[發(fā)明專(zhuān)利]電子器件

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201910911031.5
• 申請(qǐng)日: 2019-09-25
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN110970488A
• 公開(kāi)（公告）日: 2020-04-07
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 皮特·莫昂;奧羅拉·康斯坦特;彼得·科龐;阿布舍克·班納吉
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 半導(dǎo)體元件工業(yè)有限責(zé)任公司
• 主分類(lèi)號(hào): H01L29/06
• 分類(lèi)號(hào): H01L29/06;H01L29/41;H01L29/778
• 代理公司: 北京派特恩知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11270
• 代理人: 王琳;馬芬

1.一種電子器件，所述電子器件包括：

溝道層；

第一載流子供應(yīng)層，所述第一載流子供應(yīng)層覆蓋在所述溝道層上面；

高電子遷移率晶體管的柵極電極，所述柵極電極覆蓋在所述溝道層上面；和

所述高電子遷移率晶體管的漏極電極，所述漏極電極覆蓋在所述溝道層上面，

其中：

所述高電子遷移率晶體管具有沿著所述溝道層和所述第一載流子供應(yīng)層之間的界面的二維電子氣，

所述二維電子氣在第一點(diǎn)鄰近具有第一密度，在第二點(diǎn)鄰近具有第二密度，在第三點(diǎn)鄰近具有第三密度，

所述柵極電極到所述第一點(diǎn)的距離小于到所述第二點(diǎn)和所述第三點(diǎn)的距離，

所述漏極電極到所述第三點(diǎn)的距離小于到所述第一點(diǎn)和所述第二點(diǎn)的距離，

所述第二點(diǎn)設(shè)置在所述第一點(diǎn)和所述第三點(diǎn)之間，并且

所述第二密度大于所述第一密度和所述第三密度中的每一者。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子器件，其中所述柵極電極不覆蓋在所述第一點(diǎn)上面。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子器件，還包括第二載流子供應(yīng)層，所述第二載流子供應(yīng)層在所述第二點(diǎn)上的厚度大于在所述第一點(diǎn)上的厚度。

4.一種電子器件，所述電子器件包括：

溝道層；

第一載流子供應(yīng)層，所述第一載流子供應(yīng)層覆蓋在所述溝道層上面；

高電子遷移率晶體管的柵極電極，所述柵極電極覆蓋在所述溝道層上面；

所述高電子遷移率晶體管的漏極電極，所述漏極電極覆蓋在所述溝道層上面；和

第二載流子供應(yīng)層，所述第二載流子供應(yīng)層包括：

第一膜，所述第一膜覆蓋在所述第一載流子供應(yīng)層上面；和

第二膜，所述第二膜覆蓋在所述第一膜上面，其中所述柵極電極到所述第一膜的距離小于到所述第二膜的距離，并且所述第二膜到所述漏極電極的距離小于到柵極電極的距離。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的電子器件，其中所述漏極電極覆蓋在所述第二載流子供應(yīng)層的所述第一膜上面而不是所述第二膜上面。

6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的電子器件，還包括在所述柵極電極上方的介電層，其中所述介電層包括第一部分，所述第一部分具有在朝向所述漏極電極的第一方向上延伸的第一長(zhǎng)度。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的電子器件，其中所述介電層包括第二部分，所述第二部分沿著所述柵極電極的側(cè)壁放置，與所述第一部分鄰接，并且所述第二部分到所述漏極電極的距離大于所述第一部分到所述漏極電極的距離。

8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的電子器件，還包括所述高電子遷移率晶體管的源極電極，其中所述介電層：

包括第二部分，所述第二部分具有在朝向所述源極電極并與所述第一方向相反的第二方向上延伸的第二長(zhǎng)度，其中所述第二長(zhǎng)度比所述第一長(zhǎng)度短；或者

不包括具有沿著所述第二方向從所述柵極電極朝向所述源極電極延伸的長(zhǎng)度的部分。

9.根據(jù)權(quán)利要求4所述的電子器件，還包括蝕刻停止層，所述蝕刻停止層覆蓋在所述第一載流子供應(yīng)層上面，其中所述柵極電極覆蓋在所述蝕刻停止層上面。

10.根據(jù)權(quán)利要求4所述的電子器件，還包括：

所述高電子遷移率晶體管的源極電極，所述源極電極覆蓋在所述溝道層上面；和

介電層，所述介電層覆蓋在所述柵極電極上面，

其中：

所述第二載流子供應(yīng)層是單晶AlN層，

所述漏極電極不覆蓋在所述第二載流子供應(yīng)層的所述第二膜上面，并且

所述介電層包含氧化物，所述介電層具有第一部分，所述第一部分具有在朝向所述漏極電極的第一方向上延伸的第一長(zhǎng)度，并且所述介電層具有第二部分，所述第二部分具有在朝向所述源極電極的第二方向上延伸的第二長(zhǎng)度，其中所述第二方向與所述第一方向相反，并且所述第二長(zhǎng)度比所述第一長(zhǎng)度短。