上。

14.如權利要求12所述的遮蔽環位置監測系統，其特征在于：

監測點選取模塊，選取晶圓缺口處晶圓邊緣圓弧的兩個端點作為監測點。