[發明專利]層疊陶瓷電容器

有效

• 申請號: 201910914294.1
• 申請日: 2019-09-25
• 公開（公告）號: CN110957135B
• 公開（公告）日: 2022-06-07
• 發明（設計）人: 荒木啟輔
• 申請（專利權）人: 株式會社村田制作所
• 主分類號: H01G4/30
• 分類號: H01G4/30;H01G4/12;H01G4/232
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司 11021
• 代理人: 韓聰

1.一種層疊陶瓷電容器，其特征在于，具備：

層疊體，其由電介質層與內部電極交替地進行多層層疊而得；以及

外部電極，其設置在所述層疊體的表面，并與被引出到所述層疊體的表面的所述內部電極電導通，

所述電介質層包含：

第一晶粒，其配置在與所述內部電極的層疊方向垂直的面的面方向上，并含有Ba、Ti以及稀土類元素；以及

第二晶粒，其配置在所述面方向上，并含有Ba、Ti以及稀土類元素，

所述電介質層包含所述第一晶粒在所述面方向上連續地配置而得到的第一粒子層、以及所述第二晶粒在所述面方向上連續地配置而得到的第二粒子層，

在所述層疊方向上相鄰的兩個所述內部電極之間，配置有兩個所述第二粒子層、以及被兩個所述第二粒子層夾著的所述第一粒子層，

關于從所述第一晶粒的界面起50nm以內的范圍中包含的所述稀土類元素對Ti的摩爾比M1、以及從所述第一晶粒的界面起50nm以上100nm以下的范圍中包含的所述稀土類元素對Ti的摩爾比M2，0.95≤M1/M2≤1.05的關系成立，

在所述第二粒子層中的所述第二晶粒中包含的所述稀土類元素對Ti的摩爾比是在所述第一粒子層中的所述第一晶粒中包含的所述稀土類元素對Ti的摩爾比的一半以下，

所述稀土類元素還包含在所述第一晶粒之間以及所述第二晶粒之間，在所述第二晶粒之間包含的所述稀土類元素的濃度低于在所述第一晶粒之間包含的所述稀土類元素的濃度。

2.根據權利要求1所述的層疊陶瓷電容器，其特征在于，

從所述第一晶粒的界面起50nm以上100nm以內的范圍中包含的所述稀土類元素對Ti的摩爾比是從所述第二晶粒的界面起50nm以上100nm以內的范圍中包含的所述稀土類元素對Ti的摩爾比的1.7倍以上。

3.根據權利要求1或2所述的層疊陶瓷電容器，其特征在于，

所述電介質層的厚度是0.1μm以上6.0μm以下。

4.根據權利要求1或2所述的層疊陶瓷電容器，其特征在于，

所述第一晶粒的平均粒徑大于所述第二晶粒的平均粒徑。

5.根據權利要求4所述的層疊陶瓷電容器，其特征在于，

所述第一晶粒的平均粒徑是150nm以上500nm以下，

所述第二晶粒的平均粒徑是100nm以上200nm以下。

6.根據權利要求1或2所述的層疊陶瓷電容器，其特征在于，

所述第二晶粒具有從界面起50nm以內所包含的所述稀土類元素對Ti的摩爾比高于從界面起50nm以上100nm以下的范圍中包含的所述稀土類元素對Ti的摩爾比的芯-殼構造。

7.根據權利要求1或2所述的層疊陶瓷電容器，其特征在于，

所述稀土類元素是Dy。