[發明專利]嵌入式閃存的制作方法

有效

• 申請號: 201910913691.7
• 申請日: 2019-09-25
• 公開（公告）號: CN110634746B
• 公開（公告）日: 2023-04-28
• 發明（設計）人: 張連寶;陳宏;楊輝;王卉;曹子貴
• 申請（專利權）人: 上海華虹宏力半導體制造有限公司
• 主分類號: H01L21/336
• 分類號: H01L21/336;H01L29/788;H01L29/423
• 代理公司: 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237
• 代理人: 曹廷廷

1.一種嵌入式閃存的制作方法，其特征在于，包括：

提供一襯底，所述襯底上依次形成有柵極氧化層、浮柵介質層、極間介質層、控制柵介質層和圖案化的犧牲層；

所述圖案化的犧牲層定義一第一開口，所述第一開口底部暴露出所述控制柵介質層的表面；

形成一第一側墻介質層，所述第一側墻介質層覆蓋所述圖案化的犧牲層以及暴露出的部分所述控制柵介質層；

對所述第一側墻介質層進行第一次刻蝕，以在所述第一開口的側壁上形成第一側墻結構；

對所述第一側墻介質層進行第二次刻蝕，以使所述第一側墻結構的頂部表面低于所述圖案化的犧牲層的表面；

對所述控制柵介質層和所述極間介質層進行刻蝕，以形成第二開口，所述第二開口位于所述第一開口下方，其底部暴露出所述浮柵介質層的表面；

在所述第二開口的側壁和第一側墻結構的側壁上形成第二側墻結構；

對所述浮柵介質層和柵極氧化層進行刻蝕，以形成第三開口，所述第三開口位于所述第二開口下方，其底部暴露出所述襯底的表面；

在所述第三開口的側壁和所述第二側墻結構的側壁上形成第三側墻結構；

形成字線介質層，所述字線介質層覆蓋所述襯底全局表面；

所述第二側墻結構包括形成于所述第二開口的側壁和第一側墻結構的側壁上的氮化硅側墻，以及形成于所述氮化硅側墻的側壁上的氧化硅側墻；

形成所述第二側墻結構的步驟包括：在所述襯底的全局表面上形成一氮化硅薄膜，對所述氮化硅薄膜進行刻蝕，以在所述第二開口的側壁和第一側墻結構的側壁上形成所述氮化硅側墻；

在所述襯底的全局表面上形成一氧化硅薄膜，對所述氧化硅薄膜進行刻蝕，以在所述氮化硅側墻的側壁上形成所述氧化硅側墻；

在對所述浮柵介質層和柵極氧化層進行刻蝕，形成所述第三開口時，所述第二側墻結構中的所述氧化硅側墻也同時被去除。

2.如權利要求1所述的嵌入式閃存的制作方法，其特征在于，所述圖案化的犧牲層的形成過程包括：形成犧牲層，所述犧牲層覆蓋所述控制柵介質層；

形成一光刻膠層，所述光刻膠層覆蓋所述犧牲層；

光刻膠層通過曝光顯影形成圖案化的光刻膠層；

以所述圖案化的光刻膠層為掩膜對所述犧牲層進行刻蝕，在所述犧牲層中形成所述第一開口。

3.如權利要求2所述的嵌入式閃存的制作方法，其特征在于，所述犧牲層為氮化硅層。

4.如權利要求1所述的嵌入式閃存的制作方法，其特征在于，

所述極間介質層為由第一氧化硅層、氮化硅層和第二氧化硅層組成的疊層，所述控制柵介質層位于所述第一氧化硅層上。

5.如權利要求4所述的嵌入式閃存的制作方法，其特征在于，

所述對所述控制柵介質層和所述極間介質層進行刻蝕的步驟包括：采用干法刻蝕工藝對所述控制柵介質層和所述極間介質層中的所述第一氧化硅層進行刻蝕，直至暴露出所述極間介質層中的氮化硅層的部分表面；

采用濕法刻蝕工藝對暴露出的所述氮化硅層以及所述第二氧化硅層進行刻蝕，直至暴露出部分所述浮柵介質層的表面，形成所述第二開口。

6.如權利要求1所述的嵌入式閃存的制作方法，其特征在于，所述字線介質層的材料為多晶硅。

7.如權利要求6所述的嵌入式閃存的制作方法，其特征在于，還包括對所述字線介質層采用化學機械研磨，去除位于所述圖案化的犧牲層表面上的所述字線介質層，形成字線。