[發明專利]半導體結構制造方法

有效

• 申請號: 201910910273.2
• 申請日: 2019-09-25
• 公開（公告）號: CN112563143B
• 公開（公告）日: 2022-03-22
• 發明（設計）人: 晁呈芳
• 申請（專利權）人: 長鑫存儲技術有限公司
• 主分類號: H01L21/48
• 分類號: H01L21/48
• 代理公司: 上海晨皓知識產權代理事務所(普通合伙) 31260
• 代理人: 成麗杰

1.一種半導體結構制造方法，其特征在于，包括：

提供基底，所述基底上具有多個分立的導電層；

在所述基底上形成覆蓋所述導電層頂部以及側壁的前驅物層，且所述前驅物層的頂面高于所述導電層的頂面；

對所述前驅物層進行預氧化處理，使所述前驅物層中高于所述導電層的頂面的前驅物層頂部轉化為第一阻擋層，所述第一阻擋層的致密度大于所述前驅物層的致密度；

在含氧氛圍下對所述前驅物層中位于所述第一阻擋層下方的前驅物層底部進行退火處理，在所述退火處理過程中，所述前驅物層底部內產生氣體，以形成具有多個氣孔的隔離層；

所述前驅物層的材料包括含有Si-N鍵與Si-H鍵的聚合物；所述隔離層的材料包括氧化硅。

2.根據權利要求1所述的半導體結構制造方法，其特征在于，所述預氧化處理的溫度為第一處理溫度，所述退火處理的溫度為第二處理溫度，所述第一處理溫度小于所述第二處理溫度。

3.根據權利要求2所述的半導體結構制造方法，其特征在于，所述第一處理溫度為10°C~450°C，所述第二處理溫度為200°C~500°C。

4.根據權利要求1所述的半導體結構制造方法，其特征在于，所述預氧化處理在含氧氣體的氛圍下進行，且所述含氧氣體流量為5sccm~2000sccm。

5.根據權利要求1所述的半導體結構制造方法，其特征在于，所述使所述前驅物層中高于所述導電層的頂面的前驅物層頂部轉化為第一阻擋層，包括：形成的所述第一阻擋層的底面與所述導電層的頂面齊平，或者，形成的所述第一阻擋層的底面高于所述導電層的頂面。

6.根據權利要求5所述的半導體結構制造方法，其特征在于，在進行所述退火處理之前，所述第一阻擋層的厚度與所述前驅物底部的厚度比值為0.1~0.25。

7.根據權利要求1所述的半導體結構制造方法，其特征在于，采用化學氣相沉積或者旋轉涂覆工藝形成所述前驅物層。

8.根據權利要求1所述的半導體結構制造方法，其特征在于，在預設溫度下進行化學氣相沉積工藝，形成所述前驅物層，且所述預設溫度為25°C~70°C。

9.根據權利要求1所述的半導體結構制造方法，其特征在于，所述退火處理過程中所述前驅物層底部內產生的氣體包括NH₃、H₂或者N₂中的至少一種。

10.根據權利要求1所述的半導體結構制造方法，其特征在于，在所述退火處理過程中，所述第一阻擋層轉化為第二阻擋層，且所述第二阻擋層的致密度大于所述第一阻擋層的致密度。

11.根據權利要求10所述的半導體結構制造方法，其特征在于，所述隔離層的頂面高于所述導電層的頂面；在形成所述隔離層之后，還包括：去除所述第二阻擋層以及高于所述導電層的頂面的隔離層，以使去除后的隔離層的頂面平齊于去除后的導電層的頂面；在所述導電層的頂面以及所述隔離層的頂面上形成第三阻擋層，且所述第三阻擋層的致密度大于所述隔離層的致密度。