[發明專利]調整吸盤吸力分布改善硅片翹曲的方法

有效

• 申請號: 201910908045.1
• 申請日: 2019-09-24
• 公開（公告）號: CN110620067B
• 公開（公告）日: 2022-03-25
• 發明（設計）人: 李璟;丁敏俠;張清洋;齊威;朱世懂;折昌美;陳進新
• 申請（專利權）人: 中國科學院微電子研究所
• 主分類號: H01L21/67
• 分類號: H01L21/67;H01L21/68
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司 11021
• 代理人: 吳夢圓

1.一種調整吸盤吸力分布改善硅片翹曲的方法，該方法包括：

獲取當前待曝光硅片的形貌圖，得到硅片表面高度分布信息數據；

根據硅片表面高度分布信息數據計算當前硅片局部翹曲度；

根據計算出的當前硅片局部翹曲度計算硅片表面局部吸附載荷；以及

根據計算出的硅片表面局部吸附載荷調整硅片表面吸點吸力大小；

所述根據計算出的硅片表面局部吸附載荷調整硅片表面吸點吸力大小是基于吸孔密集化分布且局部或單一吸孔獨立可控的吸盤實現的；

根據計算出的硅片表面位置的局部吸附載荷調整與該位置接觸的吸孔密集化分布且局部或單一吸孔獨立可控的吸盤上的吸孔的吸力大小，使吸力大小等于局部吸附載荷的大小，進而實現對硅片的彎曲程度的調整；

將在高度測量坐標系中采集的硅片表面高度分布信息數據h(x',y')轉換到(X,Y,Z)坐標系中，(x,y)^T＝R·(x',y')^T，這里R為坐標變換矩陣，坐標變換矩陣由高度測量坐標系和(X,Y,Z)坐標系的相對位置決定；

計算出在當前坐標系下硅片表面距(XY)平面的高度z，也就是硅片的彎曲度數據w(x,y)，即z＝w(x,y)；

所述根據計算出的當前硅片局部翹曲度計算硅片表面局部吸附載荷，是采用以下公式實現：

其中，E為硅片彈性模量，ν為硅片泊松比，t為硅片厚度，為4階微分算子。

2.根據權利要求1所述的調整吸盤吸力分布改善硅片翹曲的方法，其特征在于，所述硅片表面高度分布信息數據是外部傳感器通過檢測當前待曝光硅片的表面形貌圖得到的。

3.根據權利要求1所述的調整吸盤吸力分布改善硅片翹曲的方法，其特征在于，所述硅片表面高度分布信息數據位于高度測量坐標系中。

4.根據權利要求1所述的調整吸盤吸力分布改善硅片翹曲的方法，其特征在于，所述(X,Y,Z)坐標系以待曝光的硅片中面，即硅片厚度的一半處為參考平面(X,Y)，Z軸垂直于參考平面為水平面(X,Y)向下。

5.根據權利要求1所述的調整吸盤吸力分布改善硅片翹曲的方法，其特征在于，所述吸孔密集化分布且局部或單一吸孔獨立可控的吸盤，其局部或單一吸孔的真空度可獨立控制。

6.根據權利要求1所述的調整吸盤吸力分布改善硅片翹曲的方法，其特征在于，所述吸孔密集化分布且局部或單一吸孔獨立可控的吸盤，其吸孔為徑向或正交分布，孔間距不大于10mm。