[發明專利]圖像傳感器、圖像處理方法和裝置、及存儲介質有效
| 申請號: | 201910907658.3 | 申請日: | 2019-09-24 |
| 公開(公告)號: | CN110691208B | 公開(公告)日: | 2022-05-27 |
| 發明(設計)人: | 楊鑫 | 申請(專利權)人: | OPPO廣東移動通信有限公司 |
| 主分類號: | H04N5/374 | 分類號: | H04N5/374;H04N5/369 |
| 代理公司: | 北京派特恩知識產權代理有限公司 11270 | 代理人: | 劉暉銘;張穎玲 |
| 地址: | 523860 廣東*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 圖像傳感器 圖像 處理 方法 裝置 存儲 介質 | ||
本申請實施例公開了一種圖像傳感器、圖像處理方法和裝置、及存儲介質,CIS包括:濾光單元、像素單元以及讀出電路,其中,濾光單元包括第一濾色片和第二濾色片,像素單元包括第一像素單元、第二像素單元以及第三像素單元;讀出電路與像素單元連接;第一濾色片覆蓋在第一像素單元上,第二濾色片覆蓋在第二像素單元上;第一像素單元中設置第一光電二極管PD柱,第二像素單元中設置第二PD柱,第三像素單元中設置第三PD柱;像素單元從上向下垂直劃分為上層區域和下層區域,第一像素單元和第二像素單元設置在上層區域,第三像素單元設置在下層區域;其中,第一像素單元和第二像素單元層疊在第三像素單元之上。
技術領域
本申請實施例涉及圖像處理領域,尤其涉及一種圖像傳感器、圖像處理方法和裝置、及存儲介質。
背景技術
圖像傳感器是一種能夠將光信號轉換為電信號的裝置,可以分為電荷耦合元件(Charge Coupled Device,CCD)和互補金屬氧化物半導體(Complementary Metal-OxideSemiconductor,CMOS)兩種類型。其中,互補金屬氧化物圖像傳感器(CMOS Image Sensor,CIS)因其制造工藝與信號處理芯片等制造工藝相兼容,易于集成片上系統,同時功耗相較于電荷耦合器件類傳感器有較大優勢,圖像處理降噪算法可以提高信噪比,因此已在圖像傳感器應用領域占有優勢地位。
由于采用CCD或者CMOS的圖像處理裝置均是在同一像素上記錄一種顏色,例如,傳統CIS中的每一個像素單元只能吸收RGB中的一種光信號,因此存在光信號利用率比較低的問題。
通常通過增大像素尺寸和優化算法的方式實現一個像素對R、G、B三種顏色的檢測。然而,這種方式往往存在像素尺寸大,算法復雜等問題,依然無法解決光信號利用率比較低的問題,導致圖像處理效率低、處理質量差的缺陷。
發明內容
本申請實施例提供了一種圖像傳感器、圖像處理方法和裝置、及存儲介質,可以提高光信號的利用率,色彩還原準確性高,從而提高了圖像處理的效率和質量。
本申請實施例的技術方案是這樣實現的:
本申請實施例提供了一種CIS,所述CIS包括:濾光單元、像素單元以及讀出電路,其中,所述濾光單元包括第一濾色片和第二濾色片,所述像素單元包括第一像素單元、第二像素單元以及第三像素單元;
所述讀出電路與所述像素單元連接;
所述第一濾色片覆蓋在所述第一像素單元上,所述第二濾色片覆蓋在所述第二像素單元上;
所述第一像素單元中設置第一光電二極管PD柱,所述第二像素單元中設置第二PD柱,所述第三像素單元中設置第三PD柱;
所述像素單元從上向下垂直劃分為上層區域和下層區域,所述第一像素單元和所述第二像素單元設置在所述上層區域,所述第三像素單元設置在所述下層區域;其中,所述第一像素單元和所述第二像素單元層疊在所述第三像素單元之上。
本申請實施例提供了一種圖像處理方法,所述圖像處理方法應用于圖像處理裝置中,所述圖像處理裝置包括CIS,所述CIS包括濾光單元、像素單元以及讀出電路,其中,所述濾光單元包括第一濾色片和第二濾色片,所述像素單元包括第一像素單元、第二像素單元以及第三像素單元,所述讀出電路與所述像素單元連接;所述第一濾色片覆蓋在所述第一像素單元上,所述第二濾色片覆蓋在所述第二像素單元上;所述第一像素單元中設置第一光電二極管PD柱,所述第二像素單元中設置第二PD柱,所述第三像素單元中設置第三PD柱;所述像素單元從上向下垂直劃分為上層區域和下層區域,所述第一像素單元和所述第二像素單元設置在所述上層區域,所述第三像素單元設置在所述下層區域;其中,所述第一像素單元和所述第二像素單元層疊在所述第三像素單元之上;
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