[發明專利]自對準側墻工藝核心層的實現方法在審
| 申請號： | 201910907365.5 | 申請日： | 2019-09-24 |
| 公開（公告）號： | CN110634734A | 公開（公告）日： | 2019-12-31 |
| 發明（設計）人： | 巨曉華 | 申請（專利權）人： | 上海華力微電子有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/033 | 分類號： | H01L21/033 |
| 代理公司： | 31237 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) | 代理人： | 曹廷廷 |
| 地址： | 201315*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 襯底 核心層 側墻 刻蝕 芯模 自對準側墻 犧牲層 掩膜 表面平整 距離相等 上大下小 芯模頂端 不一致 圓角 相等 平整 | ||
1.一種自對準側墻工藝核心層的實現方法，其特征在于，包括：
提供襯底；
在所述襯底上形成犧牲層和核心層；
刻蝕所述核心層形成上大下小并且表面平整的芯模；
形成位于所述芯模兩側的側墻；
以所述側墻為掩膜刻蝕所述犧牲層和部分所述襯底，刻蝕后的所述襯底形成的多個凹槽，多個所述凹槽的深度相同。
2.如權利要求1所述的自對準側墻工藝核心層的實現方法，其特征在于，所述犧牲層的材料為氧化硅。
3.如權利要求1所述的自對準側墻工藝核心層的實現方法，其特征在于，形成位于所述芯模兩側的側墻后，所述自對準側墻工藝核心層的實現方法還包括：去除所述芯模。
4.如權利要求3所述的自對準側墻工藝核心層的實現方法，其特征在于，去除所述芯模后，所述自對準側墻工藝核心層的實現方法還包括：去除刻蝕后的所述犧牲層。
5.如權利要求1所述的自對準側墻工藝核心層的實現方法，其特征在于，所述核心層的材料為摻雜多晶硅。
6.如權利要求1所述的自對準側墻工藝核心層的實現方法，其特征在于，所述芯模為多個，每個所述芯模兩側的側墻對稱。
7.如權利要求1所述的自對準側墻工藝核心層的實現方法，其特征在于，形成芯模的方法包括：在所述核心層上使用光刻膠遮擋，并且使用干法刻蝕形成上大下小類似噴泉形狀的芯模。
8.如權利要求1所述的自對準側墻工藝核心層的實現方法，其特征在于，形成側墻的方法包括：在所述芯模上沉積一層氮化硅，刻蝕氮化硅露出所述芯模的表面形成位于所述芯模兩側的側墻，同時，刻蝕所述芯模之間的氮化硅露出犧牲層表面使得相鄰的芯模的側墻之間有一定的距離。
9.如權利要求3所述的自對準側墻工藝核心層的實現方法，其特征在于，去除芯模后多個側墻的形狀相同，多個側墻之間的距離相等。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
