[發明專利]一種等離子電源的射頻方法

在審

• 申請號: 201910909515.6
• 申請日: 2019-09-19
• 公開（公告）號: CN112522670A
• 公開（公告）日: 2021-03-19
• 發明（設計）人: 顏朝陽
• 申請（專利權）人: 湖南普萊思邁電子科技有限公司
• 主分類號: C23C14/34
• 分類號: C23C14/34;C23C14/06;C23C14/08
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種等離子電源的射頻方法，其特征在于，操作步驟如下：

S1、等離子電源中采用射頻濺射技術，且配備相應的匹配網絡，并將工作氣壓降低；

S2、在射頻濺射的過程中，為了獲得高能量的攝像靶面的正離子流，置于放電中的靶子的表面必須有較高的負電位；

S3、在氣體濺射過程中，將反應氣體引入濺射氣體中摻入氧、氮、甲烷或一氧化氮、硫化氮從而沉積出了氧化物、氮化物、碳化物和硫化物薄膜；

S4、當高能粒子轟擊靶子表面時，就把能量傳遞給轟擊區的表面，使靶子表面原子獲得很高的能量而由靶中逸出，如此近射頻。

2.根據權利要求1所述的一種等離子電源的射頻方法，其特征在于，S1的射頻濺射中靶子要絕緣，也要水冷，靶系統的冷卻水連接著靶作為陰極和真空腔體作為陽極，冷卻水的絕緣電阻要足夠大，即要保證冷卻水管有足夠的長度，一般情況下，靶的冷卻水管約為10m，靶要安裝屏蔽罩，由于靶的邊緣戲射口，便于陽極罩與其安裝，能控制邊緣濺射在合適的范圍。

3.根據權利要求1所述的一種等離子電源的射頻方法，其特征在于，S2中靶子的凈直流電流必須為零，靶面電位至多只能稍微變正，其負峰值必須是等同于所加高頻電位正負峰間的幅值。

4.根據權利要求1所述的一種等離子電源的射頻方法，其特征在于，S3中反應氣體含量必須加以控制，若濺射總壓力改變，為了保證同一薄膜性質，反應氣體的含量亦需改變，當總壓力增加時，反應氣體的濃度必須降低。

5.根據權利要求1所述的一種等離子電源的射頻方法，其特征在于，S3中靶子厚度為某個定值，靶子阻抗與面積成反比，因此放電功率隨著面積的增大而升高，且靶子濺射出來物質，呈半球形分布。

6.根據權利要求1所述的一種等離子電源的射頻方法，其特征在于，S4中靶子與陽極罩之間的距離必須滿足2R，且中R表示電子的旋轉半徑，m表示電子質量，V表示陰極電壓，q表示電子電量，B表示靶表面磁場強度，并通過R＝mV/qB計算出R值，從而調整靶子與陽極罩之間的間距。