[發(fā)明專利]一種天線裝置及信號處理方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201910913193.2
• 申請日: 2019-09-25
• 公開（公告）號: CN112563761B
• 公開（公告）日: 2022-07-22
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 王強;曹杰;耿陽;陳衛(wèi)民;肖嘯
• 申請（專利權(quán)）人: 上海華為技術(shù)有限公司
• 主分類號: H01Q19/06
• 分類號: H01Q19/06;H01Q15/02;H01Q21/06;H04B7/0413
• 代理公司: 深圳市深佳知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 44285
• 代理人: 吳磊

1.一種天線裝置，其特征在于，包括天線陣列和散射體結(jié)構(gòu)，所述散射體結(jié)構(gòu)設(shè)置于所述天線陣列的上方；

所述天線陣列包含M行N列的天線單元，所述M和所述N均為大于0的整數(shù)，所述M和所述N中至少有一個大于1；

所述散射體結(jié)構(gòu)包括Q層介質(zhì)基板，所述Q層介質(zhì)基板的目標(biāo)區(qū)域內(nèi)包含至少(Q+3)個諧振元，且所述目標(biāo)區(qū)域內(nèi)至少有一層介質(zhì)基板上包含至少4個諧振元，所述Q為大于0的整數(shù)；

在所述天線陣列上與所述目標(biāo)區(qū)域?qū)?yīng)的范圍內(nèi)包含第一天線單元，所述至少(Q+3)個諧振元中的至少一個諧振元被第二天線單元共用，所述至少一個諧振元的數(shù)目不大于3*Q，所述至少(Q+3)個諧振元中位于同一介質(zhì)基板上的多個諧振元沿第一對稱軸呈軸對稱分布，所述至少(Q+3)個諧振元在所述天線陣列所在的平面上的正投影沿第二對稱軸呈軸對稱分布，所述第二對稱軸為所述第一對稱軸在所述天線陣列所在平面上的正投影，所述第二對稱軸通過所述第一天線單元和第二天線單元的物理幾何中心，所述第二天線單元是與所述第一天線單元位于同一行或同一列的相鄰的天線單元；

所述諧振元為軸對稱結(jié)構(gòu)，且所述諧振元的諧振頻點屬于所述天線陣列的工作頻率范圍。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的天線裝置，其特征在于，所述第一天線單元與所述第二天線單元之間的距離小于0.45λ，其中，所述λ是對應(yīng)于所述天線陣列的中心頻率的電磁波波長。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的天線裝置，其特征在于，第一層介質(zhì)基板所在的平面與所述天線陣列的上表面所在的平面平行，所述第一層介質(zhì)基板與所述天線陣列的上表面之間的距離在0.15λ～0.35λ之間，所述第一層介質(zhì)基板為所述Q層介質(zhì)基板中距離所述天線陣列最近的一層介質(zhì)基板。

4.根據(jù)權(quán)利要求2或3所述的天線裝置，其特征在于，當(dāng)Q大于1時，所述Q層介質(zhì)基板中每相鄰兩層介質(zhì)基板之間的距離在0.15λ～0.3λ之間。

5.根據(jù)權(quán)利要求1-3中任一所述的天線裝置，其特征在于，所述諧振元的口徑小于(0.25λ^0.25λ)，其中，所述λ是對應(yīng)于所述天線陣列的中心頻率的電磁波波長，所述諧振元的口徑小于(0.25λ^0.25λ)具體為所述諧振元能夠被邊長為0.25λ的正方形完全覆蓋。

6.根據(jù)權(quán)利要求1-3中任一所述的天線裝置，其特征在于，所述諧振元為十字的對稱結(jié)構(gòu)、米字的對稱結(jié)構(gòu)、矩形邊框的對稱結(jié)構(gòu)或多個矩形組合而成的對稱結(jié)構(gòu)。

7.根據(jù)權(quán)利要求1-3中任一所述的天線裝置，其特征在于，當(dāng)所述Q大于1時，第x層介質(zhì)基板上的諧振元的尺寸為y，則第(x+1)層介質(zhì)基板上的諧振元的尺寸為{1-(0～0.25)}*y，其中，所述第(x+1)層介質(zhì)基板與所述天線陣列之間的距離大于所述第x層介質(zhì)基板與所述天線陣列之間的距離，所述x為大于0的整數(shù)。

8.根據(jù)權(quán)利要求1-3中任一所述的天線裝置，其特征在于，所述諧振元由第一部分和第二部分組成，所述第一部分和所述第二部分均為軸對稱結(jié)構(gòu)；

所述第一部分設(shè)置于所述介質(zhì)基板上目標(biāo)設(shè)置區(qū)域的正面且所述第二部分設(shè)置于所述介質(zhì)基板上目標(biāo)設(shè)置區(qū)域的反面，或所述第一部分設(shè)置于所述介質(zhì)基板上目標(biāo)設(shè)置區(qū)域的反面且所述第二部分設(shè)置于所述介質(zhì)基板上目標(biāo)設(shè)置區(qū)域的正面。

9.根據(jù)權(quán)利要求1-3中任一所述的天線裝置，其特征在于，所述天線裝置還包括：介質(zhì)材料，所述介質(zhì)材料填充于所述Q層介質(zhì)基板中每相鄰兩層介質(zhì)基板之間。

10.根據(jù)權(quán)利要求1-3中任一所述的天線裝置，其特征在于，所述天線裝置還包括：耦合對消鏈路，所述耦合對消鏈路設(shè)置于所述第一天線單元和所述第二天線單元之間。

11.根據(jù)權(quán)利要求1-3任一所述的天線裝置，其特征在于，所述天線單元為正負(fù)45度雙極化天線輻射單元或垂直/水平雙極化天線輻射單元。

12.根據(jù)權(quán)利要求1-3任一所述的天線裝置，其特征在于，所述天線陣列的每一行或每一列的天線單元連接一個或多個射頻通道。