[發(fā)明專利]核殼量子點(diǎn)及其制備方法、組合物及含其的電致發(fā)光器件

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201910907465.8
• 申請日: 2019-09-24
• 公開（公告）號: CN112625688B
• 公開（公告）日: 2023-07-11
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 葉榮琴;陳小朋
• 申請（專利權(quán)）人: 納晶科技股份有限公司
• 主分類號: C09K11/88
• 分類號: C09K11/88;H10K50/115;B82Y20/00;B82Y40/00
• 代理公司: 北京康信知識產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11240
• 代理人: 梁文惠

1.一種核殼量子點(diǎn)的制備方法，其特征在于，包括：

步驟S1，將第一鋅前體、第一VI族元素前體、第一配體與CdSe核在第一非配位溶劑中混合并加熱，得到第一反應(yīng)物體系；

步驟S2，將第一鎘前體勻速添加至所述第一反應(yīng)物體系中，并在所述CdSe核上包覆鎘摻雜的第一Cd_x-Zn_1-x-VI殼層，提純得到CdSe/Cd_x-Zn_1-x-VI量子點(diǎn)；

步驟S3，將第二鋅前體、第二VI族元素前體、第二配體與所述CdSe/Cd_x-Zn_1-x-VI量子點(diǎn)在第二非配位溶劑中混合并加熱，得到第二反應(yīng)物體系，其中，所述第二VI族元素前體與所述第一VI族元素前體不同；

步驟S4，將第二鎘前體勻速添加至所述第二反應(yīng)物體系中，并在所述CdSe/Cd_x-Zn_1-x-VI量子點(diǎn)上包覆鎘離子摻雜的第二Cd_y-Zn_1-y-VI殼層，提純得到CdSe/Cd_x-Zn_1-x-VI/Cd_y-Zn_1-y-VI量子點(diǎn)，

其中，0＜X≤0.1，0＜Y≤0.1。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述步驟S1包括：

步驟S11，將所述第一鋅前體、所述CdSe核、所述第一配體和所述第一非配位溶劑混合并加熱，得到第一混合溶液；

步驟S12，在加熱條件下將所述第一VI族元素前體加入到所述第一混合溶液中反應(yīng)，得到所述第一反應(yīng)物體系。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的制備方法，其特征在于，所述步驟S12中的反應(yīng)時(shí)間為20s～5min。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述步驟S3包括：

步驟S31，將所述第二鋅前體、所述第二配體、所述CdSe/Cd_x-Zn_1-x-VI量子點(diǎn)和所述第二非配位溶劑混合并加熱，得到第二混合溶液；

步驟S32，在加熱條件下將所述第二VI族元素前體加入到所述第二混合溶液中反應(yīng)，得到所述第二反應(yīng)物體系。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的制備方法，其特征在于，所述步驟S32的反應(yīng)時(shí)間為20s～5min。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備方法，其特征在于，每對應(yīng)一摩爾所述CdSe核，所述第一鎘前體和/或所述第二鎘前體的勻速添加速度為5×10³～1×10⁵mol/h。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的制備方法，其特征在于，所述勻速添加為滴加，且所述滴加的持續(xù)時(shí)間為1min～30min。

8.根據(jù)權(quán)利要求1至7任一所述的制備方法，其特征在于，所述步驟S1至步驟S4的反應(yīng)溫度獨(dú)立地選自250～310℃中的任一溫度。

9.根據(jù)權(quán)利要求1至7任一所述的制備方法，其特征在于，所述第一鎘前體中Cd、所述第一鋅前體中的Zn、游離的所述第一配體之間的摩爾數(shù)之比為1:1:10～1：200:500，所述第二鎘前體中Cd、所述第二鋅前體中的Zn、游離的所述第二配體的摩爾數(shù)之比為1:1:10～1:200:500。

10.根據(jù)權(quán)利要求1至7任一所述的制備方法，其特征在于，所述第一VI族元素前體為Se前體或Se和S的混合前體，所述第二VI族元素前體為S前體，第一鋅前體和第二鋅前體相同或不同。

11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的制備方法，其特征在于，當(dāng)?shù)谝籚I族元素前體為Se和S的混合前體時(shí)，所述Se前體和所述S前體的摩爾比例為大于或等于1。