[發(fā)明專利]一種超高頻RFID標(biāo)簽的驗(yàn)證測試方法及裝置

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201910904903.5
• 申請(qǐng)日: 2019-09-24
• 公開（公告）號(hào): CN110751000A
• 公開（公告）日: 2020-02-04
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 黃瑞;楊茂濤;劉謀海;胡軍華;陳浩;申麗曼;吳志勇
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 國網(wǎng)湖南省電力有限公司;國網(wǎng)湖南省電力有限公司供電服務(wù)中心(計(jì)量中心);國家電網(wǎng)有限公司
• 主分類號(hào): G06K7/00
• 分類號(hào): G06K7/00;G06K17/00
• 代理公司: 43008 湖南兆弘專利事務(wù)所(普通合伙)
• 代理人: 周長清;胡君

本發(fā)明公開一種超高頻RFID標(biāo)簽的驗(yàn)證測試方法及裝置，該方法包括標(biāo)簽芯片射頻測試步驟，步驟包括：S1.配置一可調(diào)衰減器及閱讀器，可調(diào)衰減器的兩端分別通過一同軸傳輸線與待測標(biāo)簽芯片、閱讀器連接，構(gòu)建得到射頻測試裝置；S2.通過調(diào)整可調(diào)衰減器的衰減值、閱讀器的輸出功率，使得待測標(biāo)簽芯片工作在最低功率，并測量最低功率時(shí)待測標(biāo)簽芯片的反射系數(shù)，根據(jù)最低功率、反射系數(shù)計(jì)算得到待測標(biāo)簽芯片的靈敏度值；調(diào)整待測標(biāo)簽芯片與閱讀器之間的距離以調(diào)整待測標(biāo)簽芯片的入射功率，當(dāng)入射功率達(dá)到計(jì)算的靈敏度值時(shí)，測量當(dāng)前待測標(biāo)簽芯片的輸入阻抗。本發(fā)明具有操作方法簡單、實(shí)現(xiàn)成本低、驗(yàn)證測試效率以及精度高等優(yōu)點(diǎn)。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及超高頻RFID(Radio Frequency Identification，射頻識(shí)別)技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉 及一種超高頻RFID標(biāo)簽的驗(yàn)證測試方法及裝置。

背景技術(shù)

超高頻(Ultra High Frequency,UHF)RFID技術(shù)近年來發(fā)展迅速，其中860–960MHz頻段的ISO/IEC 18000-6C(EPCglobal Class 1Generation 2)超高頻RFID空中接口協(xié)議由于 功能更趨完善，且應(yīng)用前景廣闊而倍受關(guān)注。電子標(biāo)簽(Tag)是RFID系統(tǒng)的重要組成部分， 它與閱讀器(Reader)一起組成基本的RFID系統(tǒng)。UHF無源電子標(biāo)簽具體由天線、射頻/模 擬前端電路和基帶電路三部分組成。標(biāo)簽從天線接收閱讀器發(fā)射的UHF頻段信號(hào)，并對(duì)接收 信號(hào)進(jìn)行整流、穩(wěn)壓，產(chǎn)生直流電源為其它模塊供電。由于標(biāo)簽工作在無源模式下，為降低 硬件復(fù)雜度與功耗，系統(tǒng)的正向鏈路(R＝>T,Reader to Tag)和反向鏈路(T＝>R,Tagto Reader) 均采用AM調(diào)制方式，這使得標(biāo)簽?zāi)軌蚶冒j(luò)檢波的原理對(duì)調(diào)制信號(hào)進(jìn)行解調(diào)，并利用反 向散射的方式對(duì)射頻信號(hào)進(jìn)行調(diào)制，該種調(diào)制方式靠改變模擬前端的輸入阻抗實(shí)現(xiàn)，通過改 變反射系數(shù)而改變反射信號(hào)的幅度。標(biāo)簽同時(shí)需要數(shù)字基帶電路對(duì)通信協(xié)議進(jìn)行處理，并在 非易失存儲(chǔ)器中存儲(chǔ)EPC碼等相關(guān)信息。由于標(biāo)簽工作在無源模式下，并且系統(tǒng)對(duì)其有高速 讀取，遠(yuǎn)距離工作和大容量存儲(chǔ)等要求，因此使之成為系統(tǒng)中技術(shù)難點(diǎn)之一，設(shè)計(jì)符合ISO/IEC 18000-6C協(xié)議的高性能無源標(biāo)簽近年來一直是研究的熱點(diǎn)問題。

在超高頻RFID標(biāo)簽設(shè)計(jì)、制作完成后需要對(duì)其性能進(jìn)行驗(yàn)證、測試，目前針對(duì)超高頻 RFID標(biāo)簽的驗(yàn)證測試方法，通常要么測試精度不高，要么測試成本較高，如靈敏度對(duì)測試芯 片性能至關(guān)重要，傳統(tǒng)的靈敏度測試方法中，通常是采用沒有經(jīng)過調(diào)制的載波芯片的整流電 路以及后端穩(wěn)壓電路，在產(chǎn)生穩(wěn)定的Vdd后，芯片的入射功率被認(rèn)為是靈敏度P_th，然而，由 于未調(diào)制的載波不能使基帶電路上產(chǎn)生動(dòng)態(tài)能量，所以該類靈敏度P_th測試方法不能獲得準(zhǔn)確 的結(jié)果；為更精確測試靈敏度，通常需要借助于專用設(shè)備實(shí)現(xiàn)，或者在暗室環(huán)境中實(shí)現(xiàn)測試 的方法，在暗室環(huán)境中實(shí)現(xiàn)測試即建立標(biāo)簽和讀寫器之間的連接后，固定讀寫器的發(fā)射功率 P_TXG_TX、增加通信距離d，或者固定通信距離d、減小P_TXG_TX到臨界狀態(tài)后，用Friis公式計(jì) 算再根據(jù)式P_th＝GτP_tag計(jì)算P_th，但是該類方法中如果無法正確估計(jì)G 和τ，則靈敏度計(jì)算將導(dǎo)致嚴(yán)重誤差。