[發(fā)明專利]一種液晶顯示面板的制造方法

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• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201910911010.3
• 申請(qǐng)日: 2019-09-25
• 公開（公告）號(hào): CN110690168A
• 公開（公告）日: 2020-01-14
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 易志根;鄭帥;潘明超;殷大山
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 南京中電熊貓平板顯示科技有限公司;南京中電熊貓液晶顯示科技有限公司;南京華東電子信息科技股份有限公司
• 主分類號(hào): H01L21/77
• 分類號(hào): H01L21/77;H01L27/12
• 代理公司: 暫無(wú)信息
• 代理人: 暫無(wú)信息

本發(fā)明提供一種液晶顯示面板的制造方法，從底層到頂層依序形成公共電極層、遮光層、有機(jī)絕緣層、半導(dǎo)體層、柵極絕緣層、柵極、層間絕緣層、源極和漏極、第一絕緣層和像素電極層；有機(jī)絕緣層對(duì)遮光層的金屬進(jìn)行保護(hù)，在去掉像素區(qū)域內(nèi)的第一金屬層后，有機(jī)絕緣層和公共電極層同時(shí)進(jìn)行烘烤，使得機(jī)絕緣層和公共電極層同時(shí)進(jìn)行結(jié)晶化，以此保護(hù)有機(jī)絕緣層下方的遮光層，避免遮光層在烘烤時(shí)產(chǎn)生氧化，同時(shí)能保證像素區(qū)域的公共電極層結(jié)晶后有良好的透光率和電阻率。本發(fā)明液晶顯示面板為減掩膜版設(shè)計(jì)，與現(xiàn)有9道掩膜版工藝相比減少為7道掩膜版，可以節(jié)約成本，同時(shí)保留TFT器件的電性優(yōu)勢(shì)。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及液晶面板的技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種液晶顯示面板的制造方法。

背景技術(shù)

頂柵的TFT器件具有較小的Cgs(柵極和漏極之間的電容)和Cgd(柵極和源極之間的電容),相對(duì)于常規(guī)的底柵的TFT器件具有較小的功耗和較好的器件穩(wěn)定性，被廣泛用于OLED補(bǔ)償電路和低功耗顯示器件中。但是頂柵的TFT器件的工藝需要9道Mask(掩膜版)，有明顯的成本劣勢(shì)。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明的目的在于提供一種節(jié)約成本、保持TFT器件的電性優(yōu)勢(shì)的液晶顯示面板的制造方法。

本發(fā)明提供一種液晶顯示面板的制造方法，包括如下步驟：

S1：在基板上依序沉積公共電極層和第一金屬層的疊層結(jié)構(gòu)；

S2：首先在步驟S1的基礎(chǔ)上沉積一層有機(jī)絕緣層；然后采用半透掩膜版對(duì)有機(jī)絕緣層進(jìn)行曝光并形成位于像素區(qū)域內(nèi)的第一凹槽區(qū)域、位于端子區(qū)域的接觸孔位置內(nèi)的第二凹槽區(qū)域以及位于像素區(qū)域和端子區(qū)域之間的連接區(qū)域內(nèi)的第一開孔；

S3：首先，在步驟S2的基礎(chǔ)上，進(jìn)行第一次刻蝕并刻蝕掉位于第一開孔下的第一金屬層；然后進(jìn)行第二次刻蝕并刻蝕掉位于第一開孔下的公共電極層；

S4：在步驟S3的基礎(chǔ)上對(duì)有機(jī)絕緣層進(jìn)行第一次灰化處理，使得去除第一凹槽區(qū)域內(nèi)的有機(jī)絕緣層和第二凹槽區(qū)域內(nèi)的有機(jī)絕緣層；

S5：在步驟S4的基礎(chǔ)上分別對(duì)像素區(qū)域和端子區(qū)域進(jìn)行刻蝕并分別去除像素區(qū)域和端子區(qū)域內(nèi)的第一金屬層；

S6：在步驟S5的基礎(chǔ)上對(duì)有機(jī)絕緣層和公共電極層一同進(jìn)行烘烤，同時(shí)進(jìn)行有機(jī)絕緣層和公共電極層進(jìn)行的結(jié)晶化；

S7：在步驟S5的基礎(chǔ)上，首先形成頂柵結(jié)構(gòu)的TFT器件，然后形成與TFT器件的漏極連接的像素電極。

優(yōu)選地，所述步驟S2中，半透掩膜版分別在像素區(qū)域和端子區(qū)域?yàn)榘胪竻^(qū)域，半透掩膜版在像素區(qū)域和端子區(qū)域之間的連接區(qū)域?yàn)槿竻^(qū)域。

優(yōu)選地，還包括位于步驟S6和S7之間的步驟S61：

S61：在步驟S6的基礎(chǔ)上對(duì)有機(jī)絕緣層進(jìn)行第二次灰化處理，去除超過(guò)第一金屬層兩側(cè)的有機(jī)絕緣層，第一金屬層形成位于有機(jī)絕緣層下方的遮光層。

優(yōu)選地，步驟S7包括如下步驟：

S71：在步驟S61的基礎(chǔ)上采用化學(xué)氣相沉積法成膜形成一層緩沖層；

S72：在步驟S71的基礎(chǔ)上形成半導(dǎo)體層；

S73：在步驟S72的基礎(chǔ)上依序沉積絕緣材料層和第二金屬層并分別對(duì)絕緣材料層和第二金屬層進(jìn)行刻蝕形成位于半導(dǎo)體上的柵極絕緣層和位于柵極絕緣層上的柵極；

S74：在步驟S73的基礎(chǔ)上首先沉積一層層間絕緣層，然后對(duì)層間絕緣層進(jìn)行刻蝕形成位于端子區(qū)域內(nèi)且公共電極層上的第二開孔；

S75：在步驟S74的基礎(chǔ)上沉積第三金屬層并對(duì)第三金屬層進(jìn)行刻蝕形成位于第二開孔內(nèi)的源極和漏極，其中源極和漏極分別位于半導(dǎo)體的兩側(cè)；