[發明專利]饋送結構、包括饋送結構的電氣部件以及模塊

在審

• 申請號: 201910907908.3
• 申請日: 2019-09-24
• 公開（公告）號: CN110943281A
• 公開（公告）日: 2020-03-31
• 發明（設計）人: 易卜拉欣·哈利勒;侯賽因·霍桑納·拉德哈尼;亨利·安德烈·克里斯坦基
• 申請（專利權）人: 恩智浦美國有限公司
• 主分類號: H01Q1/36
• 分類號: H01Q1/36
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司 11021
• 代理人: 紀雯

一種用于電氣部件的饋送結構包括槽縫結構，所述槽縫結構具有彼此相對的第一縱向區段和第二縱向區段以及彼此相對的第一互連區段和第二互連區段。所述第一互連區段和所述第二互連區段將所述第一縱向區段與所述第二縱向區段耦合以形成延伸穿過所述槽縫結構的開口，所述開口由所述第一縱向區段、所述第一互連區段、所述第二縱向區段和所述第二互連區段包圍。第一饋送節點在所述第一縱向區段的第一末端與第二末端之間的中間區處電連接到所述槽縫結構，并且第二饋送節點沿所述第二縱向區段電耦合到所述槽縫結構。在裝置或模塊中，所述第二饋送節點被配置成電連接到所述電氣部件。

技術領域

本發明總體上涉及電氣部件。更具體地說，本發明涉及一種用于晶體管的輸入/輸出饋送結構，其中將電力基本上均勻地饋送到晶體管的晶體管元件或從所述晶體管的所述晶體管元件基本上均勻地饋送所述電力。

背景技術

用于射頻(RF)高功率裝置的功率晶體管裝置通常由多個構建塊制成，所述多個構建塊有時被稱為單位晶格或單獨晶體管，所述單位晶格或單獨晶體管與組合作為電力輸出的晶體管的輸出并聯驅動。尤其在較高頻率下，當與單位晶格的機械尺寸和數量相比波長較小時，然后均勻地向晶體管元件饋送電力或者組合來自這種裝置的晶體管元件的電力不是直截了當的。也就是說，到晶體管元件的不均勻的電力分布可能潛在地降低這種晶體管的性能和壽命。

發明內容

根據本發明的第一方面，提供一種用于電氣部件的饋送結構，包括：

槽縫結構，所述槽縫結構包括彼此相對的第一導電縱向區段和第二導電縱向區段以及彼此相對的第一導電互連區段和第二導電互連區段，所述第一互連區段和所述第二互連區段將所述第一縱向區段耦合到所述第二縱向區段以形成延伸穿過所述槽縫結構的開口，所述開口由所述第一縱向區段、所述第一互連區段、所述第二縱向區段和所述第二互連區段包圍；

第一饋送節點，所述第一饋送節點在所述第一縱向區段的第一末端與第二末端之間的中間區處電連接到所述槽縫結構；以及

第二饋送節點，所述第二饋送節點沿所述第二縱向區段電耦合到所述槽縫結構，所述第二饋送節點被配置成電連接到所述電氣部件。

在一個或多個實施例中，所述電氣部件包括輸入元件，并且所述第二饋送節點中的每一個第二饋送節點被配置成耦合到所述輸入元件中的每一個輸入元件以經由所述槽縫結構將輸入信號從所述第一饋送節點提供到所述輸入元件中的每一個輸入元件。

在一個或多個實施例中，所述電氣部件包括輸出元件，并且所述第二饋送節點中的每一個第二饋送節點被配置成耦合到所述輸出元件中的每一個輸出元件以從所述輸出元件中的每一個輸出元件接收輸出信號，以便在所述第一饋送節點處輸出。

在一個或多個實施例中，所述第一縱向區段和所述第二縱向區段在所述開口的內周邊處展現出第一長度，并且所述第一互連區段和所述第二互連區段在所述開口的所述內周邊處展現出第二長度，所述第二長度小于所述第一長度，使得所述開口由長方形矩形形狀表征。

在一個或多個實施例中，所述開口由非矩形形狀表征。

在一個或多個實施例中，所述第一縱向區段由第一長度表征；并且

所述第二縱向區段由不同于所述第一長度的第二長度表征。

在一個或多個實施例中，所述第二饋送節點沿所述第二縱向區段的長度均勻分布。

在一個或多個實施例中，所述第一饋送節點在所述第一縱向區段的第一末端與第二末端之間的中心點處電連接到所述槽縫結構。

在一個或多個實施例中，所述饋送結構進一步包括多個第一饋送節點，所述多個第一饋送節點電連接到所述槽縫結構的所述第一縱向區段。