[發明專利]一種液晶顯示面板的制造方法

在審

• 申請號: 201910911010.3
• 申請日: 2019-09-25
• 公開（公告）號: CN110690168A
• 公開（公告）日: 2020-01-14
• 發明（設計）人: 易志根;鄭帥;潘明超;殷大山
• 申請（專利權）人: 南京中電熊貓平板顯示科技有限公司;南京中電熊貓液晶顯示科技有限公司;南京華東電子信息科技股份有限公司
• 主分類號: H01L21/77
• 分類號: H01L21/77;H01L27/12
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

本發明提供一種液晶顯示面板的制造方法，從底層到頂層依序形成公共電極層、遮光層、有機絕緣層、半導體層、柵極絕緣層、柵極、層間絕緣層、源極和漏極、第一絕緣層和像素電極層；有機絕緣層對遮光層的金屬進行保護，在去掉像素區域內的第一金屬層后，有機絕緣層和公共電極層同時進行烘烤，使得機絕緣層和公共電極層同時進行結晶化，以此保護有機絕緣層下方的遮光層，避免遮光層在烘烤時產生氧化，同時能保證像素區域的公共電極層結晶后有良好的透光率和電阻率。本發明液晶顯示面板為減掩膜版設計，與現有9道掩膜版工藝相比減少為7道掩膜版，可以節約成本，同時保留TFT器件的電性優勢。

技術領域

本發明涉及液晶面板的技術領域，尤其涉及一種液晶顯示面板的制造方法。

背景技術

頂柵的TFT器件具有較小的Cgs(柵極和漏極之間的電容)和Cgd(柵極和源極之間的電容),相對于常規的底柵的TFT器件具有較小的功耗和較好的器件穩定性，被廣泛用于OLED補償電路和低功耗顯示器件中。但是頂柵的TFT器件的工藝需要9道Mask(掩膜版)，有明顯的成本劣勢。

發明內容

本發明的目的在于提供一種節約成本、保持TFT器件的電性優勢的液晶顯示面板的制造方法。

本發明提供一種液晶顯示面板的制造方法，包括如下步驟：

S1：在基板上依序沉積公共電極層和第一金屬層的疊層結構；

S2：首先在步驟S1的基礎上沉積一層有機絕緣層；然后采用半透掩膜版對有機絕緣層進行曝光并形成位于像素區域內的第一凹槽區域、位于端子區域的接觸孔位置內的第二凹槽區域以及位于像素區域和端子區域之間的連接區域內的第一開孔；

S3：首先，在步驟S2的基礎上，進行第一次刻蝕并刻蝕掉位于第一開孔下的第一金屬層；然后進行第二次刻蝕并刻蝕掉位于第一開孔下的公共電極層；

S4：在步驟S3的基礎上對有機絕緣層進行第一次灰化處理，使得去除第一凹槽區域內的有機絕緣層和第二凹槽區域內的有機絕緣層；

S5：在步驟S4的基礎上分別對像素區域和端子區域進行刻蝕并分別去除像素區域和端子區域內的第一金屬層；

S6：在步驟S5的基礎上對有機絕緣層和公共電極層一同進行烘烤，同時進行有機絕緣層和公共電極層進行的結晶化；

S7：在步驟S5的基礎上，首先形成頂柵結構的TFT器件，然后形成與TFT器件的漏極連接的像素電極。

優選地，所述步驟S2中，半透掩膜版分別在像素區域和端子區域為半透區域，半透掩膜版在像素區域和端子區域之間的連接區域為全透區域。

優選地，還包括位于步驟S6和S7之間的步驟S61：

S61：在步驟S6的基礎上對有機絕緣層進行第二次灰化處理，去除超過第一金屬層兩側的有機絕緣層，第一金屬層形成位于有機絕緣層下方的遮光層。

優選地，步驟S7包括如下步驟：

S71：在步驟S61的基礎上采用化學氣相沉積法成膜形成一層緩沖層；

S72：在步驟S71的基礎上形成半導體層；

S73：在步驟S72的基礎上依序沉積絕緣材料層和第二金屬層并分別對絕緣材料層和第二金屬層進行刻蝕形成位于半導體上的柵極絕緣層和位于柵極絕緣層上的柵極；

S74：在步驟S73的基礎上首先沉積一層層間絕緣層，然后對層間絕緣層進行刻蝕形成位于端子區域內且公共電極層上的第二開孔；

S75：在步驟S74的基礎上沉積第三金屬層并對第三金屬層進行刻蝕形成位于第二開孔內的源極和漏極，其中源極和漏極分別位于半導體的兩側；